MOS管工作原理视频

金属氧(yang)化物(wu)半(ban)导(dao)体(ti)场效应晶体(ti)管(guan)，有(you)增(zeng)强型(xing)跟耗尽(jin)型(xing)的(de)区分，但是由于本人没见过耗尽(jin)型(xing)的(de)mos管(guan)，所以直接忽略，需(xu)要(yao)可(ke)自行查阅这(zhei)两者的(de)区分。

MOS管(guan)的(de)source和drain是可以对调的(de)，他们都是在P型(xing)backgate中形成的(de)N型(xing)区。在多数情况下，这个两个区是一样的(de)，即使两端(duan)对调也不会影响器件的(de)性能。这样的(de)器件被认为是对称(cheng)的(de)。

MOS管工作原理视频参数

1.开启电压VT

开(kai)启电(dian)压（又称阈值电(dian)压）：使得(de)源极S和漏极D之间开(kai)始形成(cheng)导电(dian)沟道所需的栅极电(dian)压；

备(bei)注(zhu)：这是(shi)设计时候比较(jiao)重要的值，一般开启(qi)电(dian)压(ya)是(shi)个(ge)范围，我们要尽量保证电(dian)压(ya)大(da)于(yu)这个(ge)范围。（后续会推(tui)出一个(ge)实例）

2. 漏源击穿电压BVDS

在(zai)VGS=0（增(zeng)强型）的条件下 ，在(zai)增(zeng)加漏源电(dian)压过程中使ID开(kai)始剧增(zeng)时(shi)的VDS称为漏源击穿(chuan)电(dian)压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的(de)穿通(tong)击穿

有些MOS管中(zhong)，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏(lou)区的耗尽(jin)层一直扩展到(dao)源(yuan)区，使沟道长度为(wei)零，即产生漏(lou)源(yuan)间的穿(chuan)(chuan)通，穿(chuan)(chuan)通后，源(yuan)区中(zhong)的多(duo)数(shu)载流子(zi)，将(jiang)直接受(shou)耗尽(jin)层电场的吸引，到(dao)达漏(lou)区，产生大的ID

3. 栅源击穿电压BVGS

在(zai)增(zeng)加栅源电(dian)压过程中，使栅极(ji)电(dian)流IG由(you)零开始剧增(zeng)时的VGS，称(cheng)为(wei)栅源击穿电(dian)压BVGS。

备(bei)注：我们所加(jia)的(de)Vgs不(bu)能大于 BVGS

4. 低频跨导gm

在VDS为某一固(gu)定(ding)数值的(de)条件下 ，漏极电流的(de)微(wei)变量和引起这个变化的(de)栅源电压微(wei)变量之比(bi)称为跨导

gm反映了栅源(yuan)电压对漏极电流的控制(zhi)能力

5. 导通电阻RON

导通电阻RON说明(ming)了VDS对ID的影响 ，是漏(lou)极特性(xing)某一点切(qie)线的斜率的倒数

在饱和区(qu)，ID几(ji)乎不随VDS改变，RON的数值很大(da)，一般在几(ji)十千(qian)欧(ou)到(dao)几(ji)百(bai)千(qian)欧(ou)之间

由(you)于在数字(zi)电路中(zhong) ，MOS管导(dao)通时经(jing)常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导(dao)通电阻RON可用原点的RON来(lai)近似

对一般(ban)的MOS管而言(yan)，RON的数值(zhi)在几(ji)百欧以内

备注：此值在(zai)PWM开关管中(zhong)尤为(wei)重要，会(hui)影响(xiang)较多参数(shu)，一般mos管的发热也跟该(gai)参数(shu)有较大关系。

6. 极间电容

三个电(dian)极(ji)(ji)之(zhi)间都存在着极(ji)(ji)间电(dian)容(rong)(rong)：栅源(yuan)电(dian)容(rong)(rong)Cgs 、栅漏电(dian)容(rong)(rong)Cgd和(he)漏源(yuan)电(dian)容(rong)(rong)Cds

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