mos管(guan)(guan)器(qi)件与(yu)应用-mos管(guan)(guan)器(qi)件的结构、符号等(deng)及mos管(guan)(guan)具(ju)体应用方案-KIA MOS管(guan)(guan)
信(xin)息来源：本站 日(ri)期：2018-10-13
MOS场(chang)(chang)效应管(guan)(guan)也(ye)被称为(wei)MOSFET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属(shu)氧化物半导体场(chang)(chang)效应管(guan)(guan))的(de)缩写(xie)。它一(yi)(yi)般(ban)有(you)耗(hao)尽型(xing)和增强型(xing)两种我(wo)们知道一(yi)(yi)般(ban)三极管(guan)(guan)是由输入(ru)的(de)电(dian)(dian)流(liu)控制输出的(de)电(dian)(dian)流(liu)。但(dan)对于场(chang)(chang)效应管(guan)(guan)，其输出电(dian)(dian)流(liu)是由输入(ru)的(de)电(dian)(dian)压(ya)(或称场(chang)(chang)电(dian)(dian)压(ya))控制，可以认为(wei)输入(ru)电(dian)(dian)流(liu)极小或没(mei)有(you)输入(ru)电(dian)(dian)流(liu)，这(zhei)使得该器件有(you)很高的(de)输入(ru)阻(zu)抗(kang)，同时这(zhei)也(ye)是我(wo)们称之为(wei)场(chang)(chang)效应管(guan)(guan)的(de)原因。
MOS晶体管(guan)(guan)的符号(hao)(hao)示于(yu)图(tu)1.3。（KIA）MOS晶体管(guan)(guan)是四端(duan)器件：源(yuan)极(ji)(S)、栅极(ji)(G)、漏(lou)极(ji)(D)，以及基底端(duan)(B)。基底端(duan)在(zai)(zai)NMOS晶体管(guan)(guan)中通(tong)常衔接电(dian)(dian)路的负端(duan)电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)Vss，在(zai)(zai)PMOS晶体管(guan)(guan)中衔接电(dian)(dian)路的正端(duan)电(dian)(dian)源(yuan)电(dian)(dian)压(ya)VDD。电(dian)(dian)路图(tu)中通(tong)常省略基底端(duan)(B)而采(cai)用图(tu)1.4所示的符号(hao)(hao)。两(liang)者(zhe)的关系(xi)如图(tu)1.5所示。
图1.6是(shi)NMOS晶体管的构(gou)造表示图。P型硅(gui)衬底上(shang)构(gou)成两(liang)个n+区(qu)域，一个是(shi)源(yuan)区(qu)，另一个是(shi)漏区(qu)。栅极是(shi)由掺入高浓度杂(za)质的低电阻多晶硅(gui)(poly-crystal-linc silicon)构(gou)成。
在栅(zha)极与(yu)硅(gui)衬底间(jian)构成一层氧化膜(mo)( Si02)，叫做栅(zha)氧化膜(mo)。P型硅(gui)衬底也(ye)叫做基(ji)板。
NMOS的基底(di)衔接VSS负端电(dian)源电(dian)压。例如，在正的电(dian)源电(dian)压VDD为(wei)3V，负的电(dian)源电(dian)压VSS为(wei)OV的电(dian)路中工作(zuo)时(shi)，基底(di)衔接OV（图(tu)1.7）。
画电(dian)路图时，NMOS晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)是漏极(ji)(ji)(ji)(ji)在上(shang)、源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)在下，而PMOS晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)是源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)在上(shang)、漏极(ji)(ji)(ji)(ji)在下。图1.8示出(chu)电(dian)流活动的方向和电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)间的电(dian)压。栅极(ji)(ji)(ji)(ji)—源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)间电(dian)压用(yong)(yong)VGS(PMOS晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)中(zhong)用(yong)(yong)VSG)表(biao)示，漏极(ji)(ji)(ji)(ji)—源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)间电(dian)压用(yong)(yong)VDS（PMOS晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)中(zhong)VSD）表(biao)示。
