KNG3303C场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)漏(lou)源击(ji)(ji)穿电压30V，漏(lou)极(ji)(ji)电流90A，极(ji)(ji)低(di)导(dao)通电阻(zu)RDS(开启(qi)) 2.6mΩ...KNG3303C场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)漏(lou)源击(ji)(ji)穿电压30V，漏(lou)极(ji)(ji)电流90A，极(ji)(ji)低(di)导(dao)通电阻(zu)RDS(开启(qi)) 2.6mΩ，减少导(dao)通损耗(hao)、提高效(xiao)率；低(di)Crss、开关速度快，高效(xiao)稳定；100%经雪(xue)崩测试(shi)、改(gai)进的...
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组(zu)成缓冲(chong)器，和开关(guan)(guan)(guan)(guan)MOS管(guan)并接，使(shi)开关(guan)(guan)(guan)(guan)管(guan)电压(ya)应力(li)减...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组(zu)成缓冲(chong)器，和开关(guan)(guan)(guan)(guan)MOS管(guan)并接，使(shi)开关(guan)(guan)(guan)(guan)管(guan)电压(ya)应力(li)减少(shao)，EMI减少(shao)，不(bu)发生二(er)次(ci)击穿。在开关(guan)(guan)(guan)(guan)管(guan)Q1关(guan)(guan)(guan)(guan)断时(shi)，变压(ya)器的原边(bian)线圈易(yi)产生尖峰(feng)电压(ya)和...
在(zai)输(shu)入控(kong)制(zhi)(zhi)回路(lu)中(zhong)，电(dian)(dian)阻(zu)(zu)R1串接(jie)在(zai)IC1光(guang)电(dian)(dian)耦(ou)(ou)合(he)器(qi)输(shu)入端对(dui)其发(fa)光(guang)管(guan)进(jin)(jin)行限流保(bao)护，...在(zai)输(shu)入控(kong)制(zhi)(zhi)回路(lu)中(zhong)，电(dian)(dian)阻(zu)(zu)R1串接(jie)在(zai)IC1光(guang)电(dian)(dian)耦(ou)(ou)合(he)器(qi)输(shu)入端对(dui)其发(fa)光(guang)管(guan)进(jin)(jin)行限流保(bao)护，发(fa)光(guang)管(guan)LED对(dui)输(shu)入控(kong)制(zhi)(zhi)信号(hao)给予指示，VD1对(dui)输(shu)入端的反偏电(dian)(dian)压进(jin)(jin)行保(bao)护。当控(kong)制(zhi)(zhi)端无信号(hao)...
KCP2915B场(chang)效应管(guan)漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电(dian)压150V，漏(lou)极(ji)电(dian)流130A，采用(yong)先进(jin)的(de)SGT、沟槽(cao)(cao)MOS技(ji)术...KCP2915B场(chang)效应管(guan)漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电(dian)压150V，漏(lou)极(ji)电(dian)流130A，采用(yong)先进(jin)的(de)SGT、沟槽(cao)(cao)MOS技(ji)术设计，高效率低损耗；极(ji)低导通电(dian)阻RDS(on) 7.3mΩ，低栅极(ji)电(dian)荷，可(ke)最大限度地减少导...
输(shu)入信(xin)(xin)号(hao)(hao)处理(li)：电机控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)接收来(lai)自外(wai)部(bu)的控(kong)(kong)制(zhi)信(xin)(xin)号(hao)(hao)，如模拟(ni)信(xin)(xin)号(hao)(hao)、数字信(xin)(xin)号(hao)(hao)等。这...输(shu)入信(xin)(xin)号(hao)(hao)处理(li)：电机控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)接收来(lai)自外(wai)部(bu)的控(kong)(kong)制(zhi)信(xin)(xin)号(hao)(hao)，如模拟(ni)信(xin)(xin)号(hao)(hao)、数字信(xin)(xin)号(hao)(hao)等。这些信(xin)(xin)号(hao)(hao)经过处理(li)后，用于控(kong)(kong)制(zhi)电机的运行(xing)状态。 微(wei)处理(li)器(qi)(qi)控(kong)(kong)制(zhi)：微(wei)处理(li)器(qi)(qi)是(shi)电机控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)...
MOSFET的(de)阈(yu)值(zhi)(zhi)电压Vgs（th)具有负温(wen)度(du)(du)(du)系数，这(zhei)意味(wei)着(zhe)(zhe)随(sui)着(zhe)(zhe)温(wen)度(du)(du)(du)的(de)升高(gao)(gao)，阈(yu)值(zhi)(zhi)电压会(hui)...MOSFET的(de)阈(yu)值(zhi)(zhi)电压Vgs（th)具有负温(wen)度(du)(du)(du)系数，这(zhei)意味(wei)着(zhe)(zhe)随(sui)着(zhe)(zhe)温(wen)度(du)(du)(du)的(de)升高(gao)(gao)，阈(yu)值(zhi)(zhi)电压会(hui)降低(di)。这(zhei)是(shi)因为温(wen)度(du)(du)(du)升高(gao)(gao)会(hui)导致(zhi)半导体材料中(zhong)的(de)载流(liu)子(zi)浓度(du)(du)(du)增加，使得沟道中(zhong)的(de)载流(liu)子(zi)更...
