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MOS管场效(xiao)应(ying)(ying)管的(de)作用有哪些?以及(ji)它(ta)的(de)应(ying)(ying)用领域

信息来源:本站 日(ri)期:2016-10-26 

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场效应管分类

场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管分结(jie)型(xing)、绝(jue)缘栅(zha)型(xing)两大类。结(jie)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(JFET)因有两个PN结(jie)而得名,绝(jue)缘栅(zha)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管(JGFET)则(ze)因栅(zha)极与其它电(dian)极完整绝(jue)缘而得名。目前在绝(jue)缘栅(zha)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管中,应(ying)用最(zui)为普遍的(de)是MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管,简(jian)称MOS管(即金属(shu)-氧(yang)化物(wu)-半导体(ti)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管MOSFET);此外(wai)还有PMOS、NMOS和VMOS功率场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管,以及最(zui)近刚问世的(de)πMOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)管、VMOS功率模(mo)块等(deng)。

mos管和场效应管
碳化硅场效应管



按沟道半导(dao)体资(zi)料的不同,结型(xing)(xing)和绝缘(yuan)栅型(xing)(xing)各分(fen)沟道和P沟道两种。若按导(dao)电方(fang)式(shi)来划分(fen),场效应(ying)管又可分(fen)红耗尽型(xing)(xing)与加强(qiang)型(xing)(xing)。结型(xing)(xing)场效应(ying)管均为耗尽型(xing)(xing),绝缘(yuan)栅型(xing)(xing)场效应(ying)管既有耗尽型(xing)(xing)的,也有加强(qiang)型(xing)(xing)的。

场(chang)效应晶体(ti)(ti)管(guan)可(ke)分(fen)为(wei)结场(chang)效应晶体(ti)(ti)管(guan)和(he)(he)MOS场(chang)效应晶体(ti)(ti)管(guan)。而MOS场(chang)效应晶体(ti)(ti)管(guan)又分(fen)为(wei)N沟耗尽(jin)(jin)型和(he)(he)加(jia)强型;P沟耗尽(jin)(jin)型和(he)(he)加(jia)强型四大类。见下图。

碳化硅场效应管

场效应管的特点

场(chang)效应管(guan)的特(te)性是南栅(zha)极(ji)电(dian)压UG;控制(zhi)其漏(lou)极(ji)电(dian)流ID。和普通双极(ji)型晶体管(guan)相(xiang)比拟,场(chang)效应管(guan)具有输入阻抗(kang)高(gao)、噪声(sheng)低、动(dong)态范围大、功耗小、易于集成等特(te)性。

场效应管

场效应管的工作原理如图4-24所(suo)示(以结(jie)型N沟道管为例(li))。由于栅极G接有负(fu)偏压(-UG),在(zai)G左近(jin)构成耗尽层。

当负负偏(pian)压(-UG)的(de)(de)(de)绝对值增(zeng)大时,耗尽层(ceng)增(zeng)大,沟道减(jian)(jian)小,漏极电(dian)流ID减(jian)(jian)小。当负偏(pian)压(一UG)的(de)(de)(de)绝对值减(jian)(jian)小时,耗尽层(ceng)减(jian)(jian)小,沟道增(zeng)大,漏极电(dian)流ID增(zeng)大。可见,漏极电(dian)流ID受栅(zha)极电(dian)压的(de)(de)(de)控制(zhi),所以场效应管(guan)是电(dian)压控制(zhi)型器件,即经过(guo)输(shu)入电(dian)压的(de)(de)(de)变化(hua)来控制(zhi)输(shu)出电(dian)流的(de)(de)(de)变化(hua),从(cong)而到达放大等目(mu)的(de)(de)(de)。

和双极型(xing)晶体管(guan)一(yi)样,场效(xiao)应管(guan)用于放大等电路时(shi),其栅极也应加偏置电压。

结型(xing)(xing)场效(xiao)府管的(de)栅(zha)极应(ying)(ying)加(jia)(jia)反向偏(pian)置(zhi)电压(ya),即N沟(gou)道管加(jia)(jia)负栅(zha)压(ya),P沟(gou)道管加(jia)(jia)正栅(zha)爪。加(jia)(jia)强型(xing)(xing)绝(jue)缘栅(zha)场效(xiao)应(ying)(ying)管应(ying)(ying)加(jia)(jia)正向栅(zha)压(ya)。耗尽型(xing)(xing)绝(jue)缘栅(zha)场效(xiao)应(ying)(ying)管的(de)栅(zha)压(ya)可(ke)(ke)正、可(ke)(ke)负、可(ke)(ke)为(wei)“0”,见(jian)表4-2。加(jia)(jia)偏(pian)置(zhi)的(de)办(ban)法有(you)同定偏(pian)置(zhi)法、自给偏(pian)置(zhi)法、直接耦合(he)法等。

