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如何取舍(she)好(hao)MOS管

第(di)一步是决议采(cai)纳N沟道还是P沟道MOS管(guan)。正(zheng)在垂范的(de)功率(lv)使用中，当一度MOS管(guan)接(jie)地(di)，而负载联接(jie)到支线电压上时(shi)，该MOS管(guan)就构

成了(le)高压(ya)侧(ce)电门(men)(men)。正(zheng)在(zai)高压(ya)侧(ce)电门(men)(men)中，应采纳N沟道MOS管，这是出于对于开放或者(zhe)导通机件所需电压(ya)的(de)思忖。当MOS管联接到总线(xian)及(ji)负载接地时，就要用低压(ya)侧(ce)开

关。一(yi)般会正(zheng)在某个拓扑(pu)中采纳(na)P沟道MOS管，这(zhei)也是出于对于电压驱动(dong)的思(si)忖。

肯(ken)定所需的额(e)外电(dian)(dian)压，或(huo)者许机件所能接受的最(zui)大电(dian)(dian)压。额(e)外电(dian)(dian)压越大，机件

的利润就(jiu)越高。依(yi)据(ju)理论(lun)经历，额(e)外电(dian)压(ya)该当大于(yu)支线电(dian)压(ya)或者总线电(dian)压(ya)。那样能力需要剩余(yu)的掩护，使(shi)MOS管(guan)没有会生效。就(jiu)取(qu)舍(she)MOS管(guan)而言，必需肯定漏极(ji)至(zhi)源

极(ji)间能够(gou)接受的(de)(de)最(zui)大电压(ya)，即最(zui)大VDS。晓得MOS管(guan)能接受的(de)(de)最(zui)大电压(ya)会随量(liang)度而变迁这点非常主要。咱(zan)们须正(zheng)在整个(ge)任务量(liang)度范畴内测试电压(ya)的(de)(de)变迁范畴。额外(wai)

电压必需(xu)有(you)(you)(you)剩余的余量遮盖某个变(bian)迁范畴，确保通路没(mei)有(you)(you)(you)会生效。需(xu)求(qiu)思忖的其(qi)余保险要素囊括由电门电子设(she)施（如发电机或(huo)者变(bian)压器(qi)）诱发的电压瞬变(bian)。没(mei)有(you)(you)(you)同使用(yong)的额(e)外

电(dian)压也有所没有同；一般，便携(xie)式设施为20V、FPGA电(dian)源为20～30V、85～220VAC使(shi)用为450～600V。KIA半超导体(ti)设想的(de)MOS管耐压威力(li)强(qiang)，使(shi)用畛域(yu)广，深受(shou)辽阔存户青眼。

二：肯定MOS管的(de)额(e)外直流电

该(gai)额外(wai)直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)应是负载正在一切状况(kuang)下可以接(jie)(jie)受的最(zui)大直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)。与电(dian)(dian)压的状况(kuang)类似，确保(bao)所(suo)选的MOS管(guan)能(neng)接(jie)(jie)受某个(ge)额外(wai)直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)，即便正在零碎发生尖(jian)峰直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)时(shi)。两个(ge)思忖的直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)状况(kuang)是陆续形(xing)式和脉冲尖(jian)峰。正在陆续导通形(xing)式下，MOS管(guan)在于稳态(tai)，这时(shi)直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)陆续经过(guo)机(ji)件(jian)。脉冲尖(jian)峰是指(zhi)有少量电(dian)(dian)涌（或者尖(jian)峰电(dian)(dian)流(liu)）流(liu)过(guo)机(ji)件(jian)。一旦肯定了(le)该(gai)署环境下的最(zui)大直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)，只要间接(jie)(jie)取舍能(neng)接(jie)(jie)受某个(ge)最(zui)大直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)的机(ji)件(jian)便可。

选(xuan)好额(e)外直流(liu)电(dian)(dian)后，还必需打算(suan)导(dao)通消(xiao)(xiao)耗(hao)。正在(zai)实践状(zhuang)况下(xia)，MOS管(guan)并没有是现实的(de)(de)机(ji)件(jian)，由于正在(zai)导(dao)热进程中会(hui)有动能消(xiao)(xiao)耗(hao)，这称(cheng)之为导(dao)通消(xiao)(xiao)耗(hao)。MOS管(guan)正在(zai)“导(dao)通”时就(jiu)像一度可(ke)变(bian)(bian)电(dian)(dian)阻，由机(ji)件(jian)的(de)(de)RDS（ON）所(suo)确定，并随(sui)量度而(er)显(xian)着变(bian)(bian)迁(qian)。机(ji)件(jian)的(de)(de)功率耗(hao)损可(ke)由Iload2×RDS（ON）打算(suan)，因(yin)为导(dao)回电(dian)(dian)阻随(sui)量度变(bian)(bian)迁(qian)，因(yin)而(er)功率耗(hao)损也(ye)会(hui)随(sui)之按对比变(bian)(bian)迁(qian)。对于MOS管(guan)施加的(de)(de)电(dian)(dian)压VGS越(yue)高(gao)，RDS（ON）就(jiu)会(hui)越(yue)小；反(fan)之RDS（ON）就(jiu)会(hui)越(yue)高(gao)。留意RDS（ON）电(dian)(dian)阻会(hui)随(sui)着直流(liu)电(dian)(dian)细微下(xia)降。对于于RDS（ON）电(dian)(dian)阻的(de)(de)各族电(dian)(dian)

