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200V大功率MOS管大功率驱动电源

MOS管功率放具有(you)鼓(gu)励(li)功率小，输出功率大，输出漏极(ji)电流(liu)具有(you)负温度系(xi)数，安全可靠，且有(you)工作频率高，偏置简略等长处。

200v大功率mos管型号

mos管参数

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏(lou)极电流温度系数

Vn---噪声电压

η---漏(lou)极效率（射频(pin)功率管）

Zo---驱动源内阻(zu)

VGu---栅衬底(di)电压（直流）

VDu---漏衬底电压(ya)（直(zhi)流）

Vsu---源衬底电(dian)压（直(zhi)流）

VGD---栅漏电压（直流）

VDS(sat)---漏源饱满电压(ya)

VDS(on)---漏源通态电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击(ji)穿电压

Vss---源(yuan)极（直(zhi)流）电(dian)源(yuan)电(dian)压（外电(dian)路参数）

VGG---栅(zha)极（直流）电(dian)源电(dian)压（外电(dian)路参数）

VDD---漏极（直流）电(dian)源电(dian)压（外(wai)电(dian)路参数）

VGSR---反向(xiang)栅源电压(ya)（直流）

VGSF--正向栅源电压（直流）

Tstg---贮成温度

Tc---管壳温度

Ta---环境(jing)温度

Tjm---最大(da)容许(xu)结(jie)温

Tj---结(jie)温

PPK---脉冲功率峰值(zhi)（外(wai)电路参(can)数）

POUT---输出功率(lv)

PIN--输入功(gong)率

PDM---漏极(ji)最大容许(xu)耗(hao)散功率

PD---漏极(ji)耗(hao)散功率

R(th)ja---结环热阻

R(th)jc---结壳热阻

RL---负载电(dian)阻(zu)（外电(dian)路参数(shu)）

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

rGS---栅源电阻

rGD---栅漏电阻(zu)

rDS(of)---漏源断(duan)态电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS---漏源电阻(zu)

Ls---源极电感

LD---漏极电感

L---负载电感（外电路参数）

Ku---传输系数

K---失调(diao)电(dian)压温度(du)系数

gds---漏源(yuan)电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极(ji)中和高(gao)频功率(lv)增益

GpG---共栅(zha)极中(zhong)和高频功率增益

Gps---共源极(ji)中和(he)高频功率增(zeng)益

Gp---功率(lv)增益

gfs---正(zheng)向(xiang)跨导

Ipr---电流脉冲峰(feng)值（外(wai)电路参数(shu)）

Iu---衬底电(dian)流(liu)

IDSS2---对(dui)管第二管漏(lou)源(yuan)饱满电流

IDSS1---对管第一管漏(lou)源饱满(man)电(dian)流

IGSS---漏极(ji)短路(lu)时截止栅(zha)电流

IF---二极管正向电流

IGP---栅(zha)极峰值电流

IGM---栅极脉冲电流(liu)

IGSO---漏极开(kai)路时，截止(zhi)栅电流

IGDO---源(yuan)极(ji)开(kai)路时，截止栅电流

IGR---反向(xiang)栅电流

IGF---正向栅电流

IG---栅极(ji)电流(liu)（直(zhi)流(liu)）

IDS(sat)---沟道(dao)饱满电流（漏源饱满电流）

IDSS---栅-源短路时，漏极电(dian)流(liu)

IDSM---最大漏源电流(liu)

IDS---漏(lou)源电(dian)流

IDQ---静态(tai)漏极电流（射频功率管）

ID(on)---通态漏极电流

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参(can)数(shu)）

Eas:单(dan)次脉冲雪崩击穿能量

Ear:重复雪(xue)崩击(ji)穿能(neng)量

Iar:雪崩电流

Ton:正导游通时刻(ke).(根本能够忽略(lve)不计).

Qrr :反(fan)向恢(hui)复充电(dian)电(dian)量.

Trr :反向恢复(fu)时刻.

VSD :正导游通压(ya)降.

ISM:脉冲最大续(xu)流电流(从源极(ji)).

IS :接连最大续流(liu)电流(liu)(从源极).

EAR:重(zhong)复雪(xue)崩击穿能量.