场效应管

场效应管的参数

场效(xiao)应管的参(can)(can)数很多,包括直流参(can)(can)数、交(jiao)流参(can)(can)数和(he)极限参(can)(can)数,但普(pu)通运用时只需关注以下主要参(can)(can)数:饱和(he)漏源(yuan)电流IDSS夹断电压Up,(结型(xing)管和(he)耗(hao)尽型(xing)绝缘栅(zha)管,或开(kai)启电压UT(加强(qiang)型(xing)绝缘栅(zha)管)、跨导gm、漏源(yuan)击(ji)穿电压BUDS、最(zui)大耗(hao)散功率PDSM和(he)最(zui)大漏源(yuan)电流IDSM。

(1)饱和漏源电流

饱(bao)和漏源(yuan)电流IDSS是指结型或耗尽(jin)型绝缘栅(zha)场(chang)效(xiao)应管中,栅(zha)极电压UGS=0时的漏源(yuan)电流。

(2)夹断电压

夹(jia)断(duan)电压UP是指结型或(huo)耗尽型绝(jue)缘栅(zha)场效应管中,使漏(lou)源(yuan)间刚截止时(shi)的(de)栅(zha)极电压。如(ru)同4-25所示为(wei)N沟(gou)道(dao)管的(de)UGS一ID曲(qu)(qu)线(xian),可(ke)明白看出IDSS和UP的(de)意义。如(ru)图(tu)4-26所示为(wei)P沟(gou)道(dao)管的(de)UGS-ID曲(qu)(qu)线(xian)。

场效应管



(3)开启电压

开启电(dian)压UT是指加强型(xing)绝缘栅场(chang)效应管中,使(shi)漏源(yuan)间刚导(dao)通时的栅极电(dian)压。如(ru)(ru)图4-27所示(shi)(shi)为(wei)N沟(gou)道管的UGS-ID曲线,可明白看出UT的意义。如(ru)(ru)图4-28所示(shi)(shi)为(wei)P沟(gou)道管的UGS-ID曲线。

场效应管


(4)跨导

跨导(dao)gm是表示栅源电(dian)(dian)压UGS对漏(lou)(lou)极电(dian)(dian)流(liu)ID的控制(zhi)才(cai)能,即漏(lou)(lou)极电(dian)(dian)流(liu)ID变化量与栅源电(dian)(dian)压UGS变化量的比值。9m是权衡场效(xiao)应管放大才(cai)能的重要参数。

(5)漏源击穿电压

漏源击穿(chuan)电(dian)压BUDS是指栅源电(dian)压UGS一定时(shi),场效应管正常工(gong)作所能接受(shou)的(de)(de)最大(da)漏源电(dian)压。这是一项极(ji)限参数,加在场效应管上的(de)(de)工(gong)作电(dian)压必需小于BUDS。

(6)最大耗散功率

最大耗散功(gong)率PDSM也是—项极(ji)限参数,是指场效(xiao)应管性能不变坏时所允(yun)许的(de)最大漏(lou)源(yuan)耗散功(gong)率。运用时场效(xiao)应管实践功(gong)耗应小于(yu)PDSM并留有(you)—定余量。

(7)最大漏源电流

最大漏源(yuan)电流IDSM是另一项极限参数(shu),是指场效(xiao)应管(guan)正常工作时,漏源(yuan)间所(suo)允许经(jing)过的最大电流。场效(xiao)应管(guan)的工作电流不应超越(yue)IDSM。

场效应管的作用

一、场(chang)效应(ying)管可(ke)应(ying)用(yong)于(yu)放大(da)。由(you)于(yu)场(chang)效应(ying)管放大(da)器的输入阻(zu)抗(kang)很高,因此耦(ou)合电容(rong)可(ke)以(yi)容(rong)量较小,不(bu)必使用(yong)电解电容(rong)器。