气参数变迁可(ke)正在打造商需要的技能材料表中查到。

三：取舍MOS管(guan)的(de)下一步是零碎(sui)的(de)散热(re)请(qing)求

须思忖(cun)两种(zhong)没(mei)有同(tong)的(de)(de)状(zhuang)况(kuang)，即最(zui)坏状(zhuang)况(kuang)和(he)实正(zheng)在(zai)状(zhuang)况(kuang)。提议采纳对准(zhun)于最(zui)坏状(zhuang)况(kuang)的(de)(de)打算后(hou)果(guo)，由于某(mou)个后(hou)果(guo)需(xu)要更大(da)的(de)(de)保险(xian)余量(liang)(liang)，能(neng)确保零(ling)碎没(mei)有会生效。正(zheng)在(zai)MOS管的(de)(de)材料(liao)表上再有一些需(xu)求(qiu)留意的(de)(de)丈量(liang)(liang)数据；机件(jian)的(de)(de)结温等于最(zui)大(da)条件(jian)量(liang)(liang)度(du)加(jia)上热(re)阻与功(gong)(gong)率耗散(san)的(de)(de)乘积（结温=最(zui)大(da)条件(jian)量(liang)(liang)度(du)+［热(re)阻×功(gong)(gong)率耗散(san)］）。依据某(mou)个式子可解出(chu)零(ling)碎的(de)(de)最(zui)大(da)功(gong)(gong)率耗散(san)，即按界说相同(tong)于I2×RDS（ON）。咱们已将要经(jing)过机件(jian)的(de)(de)最(zui)大(da)直流电，能(neng)够打算出(chu)没(mei)有同(tong)量(liang)(liang)度(du)下的(de)(de)RDS（ON）。此(ci)外，还要办(ban)好通路板

及其(qi)MOS管(guan)的散热。

山(shan)崩击穿是指半超导体(ti)机件(jian)上的(de)反向(xiang)电(dian)压超越最大值，并构(gou)成强磁(ci)场使机件(jian)内(nei)直(zhi)流电(dian)增多(duo)。晶(jing)片分(fen)寸的(de)增多(duo)会进(jin)步(bu)防风崩威力，最终进(jin)步(bu)机件(jian)的(de)稳(wen)重性。因而取舍(she)更大的(de)封(feng)装(zhuang)件(jian)能够无效预防山(shan)崩。

四：取(qu)舍MOS管的最初一步是决议MOS管的电门功能

反应(ying)电(dian)(dian)(dian)门(men)功(gong)能的(de)(de)(de)(de)(de)参数有很(hen)多，但(dan)最主(zhu)要的(de)(de)(de)(de)(de)是电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)/漏极(ji)(ji)、电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)/源(yuan)极(ji)(ji)及漏极(ji)(ji)/源(yuan)极(ji)(ji)库(ku)容(rong)。该署库(ku)容(rong)会正(zheng)在(zai)机件(jian)中(zhong)发生电(dian)(dian)(dian)门(men)消耗(hao)，由于(yu)正(zheng)在(zai)历次(ci)电(dian)(dian)(dian)门(men)时都要对于(yu)它们充气(qi)。MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)门(men)进度因而(er)被升高，机件(jian)频率也降落。为打算电(dian)(dian)(dian)门(men)过程中(zhong)机件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)总消耗(hao)，要打算开(kai)经过程中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)消耗(hao)（Eon）和开(kai)放进程中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)消耗(hao)（Eoff）。MOSFET电(dian)(dian)(dian)门(men)的(de)(de)(de)(de)(de)总功(gong)率可(ke)用如次(ci)方(fang)程抒发：Psw=（Eon+Eoff）×电(dian)(dian)(dian)门(men)频次(ci)。而(er)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)点电(dian)(dian)(dian)荷（Qgd）对于(yu)电(dian)(dian)(dian)门(men)功(gong)能的(de)(de)(de)(de)(de)反应(ying)最大(da)。

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