如(ru)何估算MOS管(guan)电压驱动
信息来源：本站 日期(qi)：2017-04-28
Crss:反(fan)Ig：MOS栅极(ji)(ji)驱(qu)动(dong)电(dian)流；Vb：稳态栅极(ji)(ji)驱(qu)动(dong)电(dian)压；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
效应时刻（开关(guan)时刻）Ton/off=Qgd/Ig；
第1种：（第1种的变形）
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中(zhong)找到）
Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下(xia)降到其幅值10%的(de)时刻
td(on)：MOS导(dao)通延迟时(shi)刻，从有(you)驶入电压上升到10%开始到VDS下(xia)降(jiang)到其幅值90%的时(shi)刻。
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
其间：
Ig=Qg/Ton
能(neng)够运(yun)用如下公式(shi)估算：
第2种:
假设两种(zhong)Vod都大于零，阐明晶体(ti)管(guan)沟(gou)道全(quan)开，也即是处于线性(xing)区。只要一种(zhong)Vod大于零，阐明晶体(ti)管(guan)沟(gou)道半(ban)开（在DS恣意一端没打(da)开有夹(jia)断），也即是处于饱满区。
Vod2=Vds-Vth；
Vod1=Vgs-Vth；
3）假(jia)设能(neng)够愈加深化了解的话，能(neng)够领会到过驱动电压不单(dan)单(dan)合用于指(zhi)代Vgs，也合用于指(zhi)代Vgd。即
2）沟道(dao)电荷多少直(zhi)接(jie)与过驱动(dong)电压二(er)次方成正比。也(ye)即(ji)是说(shuo)，能够运用过驱动(dong)电压来核(he)算(suan)饱满区的(de)电流。
1）只要在(zai)你的过(guo)驱动(dong)电(dian)压“大(da)于零”的情(qing)况下(xia)，沟道(dao)才(cai)会(hui)构成，MOS管(guan)才(cai)会(hui)作业(ye)。也(ye)即是(shi)(shi)说，能(neng)够(gou)运用过(guo)驱动(dong)电(dian)压来断定晶(jing)体管(guan)是(shi)(shi)不是(shi)(shi)导通(tong)。
MOS驱动电压Vod=Vgs-Vth。能够了解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压巨细(xi)。
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