二、场(chang)效应管(guan)很高的(de)输入(ru)阻(zu)抗非(fei)常适合作阻(zu)抗变换(huan)。常用(yong)于多级放(fang)大(da)器的(de)输入(ru)级作阻(zu)抗变换(huan)。

三、场效应管可(ke)(ke)以用作可(ke)(ke)变电阻。

四、场效应管可以方便地用作恒(heng)流源。

五、场效(xiao)应(ying)管可以用作(zuo)电子开(kai)关。

MOS管、场效应管。具有低内阻、高耐压、快速开(kai)关、雪崩能(neng)量高等特(te)点,设计电(dian)流跨度(du)1A-200A电(dian)压跨度(du)30V-1200V,我们可以根据(ju)客(ke)户(hu)(hu)的(de)应用领(ling)域和应用方(fang)案(an)的(de)不(bu)同作出调整(zheng)电(dian)性参数,提高客(ke)户(hu)(hu)产品的(de)可靠(kao)性,整(zheng)体(ti)转换效率和产品的(de)价格竞争(zheng)优势。


场效应管与晶体管的比较

(1)场(chang)效应(ying)管是电(dian)(dian)(dian)压(ya)控制元(yuan)件,而(er)晶体管是电(dian)(dian)(dian)流(liu)控制元(yuan)件。在只(zhi)允(yun)许从信号(hao)(hao)源取较少电(dian)(dian)(dian)流(liu)的情况下,应(ying)选用(yong)场(chang)效应(ying)管;而(er)在信号(hao)(hao)电(dian)(dian)(dian)压(ya)较低,又(you)允(yun)许从信号(hao)(hao)源取较多电(dian)(dian)(dian)流(liu)的条件下,应(ying)选用(yong)晶体管。

(2)场效(xiao)应管是(shi)利(li)用多数(shu)载流子导电(dian),所以(yi)称之为单极型器(qi)件(jian),而晶体管是(shi)即有多数(shu)载流子,也利(li)用少数(shu)载流子导电(dian)。被称之为双(shuang)极型器(qi)件(jian)。

(3)有(you)些场效(xiao)应管的源极和漏(lou)极可(ke)以互换(huan)使用,栅(zha)压也可(ke)正可(ke)负,灵活性比晶体管好。

(4)场(chang)效(xiao)应管能在(zai)很小电流(liu)和很低电压的条件下工作,而且(qie)它(ta)的制造工艺可以很方(fang)便地把很多场(chang)效(xiao)应管集成在(zai)一块硅片(pian)上(shang),因(yin)此场(chang)效(xiao)应管在(zai)大规(gui)模(mo)集成电路(lu)中得到了广泛的应用。


场效应管好坏与极性判别

将万(wan)用(yong)表(biao)的(de)量(liang)程选择在RX1K档,用(yong)黑表(biao)笔(bi)接D极,红表(biao)笔(bi)接S极,用(yong)手同时(shi)触(chu)及(ji)一下(xia)G,D极,场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)应(ying)(ying)呈瞬(shun)时(shi)导通状态,即表(biao)针(zhen)摆向阻值较小(xiao)的(de)位置(zhi),再用(yong)手触(chu)及(ji)一下(xia)G,S极, 场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)应(ying)(ying)无(wu)反应(ying)(ying),即表(biao)针(zhen)回零(ling)位置(zhi)不动.此时(shi)应(ying)(ying)可判断出场(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)为(wei)好(hao)管(guan)(guan).

将万(wan)用表的(de)(de)(de)(de)量(liang)程选择在(zai)RX1K档,分(fen)别(bie)测量(liang)场(chang)效(xiao)应管三个管脚(jiao)之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)(de)电阻阻值(zhi),若某(mou)脚(jiao)与其(qi)他两脚(jiao)之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)(de)电阻值(zhi)均(jun)为无穷(qiong)大(da)时,并(bing)且再(zai)交换表笔(bi)后(hou)仍为无穷(qiong)大(da)时,则此脚(jiao)为G极(ji)(ji),其(qi)它两脚(jiao)为S极(ji)(ji)和(he)(he)D极(ji)(ji).然后(hou)再(zai)用万(wan)用表测量(liang)S极(ji)(ji)和(he)(he)D极(ji)(ji)之(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)(de)电阻值(zhi)一次(ci),交换表笔(bi)后(hou)再(zai)测量(liang)一次(ci),其(qi)中阻值(zhi)较小的(de)(de)(de)(de)一次(ci),黑表笔(bi)接(jie)的(de)(de)(de)(de)是S极(ji)(ji),红表笔(bi)接(jie)的(de)(de)(de)(de)是D极(ji)(ji).


