730mos产品规(gui)格书(shu) 730场效应管配置 730批发价格 KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2018-05-11
设计(ji)了(le)KIA730HN沟道增强型硅(gui)栅功率MOSFET。高压(ya)、高速功率开(kai)关应用(yong)，如(ru)开(kai)关稳(wen)压(ya)器(qi)(qi)、开(kai)关转换器(qi)(qi)，螺线管，电(dian)机驱(qu)动器(qi)(qi)，继电(dian)器(qi)(qi)驱(qu)动器(qi)(qi)。
RDS＝0.83（Typ）@ VGS＝10V
低栅电(dian)荷（典型(xing)20NC）
雪崩(beng)能(neng)量指定
改(gai)进(jin)的(de)DV/DT能力
产(chan)品型号：KIA730H
工(gong)作(zuo)方式：6A/400V
漏源(yuan)电压：400V
栅源电(dian)压：±30V
漏(lou)电流连续：6.0A
脉冲漏极电(dian)流(liu)：24A
雪崩(beng)电流：7.3mJ
雪崩能(neng)量：270mJ
耗(hao)散功率：42W
热电阻(zu)：62.5℃/V
漏源(yuan)击穿(chuan)电压：400V
温度(du)系数(shu)：
栅极阈值电(dian)压：2.0V
输入(ru)电容：520PF
输出(chu)电容：80PF
上升时间(jian)：60ns
封装形式：TO-220、200F、251、252
联系方式：邹先(xian)生
联系电话：0755-83888366-8022
手(shou)机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳(zhen)市福田区(qu)车公庙天安(an)数码城天吉大厦CD座5C1
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