650V超结场效应(ying)管(guan)-供应(ying)KIA65R950 650V N沟道详细资料-KIA 官网
信息来(lai)源：本站 日期：2018-03-20
功率MOSFET是用(yong)起亚半先(xian)进的(de)超级(ji)结(jie)技术生产的(de)。这先(xian)进的(de)技术已特(te)别定制，以尽(jin)量减少传(chuan)导(dao)损耗，提供优(you)越的(de)开关。性能，在(zai)雪(xue)崩和换相模式下(xia)承受(shou)高(gao)能量脉冲。这些设备(bei)适(shi)用(yong)于开关电源的(de)交(jiao)流(liu)/直流(liu)电源转换，有利于提高(gao)工作效率。
RDS（ON）= 0.85?@ VGS = 10v
低栅极电荷（典(dian)型的15nc）
高耐用性
快速切(qie)换
100%雪崩测(ce)试
改进的dt／dt能力
联系方式：邹先生
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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