场效应管的检测及使用注意事项

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

1)用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)(de)(de)PN结(jie)正(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)不一样的(de)(de)(de)现(xian)象(xiang),可以判(pan)别(bie)出(chu)(chu)(chu)结(jie)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)(de)(de)三个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。具体方法(fa):将万用表(biao)(biao)拨在R×1k档上(shang),任选(xuan)两(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),分别(bie)测(ce)出(chu)(chu)(chu)其(qi)正(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)。当(dang)(dang)某两(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)正(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)相等,且(qie)为(wei)(wei)几千欧(ou)姆时(shi),则该两(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)是(shi)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。因为(wei)(wei)对结(jie)型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan)而言,漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)可互换,剩下(xia)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)肯定是(shi)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G。也可以将万用表(biao)(biao)的(de)(de)(de)黑表(biao)(biao)笔(bi)(红表(biao)(biao)笔(bi)也行)任意接(jie)触(chu)一个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),另一只表(biao)(biao)笔(bi)依(yi)次(ci)去接(jie)触(chu)其(qi)余的(de)(de)(de)两(liang)个(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),测(ce)其(qi)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)。当(dang)(dang)出(chu)(chu)(chu)现(xian)两(liang)次(ci)测(ce)得的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)近(jin)似相等时(shi),则黑表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)触(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),其(qi)余两(liang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)为(wei)(wei)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若两(liang)次(ci)测(ce)出(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)均很大,说(shuo)明是(shi)PN结(jie)的(de)(de)(de)反向,即都是(shi)反向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻,可以判(pan)定是(shi)N沟道(dao)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan),且(qie)黑表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)的(de)(de)(de)是(shi)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji);若两(liang)次(ci)测(ce)出(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻值(zhi)(zhi)均很小,说(shuo)明是(shi)正(zheng)向PN结(jie),即是(shi)正(zheng)向电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻,判(pan)定为(wei)(wei)P沟道(dao)场(chang)(chang)效(xiao)应管(guan),黑表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)的(de)(de)(de)也是(shi)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若不出(chu)(chu)(chu)现(xian)上(shang)述情况(kuang),可以调(diao)换黑、红表(biao)(biao)笔(bi)按(an)上(shang)述方法(fa)进行测(ce)试,直到(dao)判(pan)别(bie)出(chu)(chu)(chu)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)止。


2)用测电阻法判别场效应管的好坏

测(ce)(ce)(ce)电(dian)阻(zu)(zu)法是(shi)用(yong)万用(yong)表(biao)测(ce)(ce)(ce)量场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)(yu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G2之(zhi)(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值同(tong)场(chang)效应(ying)(ying)管(guan)(guan)手册标明的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值是(shi)否(fou)相符去判别管(guan)(guan)的(de)(de)(de)好坏。具体方法:首(shou)先将万用(yong)表(biao)置(zhi)于(yu)R×10或R×100档,测(ce)(ce)(ce)量源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D之(zhi)(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu),通(tong)常在(zai)几十(shi)欧到几千欧范(fan)围(在(zai)手册中可知,各(ge)种不(bu)同(tong)型号的(de)(de)(de)管(guan)(guan),其电(dian)阻(zu)(zu)值是(shi)各(ge)不(bu)相同(tong)的(de)(de)(de)),如果测(ce)(ce)(ce)得阻(zu)(zu)值大(da)于(yu)正常值,可能是(shi)由于(yu)内(nei)部接(jie)触不(bu)良;如果测(ce)(ce)(ce)得阻(zu)(zu)值是(shi)无穷(qiong)大(da),可能是(shi)内(nei)部断(duan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。然后(hou)把万用(yong)表(biao)置(zhi)于(yu)R×10k档,再测(ce)(ce)(ce)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)(yu)G2之(zhi)(zhi)间(jian)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)(yu)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之(zhi)(zhi)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值,当测(ce)(ce)(ce)得其各(ge)项电(dian)阻(zu)(zu)值均为(wei)无穷(qiong)大(da),则说明管(guan)(guan)是(shi)正常的(de)(de)(de);若(ruo)(ruo)测(ce)(ce)(ce)得上述各(ge)阻(zu)(zu)值太(tai)小或为(wei)通(tong)路,则说明管(guan)(guan)是(shi)坏的(de)(de)(de)。要(yao)注意,若(ruo)(ruo)两个栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)在(zai)管(guan)(guan)内(nei)断(duan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),可用(yong)元件(jian)代换法进(jin)行检(jian)测(ce)(ce)(ce)。


