半(ban)导体器件超结MOSFET
信息(xi)来源：本(ben)站 日期：2017-04-17
通(tong)过(guo)调整深槽(cao)结构的宽度(du)等各种(zhong)参数，终极(ji)得到终端结的击穿(chuan)电压为740伏特(te)。
使(shi)(shi)用(yong)场板(ban)的(de)IGBT的(de)终端(duan)结(jie)构，通(tong)过调(diao)整场板(ban)的(de)长度以(yi)及(ji)氧化层厚度以(yi)进(jin)步(bu)终端(duan)结(jie)构的(de)击(ji)穿电(dian)压，最后利用(yong)TCAD软件对(dui)设(she)计(ji)的(de)终端(duan)结(jie)构进(jin)行模(mo)拟仿真优化设(she)计(ji)的(de)结(jie)果，使(shi)(shi)得该终端(duan)结(jie)构达到了(le)1200伏的(de)击(ji)穿电(dian)压。同时，采(cai)用(yong)深槽结(jie)构的(de)终端(duan)结(jie)在进(jin)步(bu)的(de)击(ji)穿电(dian)压的(de)基础上也大(da)大(da)节约了(le)芯(xin)片的(de)面积(ji)。
。基于超结概念的超结MOSFET用采用交替的高掺杂N柱和P柱代替了传统高阻(zu)的n型漂移区，打破了传统意义上击穿电压对导通电阻(zu)的强烈(lie)制衡（Ron∝
VB2.5），使(shi)(shi)两(liang)者(zhe)之间(jian)几乎呈现线性的关系，从而实现了传统MOSFET的低开(kai)关损耗以及(ji)IGBT的低通态(tai)损耗两(liang)者(zhe)的兼(jian)容。场板(ban)技术因其与(yu)IGBT工艺(yi)兼(jian)容而受到广(guang)泛使(shi)(shi)用，而且与(yu)其它结(jie)构(gou)(gou)比拟，使(shi)(shi)用场板(ban)结(jie)构(gou)(gou)较为(wei)简朴且易于控制(zhi)。带保护(hu)环的深槽(Deep
Oxide Trench，DOT)结构(gou)与场板(Field
Plate)技术相结(jie)(jie)合的设计得到匹配(pei)超结(jie)(jie)MOSFET的终端结(jie)(jie)结(jie)(jie)构(gou)，深槽中填充(chong)二氧化硅作为(wei)介质使之与硅工艺(yi)完(wan)全(quan)兼(jian)容。由于(yu)这些特(te)点，IGBT被(bei)广泛应(ying)用于(yu)大功率、高(gao)压电路中，击穿电压是IGBT的一个重要(yao)参数(shu)指标(biao)。
半(ban)导体功(gong)率器件(jian)被广泛应用于汽车电子，网络通讯等各大领域，目前最具代表性的两种功率器件即为绝缘栅MOS管场效应(ying)晶体管(IGBT)和超结(jie)MOSFET(Super-junctionMOSFET)，它们通(tong)常作为开关器件运(yun)用(yong)在(zai)功率电路(lu)中。
IGBT器件集双极型功(gong)率(lv)晶体管和功(gong)率(lv)MOSFET的(de)长(zhang)处(chu)于(yu)一(yi)体，具有(you)电(dian)压控制、输入阻抗大、驱动(dong)功(gong)率(lv)小、控制电(dian)路简朴和工作(zuo)频率(lv)高(gao)(gao)等长(zhang)处(chu)。作(zuo)为进步(bu)IGBT击穿电(dian)压的(de)有(you)效手段—高(gao)(gao)压终端(duan)结构，其研究(jiu)一(yi)直受到人们的(de)正视。
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