MOS管是(shi)金属(metal)—氧化物(oxid)—半(ban)导体(ti)(ti)(semiconductor)场效应晶体(ti)(ti)管，或者称是(shi)金属—绝缘体(ti)(ti)(insulator)—半(ban)导体(ti)(ti)。MOS管的source和drain是(shi)可以(yi)对调(diao)的，他们都是(shi)在P型(xing)backgate中形(xing)成的N型(xing)区。在多数情(qing)况下(xia)，这个两个区是(shi)一样的，即使两端对调(diao)也不会(hui)影响器件(jian)的性能(neng)。这样的器件(jian)被认(ren)为是(shi)对称的。
（一）MOS管(guan)的使用优势
MOS管是电(dian)压控制元(yuan)件，而(er)晶体管是电(dian)流(liu)控制元(yuan)件。在只允(yun)许从信号(hao)源取(qu)较(jiao)少电(dian)流(liu)的情况(kuang)下，应选用(yong)MOS管；而(er)在信号(hao)电(dian)压较(jiao)低，又允(yun)许从信号(hao)源取(qu)较(jiao)多电(dian)流(liu)的条件下，应选用(yong)晶体管。
MOS管(guan)(guan)是利(li)用多(duo)数载(zai)流子导(dao)电(dian)，所(suo)以称之(zhi)为(wei)单(dan)极(ji)(ji)型器件，而(er)晶体(ti)管(guan)(guan)是即有(you)(you)多(duo)数载(zai)流子，也利(li)用少数载(zai)流子导(dao)电(dian)，被称之(zhi)为(wei)双极(ji)(ji)型器件。有(you)(you)些MOS管(guan)(guan)的源极(ji)(ji)和(he)漏极(ji)(ji)可(ke)以互换使用，栅压(ya)也可(ke)正可(ke)负(fu)，灵活性比晶体(ti)管(guan)(guan)好。MOS管(guan)(guan)能在(zai)很(hen)小电(dian)流和(he)很(hen)低电(dian)压(ya)的条件下工(gong)作，而(er)且它的制造工(gong)艺可(ke)以很(hen)方便地把很(hen)多(duo)MOS管(guan)(guan)集成(cheng)在(zai)一块硅片上，因此MOS管(guan)(guan)在(zai)大规模集成(cheng)电(dian)路(lu)中得到了广泛的应用。
（二）电路符号
常用于(yu)MOSFET的电(dian)路符(fu)号有很(hen)多种变化，最常见(jian)的设计是以(yi)一条直线(xian)(xian)代(dai)(dai)表(biao)通道(dao)(dao)，两条和(he)通道(dao)(dao)垂直的线(xian)(xian)代(dai)(dai)表(biao)源极与漏极，左方(fang)和(he)通道(dao)(dao)平行而且(qie)较短的线(xian)(xian)代(dai)(dai)表(biao)栅极，如下图所示。有时也会将代(dai)(dai)表(biao)通道(dao)(dao)的直线(xian)(xian)以(yi)破(po)折线(xian)(xian)代(dai)(dai)替(ti)，以(yi)区分增强(qiang)型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletion mode MOSFET）。
由于(yu)集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)芯片(pian)上的(de)(de)(de)(de)MOSFET为(wei)(wei)(wei)(wei)四(si)端(duan)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)，所(suo)以(yi)除了栅极(ji)、源(yuan)极(ji)、漏极(ji)外，尚有一(yi)(yi)基(ji)极(ji)（Bulk或是Body）。MOSFET电(dian)(dian)路(lu)符号中，从(cong)通(tong)(tong)道(dao)(dao)往(wang)右延伸(shen)的(de)(de)(de)(de)箭(jian)号方(fang)向(xiang)则(ze)可表示此(ci)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)为(wei)(wei)(wei)(wei)N型或是P型的(de)(de)(de)(de)MOSFET。箭(jian)头方(fang)向(xiang)永远(yuan)从(cong)P端(duan)指向(xiang)N端(duan)，所(suo)以(yi)箭(jian)头从(cong)通(tong)(tong)道(dao)(dao)指向(xiang)基(ji)极(ji)端(duan)的(de)(de)(de)(de)为(wei)(wei)(wei)(wei)P型的(de)(de)(de)(de)MOSFET，或简(jian)称(cheng)PMOS（代表此(ci)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)通(tong)(tong)道(dao)(dao)为(wei)(wei)(wei)(wei)P型）；反之若箭(jian)头从(cong)基(ji)极(ji)指向(xiang)通(tong)(tong)道(dao)(dao)，则(ze)代表基(ji)极(ji)为(wei)(wei)(wei)(wei)P型，而通(tong)(tong)道(dao)(dao)为(wei)(wei)(wei)(wei)N型，此(ci)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)为(wei)(wei)(wei)(wei)N型的(de)(de)(de)(de)MOSFET，简(jian)称(cheng)NMOS。