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MOS管最显著的(de)特(te)性是开(kai)关特(te)性好，所(suo)以被广泛应用于需要电(dian)子(zi)开(kai)关的(de)电(dian)路中，常见(jian)的(de)如开(kai)关电(dian)源和马达驱动电(dian)路，也有照(zhao)明调光。

现在的MOS驱动，有几个特别(bie)的需求：

1. 低压应用

当使用5V电(dian)源，由于三极(ji)管的be只(zhi)有0.7V左右(you)的压(ya)降，导致实际(ji)最(zui)终加载gate上的电(dian)压(ya)只(zhi)有4.3V，这时候，我们选用标称(cheng)gate电(dian)压(ya)4.5V的MOS管就(jiu)存在(zai)一定(ding)的风险。同样的问题也发生在(zai)使用3V或者其他低压(ya)电(dian)源的场合。

2. 宽电压(ya)应用

输入电(dian)压(ya)并不是一(yi)个固定(ding)值，它会随着时间或者(zhe)其(qi)他(ta)因素而变(bian)动。这个变(bian)动导致PWM电(dian)路提供给MOS管的驱动电(dian)压(ya)是不稳定(ding)的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管厂家内置稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管(guan)的电压，就会引起较大的静态功耗(hao)。

同时，如果(guo)简单的用电阻分压(ya)的原理降低gate电压(ya)，就(jiu)会出现输入电压(ya)比(bi)较(jiao)高的时候(hou)，MOS管工(gong)作(zuo)良(liang)好，而输入电压(ya)降低的时候(hou)gate电压(ya)不足(zu)，引起导通不够(gou)彻(che)底，从而增加功耗。

3. 双电压应用

在一些控制电路中(zhong)，逻辑(ji)部分(fen)使(shi)用(yong)(yong)典型(xing)的5V或3.3V数字电压(ya)，而(er)功(gong)率部分(fen)使(shi)用(yong)(yong)12V甚(shen)至更(geng)高的电压(ya)。两(liang)个电压(ya)采用(yong)(yong)共(gong)地(di)方式连接。

这就提(ti)出一个(ge)要(yao)求，需要(yao)使(shi)用一个(ge)电路，让低(di)压侧(ce)能够有(you)效(xiao)的(de)(de)控制高压侧(ce)的(de)(de)MOS管，同时高压侧(ce)的(de)(de)MOS管也同样(yang)会面对1和2提(ti)到的(de)(de)问题。

电路提供了(le)如下的特性：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅(fu)度的PWM信(xin)号驱动(dong)高(gao)gate电压(ya)需求的MOS管。

3，gate电压的峰(feng)值限制

4，输(shu)入和(he)输(shu)出的电流(liu)限制

5，通过(guo)使(shi)用合(he)适的(de)电阻，可以达到很(hen)低的(de)功(gong)耗。

6，PWM信(xin)号反相。NMOS并不需(xu)要这个特性，可以(yi)通(tong)过前置一个反相器来解决。

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