IAR :雪崩电(dian)流.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量(liang).这是个极限(xian)参数,阐(chan)明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量(liang).

mos管作用

MOS管(guan)主驱动电(dian)(dian)路的(de)(de)输出端与MOS管(guan)的(de)(de)栅极电(dian)(dian)衔接，输入端接单(dan)片机脉宽调制(zhi)输入信号。 以运放(fang)的(de)(de)输出作(zuo)为OCL的(de)(de)输入，到达克制(zhi)零点漂移(yi)的(de)(de)作(zuo)用(yong)。

mos管电路

MOS管驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)，驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)包含MOS管主(zhu)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)和(he)欠(qian)压(ya)(ya)维(wei)护电(dian)路(lu)(lu)(lu)。欠(qian)压(ya)(ya)维(wei)护电(dian)路(lu)(lu)(lu)衔接在MOS管主(zhu)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)输(shu)(shu)入端(duan)，包含对比(bi)(bi)器(qi)、电(dian)阻(zu)R1、R2和(he)稳压(ya)(ya)二极(ji)管D2；电(dian)阻(zu)R2和(he)对比(bi)(bi)器(qi)的(de)输(shu)(shu)入端(duan)并联(lian)(lian)再(zai)与电(dian)阻(zu)R1串联(lian)(lian)在MOS管主(zhu)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)源和(he)电(dian)源地之间；对比(bi)(bi)器(qi)的(de)输(shu)(shu)出端(duan)串联(lian)(lian)稳压(ya)(ya)二极(ji)管D2。本实用(yong)新型的(de)欠(qian)压(ya)(ya)维(wei)护电(dian)路(lu)(lu)(lu)将驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)源电(dian)压(ya)(ya)经(jing)电(dian)阻(zu)分(fen)压(ya)(ya)后的(de)电(dian)压(ya)(ya)与设定(ding)的(de)基准电(dian)压(ya)(ya)对比(bi)(bi)，假(jia)如(ru)低(di)(di)于基准电(dian)压(ya)(ya)，欠(qian)压(ya)(ya)维(wei)护驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)当即堵截MOS管驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)路(lu)(lu)(lu)，有用(yong)避免MOS管进入线性区所形(xing)成的(de)功率器(qi)材功率低(di)(di)及易损坏等不(bu)良后果。

mos开关

开关损耗与功(gong)率(lv)(lv)(lv)MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)cgd和(he)(he)cgs以(yi)及芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)驱动(dong)能力和(he)(he)工(gong)(gong)作频率(lv)(lv)(lv)有(you)关，所(suo)以(yi)要(yao)解决功(gong)率(lv)(lv)(lv)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)发烧可以(yi)从以(yi)下几个方面(mian)(mian)解决：A、不能片(pian)面(mian)(mian)根据导通电阻大小(xiao)来选择MOS功(gong)率(lv)(lv)(lv)管(guan)(guan)(guan)，由于(yu)内阻越(yue)(yue)小(xiao)，cgs和(he)(he)cgd电容越(yue)(yue)大。如(ru)(ru)1N60的(de)(de)(de)(de)cgs为(wei)250pF左(zuo)(zuo)右，2N60的(de)(de)(de)(de)cgs为(wei)350pF左(zuo)(zuo)右，5N60的(de)(de)(de)(de)cgs为(wei)1200pF左(zuo)(zuo)右，差别太(tai)大了(le)，选择功(gong)率(lv)(lv)(lv)管(guan)(guan)(guan)时，够用就可以(yi)了(le)。对于(yu)前者，留(liu)意(yi)不要(yao)将负载(zai)电压设置的(de)(de)(de)(de)太(tai)高(gao)，固然(ran)负载(zai)电压高(gao)，效率(lv)(lv)(lv)会(hui)(hui)高(gao)点。如(ru)(ru)果芯片(pian)消耗的(de)(de)(de)(de)电流为(wei)2mA，300V的(de)(de)(de)(de)电压加在(zai)(zai)芯片(pian)上面(mian)(mian)，芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)功(gong)耗为(wei)0.6W，当然(ran)会(hui)(hui)引起芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)发烧。有(you)的(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)程师没(mei)(mei)有(you)留(liu)意(yi)到这(zhei)个现象(xiang)，直接(jie)调节(jie)sense电阻或(huo)者工(gong)(gong)作频率(lv)(lv)(lv)达到需要(yao)的(de)(de)(de)(de)电流，这(zhei)样做可能会(hui)(hui)严峻影响LED的(de)(de)(de)(de)使用寿命。在(zai)(zai)均匀(yun)电流不变的(de)(de)(de)(de)条件下，只能看着光衰了(le)。不管(guan)(guan)(guan)如(ru)(ru)何(he)降频没(mei)(mei)有(you)好处，只有(you)坏处，所(suo)以(yi)一定(ding)要(yao)解决。

mos管电路特征

1:用低(di)端电压和PWM驱动高(gao)端MOS管。

2:用小幅度的PWM信(xin)号驱动高gate电压(ya)需要(yao)的MOS管。

3:gate电压的(de)峰值束缚

4:输入(ru)和(he)输出的电流束缚

5:通过运(yun)用适合(he)的(de)(de)电阻，可以(yi)抵达很低的(de)(de)功耗。

6:PWM信(xin)号(hao)反相。NMOS并(bing)不需(xu)要(yao)这个(ge)特性(xing)，可(ke)以通(tong)过前置一个(ge)反相器(qi)来(lai)处理。

联系方(fang)式：邹先生

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