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：场效应管由多数载流子参与导电,称为单极型晶体管.它也属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高（108~109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.它有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应管可应用于放大。由于放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器，很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，可以常用于多级放大器的输入级作阻抗变换，允许方便地用作恒流源、允许用作可变电阻、允许用作电子开关。

的(de)管(guan)脚识(shi)别：

场效应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)相(xiang)当于(yu)晶体(ti)管(guan)的(de)(de)(de)(de)基极(ji)(ji)，源(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏极(ji)(ji)分别(bie)对应(ying)于(yu)晶体(ti)管(guan)的(de)(de)(de)(de)发(fa)射极(ji)(ji)和(he)集电(dian)极(ji)(ji)。将(jiang)万用表(biao)置于(yu)R×1k档，用两(liang)表(biao)笔分别(bie)测量每两(liang)个(ge)(ge)管(guan)脚间的(de)(de)(de)(de)正(zheng)、反向电(dian)阻。当某(mou)两(liang)个(ge)(ge)管(guan)脚间的(de)(de)(de)(de)正(zheng)、反向电(dian)阻相(xiang)等，均为数KΩ时，则这两(liang)个(ge)(ge)管(guan)脚为漏极(ji)(ji)D和(he)源(yuan)极(ji)(ji)S（可(ke)互(hu)换），余下的(de)(de)(de)(de)一(yi)个(ge)(ge)管(guan)脚即(ji)为栅极(ji)(ji)G。对于(yu)有(you)4个(ge)(ge)管(guan)脚的(de)(de)(de)(de)结(jie)型，另外一(yi)极(ji)(ji)是屏蔽极(ji)(ji)（使(shi)用中接地）。

用一句话说，就是"漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)间(jian)走过沟道(dao)的(de)(de)(de)ID,用以电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与沟道(dao)间(jian)的(de)(de)(de)pn构(gou)造(zao)成的(de)(de)(de)反偏偏的(de)(de)(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)压掌握(wo)ID".更准确地说，ID走过电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)幅(fu)度，即沟道(dao)截面积(ji)，它是由(you)pn结反偏偏的(de)(de)(de)变(bian)迁(qian)，发生耗尽层(ceng)扩大(da)变(bian)迁(qian)掌握(wo)的(de)(de)(de)来由(you)。正在VGS=0的(de)(de)(de)非饱满海域，示意的(de)(de)(de)过渡(du)层(ceng)的(de)(de)(de)扩大(da)由(you)于没(mei)有(you)很(hen)大(da)，依据漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)间(jian)所加VDS的(de)(de)(de)磁场，源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)海域的(de)(de)(de)某些电(dian)(dian)子被漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)拉(la)去，即从(cong)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)向源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)有(you)直流(liu)电(dian)(dian)ID活动。从(cong)门极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)向漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)扩大(da)的(de)(de)(de)适度层(ceng)将(jiang)沟道(dao)的(de)(de)(de)一全体(ti)形成阻塞型，ID饱满。将(jiang)这种形态(tai)称为夹(jia)断(duan)(duan)。这象征着(zhe)过渡(du)层(ceng)将(jiang)沟道(dao)的(de)(de)(de)一全体(ti)阻挠，并没(mei)有(you)是直流(liu)电(dian)(dian)被切(qie)断(duan)(duan)。

正(zheng)在过(guo)(guo)(guo)渡(du)层(ceng)(ceng)因为(wei)没(mei)有电(dian)子、空穴的(de)自(zi)正(zheng)在挪动(dong)，正(zheng)在现实形态下简(jian)直存正(zheng)在绝(jue)缘特点，一般(ban)直流电(dian)也难活(huo)动(dong)。然而(er)这时漏极-源极间的(de)磁(ci)场，实践上是两个过(guo)(guo)(guo)渡(du)层(ceng)(ceng)接触漏极与门(men)极下部(bu)左近，因为(wei)漂(piao)(piao)移(yi)磁(ci)场拉去(qu)的(de)高速电(dian)子经过(guo)(guo)(guo)过(guo)(guo)(guo)渡(du)层(ceng)(ceng)。因漂(piao)(piao)移(yi)磁(ci)场的(de)强度简(jian)直没(mei)有变(bian)发生(sheng)ID的(de)饱(bao)满景象(xiang)。其次，VGS向负的(de)位置(zhi)变(bian)迁，让VGS=VGS（off），这时过(guo)(guo)(guo)渡(du)层(ceng)(ceng)大(da)体变(bian)化(hua)遮(zhe)盖全海域(yu)的(de)形态。并(bing)且VDS的(de)磁(ci)场大(da)全体加到(dao)过(guo)(guo)(guo)渡(du)层(ceng)(ceng)上，将电(dian)子拉向漂(piao)(piao)移(yi)位置(zhi)的(de)磁(ci)场，只要(yao)接近源极的(de)很短全体，这更使直流电(dian)没(mei)有能呆滞。

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