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通过调整深槽(cao)结(jie)构的(de)宽度等各(ge)种(zhong)参数，终极得(de)到终端结(jie)的(de)击穿(chuan)电压(ya)为740伏特。

使(shi)用(yong)(yong)场板的(de)IGBT的(de)终(zhong)端结(jie)(jie)构(gou)，通过调整场板的(de)长度(du)(du)以(yi)及氧化层厚(hou)度(du)(du)以(yi)进步终(zhong)端结(jie)(jie)构(gou)的(de)击(ji)(ji)穿电(dian)压，最后(hou)利用(yong)(yong)TCAD软件对设计(ji)的(de)终(zhong)端结(jie)(jie)构(gou)进行模(mo)拟仿真优化设计(ji)的(de)结(jie)(jie)果，使(shi)得(de)该(gai)终(zhong)端结(jie)(jie)构(gou)达到了1200伏的(de)击(ji)(ji)穿电(dian)压。同时，采用(yong)(yong)深槽结(jie)(jie)构(gou)的(de)终(zhong)端结(jie)(jie)在进步的(de)击(ji)(ji)穿电(dian)压的(de)基础(chu)上(shang)也(ye)大大节约了芯(xin)片(pian)的(de)面积。

。基于超结概念的超结(jie)MOSFET用(yong)采(cai)用(yong)交替(ti)的高掺杂N柱和P柱代替(ti)了传统(tong)高阻的n型漂移区，打破了传统(tong)意义上击(ji)穿电(dian)压对导(dao)通电(dian)阻的强烈制衡(heng)（Ron∝

VB2.5），使两者之间几乎呈现线性的(de)关系，从而实现了传(chuan)统MOSFET的(de)低(di)开(kai)关损(sun)耗以及IGBT的(de)低(di)通态损(sun)耗两者的(de)兼容。场(chang)板技术因其(qi)(qi)与IGBT工艺兼容而受到广泛使用，而且与其(qi)(qi)它结构比拟，使用场(chang)板结构较为(wei)简(jian)朴且易于控制。带保护(hu)环(huan)的(de)深槽(Deep

Oxide Trench，DOT)结构与场板(Field

Plate)技术相结合的(de)设计(ji)得(de)到匹(pi)配超结MOSFET的(de)终(zhong)端结结构，深槽中填充(chong)二氧化硅(gui)作为(wei)介质使之与(yu)硅(gui)工艺完全兼容。由于这些特点，IGBT被(bei)广泛应用于大功率、高压(ya)电路中，击穿电压(ya)是(shi)IGBT的(de)一个重要参数指标。

半导体(ti)功率器件被广泛应用于汽车电子，网络通讯等各大领域，目前最具代表性的两种功率器件即为绝缘栅MOS管场(chang)效应晶体管(IGBT)和超结MOSFET(Super-junctionMOSFET)，它(ta)们通(tong)常作为开关器件运用(yong)在(zai)功率电路中。

IGBT器(qi)件集双极型功率(lv)(lv)(lv)晶体管(guan)和功率(lv)(lv)(lv)MOSFET的(de)长(zhang)(zhang)处于一体，具有电压控(kong)制、输入阻抗(kang)大、驱动功率(lv)(lv)(lv)小、控(kong)制电路简朴和工作频(pin)率(lv)(lv)(lv)高等长(zhang)(zhang)处。作为进步IGBT击穿电压的(de)有效手段—高压终端结构，其研究一直受到人们(men)的(de)正视(shi)。

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