KIA原厂家mos场(chang)效应管 KNP6140A N沟道(dao) 10A /400V PDF文件下载(zai)-KIA官(guan)网(wang)
信(xin)息来源：本站 日期：2018-03-16
专有的新平面技(ji)术
RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V
低门电荷最(zui)小化开关损耗
快(kuai)速恢复体二极管(guan)
镇(zhen)流器和照明
DC-AC逆变器
其他应用程序(xu)
产品型号：KNP6140A
工作方式：10A/400V
漏源电(dian)压：400V
栅源电压：±30A
漏(lou)电流连续：10A
脉冲(chong)漏极电流：6A
雪崩(beng)能(neng)量：650mJ
耗散功率：140W
热电(dian)阻(zu)：62℃/W
漏源击穿(chuan)电压：400V
栅(zha)极阈(yu)值(zhi)电压：2.0V
输入电容：1254PF
输出电容：21PF
上升(sheng)时(shi)间：25ns
封装形式：TO-251、252
 |
KNP6140A N沟道(dao)MOSFET |
| 产(chan)品编号 | KNP6140A 10A/400V |
| 产品特征 |
专有的新(xin)平面技术 RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V 低门电荷最小化开关损耗 快速(su)恢复体二(er)极管 |
| 应(ying)用范围(wei) |
镇流器和照明(ming) DC-AC逆变器 其他(ta)应用程序 |
| 封装形式(shi) | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | shkegan.com |
| PDF页总数 | 总8页 |
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