在一(yi)(yi)般分(fen)布式MOSFET元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)（discrete device）中，通(tong)(tong)常把基(ji)极(ji)和源(yuan)极(ji)接在一(yi)(yi)起，故分(fen)布式MOSFET通(tong)(tong)常为(wei)(wei)(wei)(wei)三端(duan)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)。而在集(ji)成电(dian)(dian)路(lu)中的(de)(de)(de)(de)MOSFET通(tong)(tong)常因为(wei)(wei)(wei)(wei)使用同一(yi)(yi)个基(ji)极(ji)（common bulk），所(suo)以(yi)不标示出(chu)基(ji)极(ji)的(de)(de)(de)(de)极(ji)性，而在PMOS的(de)(de)(de)(de)栅极(ji)端(duan)多加一(yi)(yi)个圆圈以(yi)示区别。
（以(yi)N沟(gou)道(dao)增强型mos场(chang)效(xiao)应(ying)管）它是利(li)用VGS来控(kong)制“感应(ying)电(dian)荷(he)”的(de)(de)(de)多少，以(yi)改(gai)(gai)(gai)变(bian)(bian)由这(zhei)些“感应(ying)电(dian)荷(he)”形(xing)(xing)成的(de)(de)(de)导(dao)电(dian)沟(gou)道(dao)的(de)(de)(de)状况，然(ran)后达到(dao)控(kong)制漏(lou)(lou)极电(dian)流的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。在(zai)制造管子时，通过工艺使绝缘层中出(chu)现大(da)量正离(li)子，故在(zai)交界面的(de)(de)(de)另(ling)一(yi)侧能(neng)感应(ying)出(chu)较多的(de)(de)(de)负电(dian)荷(he)，这(zhei)些负电(dian)荷(he)把高渗杂质的(de)(de)(de)N区接(jie)通，形(xing)(xing)成了导(dao)电(dian)沟(gou)道(dao)，即使在(zai)VGS=0时也有(you)较大(da)的(de)(de)(de)漏(lou)(lou)极电(dian)流ID。当栅极电(dian)压改(gai)(gai)(gai)变(bian)(bian)时，沟(gou)道(dao)内被感应(ying)的(de)(de)(de)电(dian)荷(he)量也改(gai)(gai)(gai)变(bian)(bian)，导(dao)电(dian)沟(gou)道(dao)的(de)(de)(de)宽窄也随之(zhi)而(er)变(bian)(bian)，因而(er)漏(lou)(lou)极电(dian)流ID随着栅极电(dian)压的(de)(de)(de)变(bian)(bian)化(hua)而(er)变(bian)(bian)化(hua)。
影响(xiang)开(kai)(kai)关性能的(de)参(can)数有很(hen)多，但最重要(yao)(yao)的(de)是(shi)栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电(dian)容。这些电(dian)容会在器件(jian)中(zhong)产生(sheng)开(kai)(kai)关损耗(hao)，因(yin)为在每次开(kai)(kai)关时都要(yao)(yao)对它(ta)们充电(dian)。MOS管的(de)开(kai)(kai)关速(su)度因(yin)此被降低，器件(jian)效率(lv)也下降。为计(ji)算开(kai)(kai)关过(guo) 程(cheng)中(zhong)器件(jian)的(de)总(zong)损耗(hao)，要(yao)(yao)计(ji)算开(kai)(kai)通过(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)损耗(hao)（Eon）和关闭(bi)过(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)损耗(hao)（Eoff）。MOSFET开(kai)(kai)关的(de)总(zong)功率(lv)可用(yong)如下方程(cheng)表达：Psw= （Eon+Eoff）×开(kai)(kai)关频率(lv)。
