KIA原(yuan)厂(chang)家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道(dao) PDF文件下载-KIA MOS管
信息来源：本(ben)站 日期：2018-03-13
这是功率MOSFET采用起亚`平面条形(xing)DMOS工艺生(sheng)产(chan)的先(xian)(xian)进。这种先(xian)(xian)进的技(ji)术(shu)特(te)别适合于最小化(hua)状态(tai)电(dian)阻，提供(gong)优(you)越性(xing)。
开(kai)关性能，在(zai)雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效(xiao)率开(kai)关电(dian)源(yuan)(yuan)，有源(yuan)(yuan)功率因(yin)数(shu)校正。基(ji)于半(ban)桥拓扑。
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切换的能力(li)
雪崩能(neng)量
改进(jin)的dt／dt能力(li)
产品型(xing)号：KIA6035A
工作方(fang)式：11A/350V
漏源电压：350V
栅源电压：±20V
漏电流连(lian)续：11A
脉冲漏极电(dian)流:9.0A
雪(xue)崩(beng)能量：423mJ
耗散功率：99W
热电阻(zu)：62.5℃/W
漏源击穿电压：350V
栅极(ji)阈值电压：2.0V
输入电容：844PF
输出电容：162PF
上升时间：23.5ns
封(feng)装形(xing)式：TO-252、TO-220
4、KIA6035A产品规格
 |
KIA6035A |
| 产品编号 | KIA6035A 11A/350V |
| 产品工艺 |
这是(shi)功(gong)率(lv)MOSFET采(cai)用起亚`平面条(tiao)形DMOS工艺(yi)生(sheng)产的先进。这种(zhong)先进的技术特别适合于最小化状态电(dian)阻，提供(gong)优越性(xing)。 |
| 产品特(te)征 |
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的15nc） 高(gao)耐用性(xing) 快速(su)切换的能(neng)力(li) 雪崩能量(liang) 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
适合(he)于最小化状(zhuang)态电(dian)(dian)阻，高(gao)效率开关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)，有源(yuan)功率因数校正。基于半桥拓扑。 |
| 封装形式 | TO-252、TO-220 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原(yuan)厂家(jia) |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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