10n60 9.5A/600V场效应管(guan)参数(shu)PDF中(zhong)文资料-半(ban)导体原厂-KIA MOS管(guan)
信息来源：本(ben)站 日期：2018-10-11
利盈娱乐设计了KIA10N60H N沟(gou)道增(zeng)强(qiang)型硅栅功率(lv)MOSFET适用于高电压、高速度的(de)功率(lv)开(kai)关应用，如高效率(lv)的(de)开(kai)关电源(yuan)。电源(yuan)，有源(yuan)功率(lv)因(yin)数校正(zheng)，电子(zi)镇流器(qi)基(ji)于半(ban)桥式，以消光。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低门电荷（典型的(de)44nC）
3、快速交(jiao)换能力(li)
4、雪(xue)崩能量指定值
5、改进的(de)dv/dt能力
产品型号(hao)：KIA10N60H
工作(zuo)方式：9.5A/600V
漏源极电压：600V
栅(zha)源电压：±30V
漏电(dian)流脉冲：38.0*A
结(jie)温：+150℃
贮存温度(du)：-55℃至150℃
以下为KIA10N60H产品(pin)PDF格式的产品(pin)详(xiang)细资(zi)料，查看详(xiang)情请点击下图。
联(lian)系方式：邹先生
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