而栅极电(dian)(dian)(dian)荷（Qgd）对开关性(xing)能的(de)(de)影(ying)响最(zui)大。场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)名字也来源于它的(de)(de)输入(ru)端（称为gate）通过(guo)投影(ying)一(yi)个(ge)电(dian)(dian)(dian)场(chang)在一(yi)个(ge)绝(jue)缘(yuan)(yuan)层上(shang)来影(ying)响流(liu)过(guo)晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)。事实上(shang)没有(you)电(dian)(dian)(dian)流(liu)流(liu)过(guo)这(zhei)个(ge)绝(jue)缘(yuan)(yuan)体(ti)，所(suo)以(yi)FET管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)GATE电(dian)(dian)(dian)流(liu)非常小(xiao)(xiao)。最(zui)普通的(de)(de)FET用一(yi)薄层二氧化硅来作为GATE极下的(de)(de)绝(jue)缘(yuan)(yuan)体(ti)。这(zhei)种晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)称为金属氧化物(wu)半导体(ti)（MOS）晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)，或，金属氧化物(wu)半导体(ti)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(guan)（MOSFET）。因为MOS管(guan)(guan)(guan)更(geng)小(xiao)(xiao)更(geng)省电(dian)(dian)(dian)，所(suo)以(yi)他们已经(jing)在很多(duo)应(ying)用场(chang)合取代了(le)双极型晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)。
MOS管(guan)(guan)具(ju)有(you)很低(di)(di)的(de)导(dao)通电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻，消(xiao)耗能(neng)量较(jiao)低(di)(di)，在(zai)(zai)目(mu)前(qian)流行的(de)高(gao)(gao)(gao)效DC－DC芯(xin)片中(zhong)多采用(yong)MOS管(guan)(guan)作(zuo)为功率(lv)开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)。但是(shi)由于(yu)MOS管(guan)(guan)的(de)寄(ji)生电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)大(da)(da)，一(yi)(yi)般情况下(xia)NMOS开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)管(guan)(guan)的(de)栅极电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)高(gao)(gao)(gao)达(da)(da)几十(shi)(shi)皮法。这(zhei)(zhei)对于(yu)设(she)(she)(she)计高(gao)(gao)(gao)工作(zuo)频率(lv)DC－DC转(zhuan)换(huan)(huan)器(qi)开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)管(guan)(guan)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)设(she)(she)(she)计提出了(le)(le)更高(gao)(gao)(gao)的(de)要求。在(zai)(zai)低(di)(di)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)ULSI设(she)(she)(she)计中(zhong)有(you)多种CMOS、BiCMOS采用(yong)自(zi)举(ju)升(sheng)压(ya)(ya)结(jie)构的(de)逻辑电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路和作(zuo)为大(da)(da)容(rong)性负载的(de)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路。这(zhei)(zhei)些电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路能(neng)够在(zai)(zai)低(di)(di)于(yu)1V电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)供电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)条件下(xia)正常工作(zuo)，并且能(neng)够在(zai)(zai)负载电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)1～2pF的(de)条件下(xia)工作(zuo)频率(lv)能(neng)够达(da)(da)到(dao)几十(shi)(shi)兆(zhao)甚至上(shang)百兆(zhao)赫兹。