pwm驱动mos管(guan)开(kai)关电路

MOS管(guan)开关(guan)电(dian)路是利用一种电(dian)路，是利用MOS管(guan)栅(zha)极(ji)（g）控(kong)制MOS管(guan)源(yuan)极(ji)（s）和漏(lou)极(ji)（d）通断的原(yuan)理(li)构(gou)造的电(dian)路。MOS管(guan)分为(wei)N沟道与P沟道，所以开关(guan)电(dian)路也主要分为(wei)两种。本文为(wei)大家带来三(san)种pwm驱动mos管(guan)开关(guan)电(dian)路解析。

(一)常见pwm驱动mos管开关电路

只是单(dan)个MOS管(guan)的普通驱(qu)动方式(shi)像(xiang)这种(zhong)增强型NMOS管(guan)直接加一(yi)个电(dian)阻限流即(ji)可。由于MOS管(guan)内部有(you)寄(ji)生电(dian)容有(you)时候(hou)为了加速电(dian)容放电(dian)，会(hui)在(zai)限流电(dian)阻反向并联一(yi)个二(er)极管(guan)。

用(yong)于NMOS的驱动电路(lu)和用(yong)于pwm驱动mos管(guan)开关电路(lu)

针对NMOS驱动电路做一个简单分析

Vl和Vh分别是(shi)(shi)低(di)端和高(gao)端的电源(yuan)，两个电压可以是(shi)(shi)相同的，但(dan)是(shi)(shi)Vl不应该超(chao)过Vh。

Q1和(he)Q2组成了一个反置(zhi)的(de)图(tu)腾柱(zhu)，用来(lai)实现隔离(li)，同时确(que)保(bao)两只驱动管Q3和(he)Q4不会同时导(dao)通。

R2和(he)R3提供了PWM电压(ya)基(ji)准，通(tong)过改变这个基(ji)准，可以让电路工作在PWM信号波(bo)形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动(dong)电流，由于导通(tong)的时候，Q3和Q4相对(dui)Vh和GND最低都(dou)只有一个Vce的压降，这个压降通(tong)常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和(he)R6是反(fan)馈(kui)电阻，用于对gate电压(ya)进行采样，采样后的(de)电压(ya)通(tong)过Q5对Q1和(he)Q2的(de)基极产生一(yi)个强烈的(de)负反(fan)馈(kui)，从而把gate电压(ya)限(xian)(xian)制(zhi)在一(yi)个有限(xian)(xian)的(de)数(shu)值(zhi)。这个数(shu)值(zhi)可(ke)以通(tong)过R5和(he)R6来调节。

最后，R1提供(gong)了对Q3和Q4的基极电(dian)流限制(zhi)(zhi)(zhi)，R4提供(gong)了对MOS管的gate电(dian)流限制(zhi)(zhi)(zhi)，也就是(shi)Q3和Q4的Ice的限制(zhi)(zhi)(zhi)。必要的时(shi)候可以在R4上面并联加(jia)速电(dian)容(rong)。

pwm驱动mos管这个电路提供(gong)了如下(xia)的特(te)性：

1，用低(di)端电(dian)压和(he)PWM驱(qu)动高端MOS管。

2，用小幅度(du)的PWM信号驱(qu)动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制

4，输(shu)入和输(shu)出的电流限(xian)制(zhi)

5，通过使(shi)用(yong)合适(shi)的电阻，可以(yi)达到很(hen)低的功耗。

6，PWM信(xin)号反(fan)相(xiang)。NMOS并不需要(yao)这个特性(xing)，可以通(tong)过前(qian)置(zhi)一(yi)个反(fan)相(xiang)器来解决。

（二）pwm驱动mos管开关电路

pwm驱动(dong)mos管(guan)电路图

pwm驱动(dong)mos管电路(lu)功能

当控制器输出pwm驱动(dong)mos管开(kai)关电(dian)路PWM脉冲时，电(dian)磁阀工作；没(mei)有(you)输出PWM时，电(dian)磁阀不工作。

pwm驱动mos管电路(lu)分解(jie)

整个电路根据光耦可分为两部分

左边(bian)为光耦(ou)(ou)输入部(bu)分(fen)，也是(shi)整个(ge)电(dian)路pwm驱(qu)动(dong)mos管(guan)开(kai)关电(dian)路PWM信号的输入部(bu)分(fen)；右(you)边(bian)为光耦(ou)(ou)输出(chu)部(bu)分(fen)，也是(shi)电(dian)磁阀的驱(qu)动(dong)部(bu)分(fen)。

这两(liang)部(bu)分通过光耦隔(ge)离，两(liang)边的地都(dou)不一样。

pwm驱动mos管(guan)整个电路的工(gong)作过(guo)程(cheng)

当(dang)光(guang)耦(ou)没有(you)(you)pwm驱动mos管开(kai)关电(dian)路PWM信(xin)号输入时，光(guang)耦(ou)发(fa)光(guang)二极管截(jie)止，光(guang)耦(ou)的(de)光(guang)电(dian)晶体管也(ye)是截(jie)止状态，Q1是一个NMOS，也(ye)处于截(jie)止状态，电(dian)磁阀没有(you)(you)电(dian)流，不工(gong)作。

当光耦有(you)pwm驱动mos管开关电(dian)路(lu)PWM信(xin)号(hao)输(shu)入时(shi)，光耦发(fa)光二(er)极(ji)管导(dao)(dao)通(tong)，触发(fa)光电(dian)晶体管也导(dao)(dao)通(tong)。24V电(dian)源经电(dian)阻R1，光电(dian)晶体管的(de)CE极(ji)，电(dian)阻R3分(fen)压使NMOS IRF540N的(de)栅(zha)极(ji)为(wei)高(gao)电(dian)平，触发(fa)MOS管导(dao)(dao)通(tong)，电(dian)磁阀(fa)线圈(quan)有(you)电(dian)流流过，电(dian)磁阀(fa)触发(fa)动作。

二(er)极管D1为电(dian)磁阀(fa)的(de)泄放二(er)极管，防止NMOS被高压(ya)损坏(huai)。电(dian)容C1起(qi)滤波作用，但同时也会增加MOS管的(de)开关损耗。

注意：

在实际制作时，要(yao)注意电磁阀驱(qu)动这块，要(yao)让MOS管处于开关状态，以免它发热严重。

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