利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

MOSFET驱动方式：

驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。
而(er)这(zhei)种(zhong)方(fang)式可以(yi)产生足(zu)够高(gao)的(de)(de)栅(zha)压使器(qi)件充(chong)分(fen)导通,并保(bao)证较高(gao)的(de)(de)关(guan)(guan)断速(su)度。由于外接负载(zai)电阻RL须有一定大小,以(yi)限制(zhi)TTL的(de)(de)低(di)电平输出晶体管的(de)(de)功(gong)率耗(hao)散,因而(er)这(zhei)种(zhong)驱(qu)动(dong)方(fang)式的(de)(de)开(kai)通速(su)度不(bu)够高(gao)。不(bu)过,对感性(xing)负载(zai)的(de)(de)开(kai)关(guan)(guan)电路来说(shuo),出于对动(dong)态损耗(hao)的(de)(de)考虑,关(guan)(guan)断速(su)度的(de)(de)重(zhong)要性(xing)就是要强一些。

MOSFET注意要点：

驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)有关问题MOSFET管工作在高(gao)频时,为了(le)防止振荡(dang),有两点必(bi)须注意:第一,尽(jin)可能减少MOSFET各(ge)端点的(de)(de)(de)(de)(de)连接线(xian)(xian)长(zhang)度,特别(bie)是(shi)栅(zha)极引线(xian)(xian),如果(guo)无法使引线(xian)(xian)缩短,则可按图(tu)1所(suo)示,靠(kao)近(jin)栅(zha)极处串(chuan)联一个(ge)小电(dian)阻(zu)(zu)以(yi)便控制寄生振荡(dang);第二,由于(yu)MOSFET的(de)(de)(de)(de)(de)输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗(kang)高(gao),驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)(zu)抗(kang)必(bi)须比(bi)较低(di),以(yi)避免正反馈(kui)所(suo)引起的(de)(de)(de)(de)(de)振荡(dang),特别(bie)是(shi)MOSFET的(de)(de)(de)(de)(de)直流(liu)输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗(kang)非常(chang)高(gao),但它(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)交流(liu)输(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗(kang)是(shi)随频率(lv)而改变(bian)的(de)(de)(de)(de)(de),因此MOSFET的(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)波形(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)上升和(he)下降时间(jian)与驱(qu)动(dong)(dong)脉冲发生器阻(zu)(zu)抗(kang)有关。另(ling)外(wai),MOSFET的(de)(de)(de)(de)(de)栅(zha)—源(yuan)极间(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)硅氧(yang)化层(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)耐(nai)压。

联系方(fang)式：邹先(xian)生

联系(xi)电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址(zhi)：深圳市福田区车公庙天(tian)安数码城天(tian)吉(ji)大厦CD座5C1

关注KIA半(ban)导体工(gong)程专辑请(qing)搜微信号:“KIA半(ban)导体”或点(dian)击(ji)本文下(xia)方图片扫一(yi)扫进入官方微信“关注”

长(zhang)按二维码识别(bie)关注(zhu)