本文(wen)正是(shi)采用(yong)了(le)(le)自(zi)举(ju)升(sheng)压(ya)(ya)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路，设(she)(she)(she)计了(le)(le)一(yi)(yi)种具(ju)有(you)大(da)(da)负载电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)驱(qu)动能(neng)力的(de)，适合于(yu)低(di)(di)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)、高(gao)(gao)(gao)开(kai)(kai)(kai)关(guan)(guan)频率(lv)升(sheng)压(ya)(ya)型DC－DC转(zhuan)换(huan)(huan)器(qi)的(de)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路。电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路基于(yu)Samsung AHP615 BiCMOS工艺设(she)(she)(she)计并经(jing)过Hspice仿真(zhen)验证，在(zai)(zai)供电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)1.5V ，负载电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)为60pF时，工作(zuo)频率(lv)能(neng)够达(da)(da)到(dao)5MHz以上(shang)。
1、MOS部件出厂时(shi)一般装在(zai)黑色的导电多气孔材(cai)料袋(dai)中(zhong)，切勿自行轻易拿(na)个分子(zi)化合物塑料袋(dai)装。
2、抽(chou)取MOS管部(bu)件(jian)不(bu)可(ke)以在分子(zi)化合(he)物(wu)塑(su)料板(ban)上滑动(dong)，应(ying)用(yong)金属盘来盛放待(dai)用(yong)部(bu)件(jian)。
3、烧焊(han)用(yong)的(de)电(dian)烙铁务必令(ling)人满意(yi)接地。
4、在(zai)烧焊(han)(han)前应把(ba)电(dian)路板的电(dian)源线与地(di)线短接(jie)，待(dai)MOS部件烧焊(han)(han)完后(hou)再分开(kai)。
5、MOS部(bu)件各(ge)管脚的烧焊顺(shun)着(zhe)次(ci)序(xu)是漏极(ji)(ji)、源极(ji)(ji)、栅(zha)极(ji)(ji)。拆机时顺(shun)着(zhe)次(ci)序(xu)相反(fan)。
6、在(zai)准许(xu)的条件下，MOS场(chang)效应管的栅极最好(hao)接入(ru)尽力照顾二极管。在(zai)检查修理电路时(shi)应注意调查证明原有(you)的尽力照顾二极管是否毁坏(huai)。
7、最好是带(dai)防(fang)静电手套儿或(huo)穿上防(fang)静电的衣裳再去(qu)接触场效应(ying)管。
8、选管(guan)时，要注意实(shi)际(ji)电路中各极电流电压(ya)的数字都不可以超(chao)过规格书中的定额值。
1）雪崩失(shi)效(电(dian)(dian)压(ya)失(shi)效)，也就是我(wo)们常说的(de)(de)漏源间(jian)的(de)(de)BVdss电(dian)(dian)压(ya)超过MOSFET的(de)(de)额定电(dian)(dian)压(ya)，并且(qie)超过达到了一定的(de)(de)能力(li)从(cong)而导致MOSFET失(shi)效。
2）SOA失(shi)效(电流失(shi)效)，既(ji)超出MOSFET安全工作区引起失(shi)效，分为Id超出器(qi)件(jian)规格失(shi)效以及Id过大，损(sun)耗过高器(qi)件(jian)长时间热(re)积(ji)累而(er)导致(zhi)的失(shi)效。
3）体(ti)二极(ji)管失效：在(zai)桥式(shi)、LLC等有(you)用到体(ti)二极(ji)管进(jin)行(xing)续流的拓扑结构中，由于(yu)体(ti)二极(ji)管遭受破坏而导致的失效。
4）谐振失(shi)效(xiao)：在并联使用(yong)的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡(dang)引(yin)起的失(shi)效(xiao)。
5）静电(dian)失效(xiao)：在秋冬季节，由(you)于人体及设备(bei)静电(dian)而导致的(de)器件失效(xiao)。
6）栅(zha)极(ji)电(dian)压失效：由(you)于栅(zha)极(ji)遭受异常电(dian)压尖峰(feng)，而导致栅(zha)极(ji)栅(zha)氧层失效。
1.判断栅(zha)极G
MOS驱(qu)动器主要起(qi)波形(xing)整形(xing)和加强驱(qu)动的作用(yong):假如MOS管(guan)(guan)的G信(xin)(xin)号波形(xing)不够(gou)陡峭，在点评(ping)切(qie)换阶段会造成大量电能损(sun)耗其副作用(yong)是降(jiang)低电路转(zhuan)换效率，MOS管(guan)(guan)发烧严峻(jun)，易热损(sun)坏MOS管(guan)(guan)GS间(jian)存(cun)在一定电容，假如G信(xin)(xin)号驱(qu)动能力不够(gou)，将严峻(jun)影响波形(xing)跳变的时间(jian).
