12N60场效应管参数-12N60C引脚(jiao)图(tu) 12A 600V PDF文件(jian)-KIA MOS管
信(xin)息(xi)来源：本站 日期：2018-06-07
N沟道增强型硅栅(zha)功率(lv)MOSFET是专为高(gao)(gao)压(ya)、高(gao)(gao)速功率(lv)开关应用而设计的，如高(gao)(gao)效(xiao)率(lv)开关电(dian)源、有源功率(lv)因数校正、基于半(ban)桥拓扑的电(dian)子灯镇(zhen)流器等
12N60H PEF文件下载
RDS（on）=0.53@VGS=10V
低栅电(dian)荷(he)（典型的52nC）
快速交换能力
雪崩能量指定值
改进的dv/dt能力
G：gate 栅极S：source 源极D：drain 漏极
MOS管是金属(Metal)—氧化物(wu)(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效(xiao)应晶体管。市(shi)面上常有的一般(ban)为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般(ban)接(jie)在D，输出(chu)S，P沟道的电源一般(ban)接(jie)在S，输出(chu)D。
产(chan)品(pin)型号：KIA12N60H
工(gong)作方式：12A/600V
漏源电压(ya)：600V
栅源(yuan)电压：±30A
漏电(dian)流连续(xu)：12A
脉冲漏极电流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功(gong)率：231W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电(dian)压：600V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈(yu)值电(dian)压：2.0V
输入电容：1850PF
输(shu)出电容：180PF
上升(sheng)时间：90ns
封装(zhuang)形式：TO-220、220F
联系方式(shi)：邹(zou)先生
联系(xi)电话(hua)：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
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