KIA原厂家mos管 KIA6035A 11A /350V N沟道 PDF文(wen)件下载-KIA MOS管
信息来源：本站 日期(qi)：2018-03-13
这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺(yi)生产的(de)先(xian)(xian)进。这种先(xian)(xian)进的(de)技(ji)术(shu)特(te)别适合于最小化状(zhuang)态电阻，提(ti)供优越性。
开关性能，在雪崩和(he)换相模(mo)式下(xia)承受(shou)高能量脉冲。这(zhei)些器件非常(chang)适合于高效率(lv)开关电源(yuan)，有源(yuan)功率(lv)因(yin)数校正。基于半(ban)桥拓扑。
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典(dian)型的(de)15nc）
高耐用性
快速切换的(de)能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
产(chan)品型号：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源电压：350V
栅源电(dian)压：±20V
漏电流连续：11A
脉冲漏极电流:9.0A
雪崩能量：423mJ
耗散功(gong)率：99W
热电阻(zu)：62.5℃/W
漏源击穿电压(ya)：350V
栅极阈值电压：2.0V
输入(ru)电容：844PF
输出(chu)电容：162PF
上升(sheng)时间：23.5ns
封装形式(shi)：TO-252、TO-220
4、KIA6035A产品规格
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KIA6035A |
| 产品编号 | KIA6035A 11A/350V |
| 产品工(gong)艺 |
这是功率MOSFET采用起(qi)亚(ya)`平面(mian)条形DMOS工艺生产(chan)的先进(jin)。这种先进(jin)的技术特(te)别适合于最小化(hua)状态电(dian)阻，提供优越性。 |
| 产品特征 |
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低栅极电(dian)荷（典型的15nc） 高耐(nai)用性 快(kuai)速切换的能力 雪崩能量 改(gai)进的dt／dt能力 |
| 适(shi)用(yong)范围(wei) |
适合于(yu)最小化(hua)状态电(dian)阻(zu)，高效(xiao)率开关电(dian)源(yuan)(yuan)，有源(yuan)(yuan)功率因(yin)数(shu)校正。基于(yu)半(ban)桥拓扑。 |
| 封装形式 | TO-252、TO-220 |
| PDF文(wen)件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂(chang)家(jia) |
| 网(wang)址 | shkegan.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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