将G-S极(ji)短路，选择万用表的(de)R×1档，黑表笔(bi)接S极(ji)，红表笔(bi)接D极(ji)，阻值应为(wei)几(ji)欧至十几(ji)欧。若发现(xian)某(mou)脚与(yu)其字两(liang)脚的(de)电阻均呈无限大(da)，并且交换表笔(bi)后仍(reng)为(wei)无限大(da)，则证实此脚为(wei)G极(ji)，由于它和另外两(liang)个(ge)管脚是绝缘的(de)。
2.判断源极(ji)S、漏(lou)极(ji)D
将万(wan)用(yong)表拨(bo)至R×1k档(dang)分别丈量三个管脚之间(jian)的(de)(de)电(dian)阻(zu)。用(yong)交换表笔法测两次(ci)电(dian)阻(zu)，其(qi)中(zhong)电(dian)阻(zu)值(zhi)较(jiao)低（一般为几千欧(ou)至十几千欧(ou)）的(de)(de)一次(ci)为正(zheng)向电(dian)阻(zu)，此时黑(hei)表笔的(de)(de)是S极，红表笔接D极。因为测试前提不(bu)同，测出的(de)(de)RDS（on）值(zhi)比手册中(zhong)给出的(de)(de)典(dian)型值(zhi)要高一些。
3.丈量漏-源通态(tai)电阻(zu)RDS（on）
在源-漏之间有(you)一个PN结，因此根据(ju)PN结正、反向电阻存在差异，可(ke)识(shi)别S极与D极。例如用500型万(wan)用表R×1档实(shi)测(ce)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大(da)于0.58W（典型值）。
由(you)(you)于(yu)电动车(che)的广泛使用，而且电动车(che)普遍(bian)随便停(ting)在路边(bian)，车(che)身比较轻便，即使熄(xi)火也(ye)完全可以搬离(li)。现场(chang)抓获难。当人(ren)离(li)开车(che)后通常的喇叭报(bao)(bao)(bao)警(jing)(jing)无(wu)法及时传达到车(che)主(zhu)。警(jing)(jing)报(bao)(bao)(bao)声响(xiang)，周围的人(ren)也(ye)不太关注，现场(chang)很难抓住盗(dao)车(che)者(zhe)。被盗(dao)报(bao)(bao)(bao)案难。由(you)(you)于(yu)电动车(che)没有(you)登记(ji)信息，特征不明显不易辨识，被盗(dao)后很多(duo)人(ren)便不去报(bao)(bao)(bao)案。打击取(qu)证难。电动车(che)被盗(dao)后，嫌疑人(ren)多(duo)采(cai)取(qu)异地销赃或(huo)“化(hua)整为零”的办法，造成取(qu)证困难。因此电动车(che)防盗(dao)报(bao)(bao)(bao)警(jing)(jing)系统开始推而广之。
在电动(dong)(dong)车(che)防(fang)(fang)盗报警系(xi)统中(zhong)会用(yong)到MOS管，现在就(jiu)介绍一(yi)下本公司(si)在电动(dong)(dong)车(che)防(fang)(fang)盗报警系(xi)统使用(yong)到的MOS管，在防(fang)(fang)盗报警器(qi)中(zhong)，KIA设计(ji)生产(chan)(chan)的P沟(gou)道(dao)MOS管器(qi)件具有更(geng)高耐压，更(geng)足的余量，内阻更(geng)是同等更(geng)低(di)给(ji)产(chan)(chan)品的应用(yong)提(ti)供更(geng)稳定的保障(zhang)。
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