3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具(ju)体方(fang)法:用(yong)万用(yong)表(biao)(biao)(biao)电(dian)阻(zu)的(de)(de)R×100档,红表(biao)(biao)(biao)笔接源(yuan)(yuan)极(ji)S,黑表(biao)(biao)(biao)笔接漏极(ji)D,给场效(xiao)应管(guan)(guan)加上(shang)1.5V的(de)(de)电(dian)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya),此(ci)时(shi)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)指示出的(de)(de)漏源(yuan)(yuan)极(ji)间(jian)的(de)(de)电(dian)阻(zu)值。然后(hou)用(yong)手(shou)捏住结型场效(xiao)应管(guan)(guan)的(de)(de)栅(zha)极(ji)G,将人体的(de)(de)感(gan)应电(dian)压(ya)信号(hao)加到栅(zha)极(ji)上(shang)。这(zhei)样,由(you)(you)于(yu)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大作用(yong),漏源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)VDS和漏极(ji)电(dian)流Ib都(dou)要(yao)发生变(bian)化(hua),也就是(shi)漏源(yuan)(yuan)极(ji)间(jian)电(dian)阻(zu)发生了变(bian)化(hua),由(you)(you)此(ci)可(ke)以观察到表(biao)(biao)(biao)针(zhen)有较大幅度(du)的(de)(de)摆(bai)动。如(ru)果手(shou)捏栅(zha)极(ji)表(biao)(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动较小,说(shuo)明(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大能力(li)较差(cha);表(biao)(biao)(biao)针(zhen)摆(bai)动较大,表(biao)(biao)(biao)明(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)放(fang)大能力(li)大;若表(biao)(biao)(biao)针(zhen)不(bu)动,说(shuo)明(ming)管(guan)(guan)是(shi)坏的(de)(de)。

根据上(shang)述方法(fa),我(wo)们用(yong)万用(yong)表的R×100档,测(ce)结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测(ce)得漏(lou)源(yuan)电(dian)阻RDS为600Ω,用(yong)手(shou)捏住G极后,表针向左摆(bai)动,指示的电(dian)阻RDS为12kΩ,表针摆(bai)动的幅(fu)度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。

运(yun)用(yong)(yong)(yong)这(zhei)种方(fang)(fang)法(fa)时要说明(ming)几(ji)点(dian):首先,在(zai)(zai)测(ce)试(shi)场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)用(yong)(yong)(yong)手(shou)捏住栅(zha)(zha)极(ji)时,万用(yong)(yong)(yong)表(biao)针可能(neng)向右(you)摆动(dong)(dong)(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值减小(xiao)),也(ye)可能(neng)向左摆动(dong)(dong)(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值增加(jia))。这(zhei)是由于人(ren)(ren)体感应(ying)(ying)(ying)(ying)的(de)(de)交流电(dian)(dian)(dian)压较(jiao)高,而不(bu)(bu)同的(de)(de)场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)用(yong)(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)档测(ce)量(liang)(liang)时的(de)(de)工(gong)作(zuo)点(dian)可能(neng)不(bu)(bu)同(或(huo)(huo)者工(gong)作(zuo)在(zai)(zai)饱和区(qu)或(huo)(huo)者在(zai)(zai)不(bu)(bu)饱和区(qu))所致,试(shi)验表(biao)明(ming),多数(shu)管(guan)的(de)(de)RDS增大,即(ji)表(biao)针向左摆动(dong)(dong);少数(shu)管(guan)的(de)(de)RDS减小(xiao),使(shi)表(biao)针向右(you)摆动(dong)(dong)。但无论表(biao)针摆动(dong)(dong)方(fang)(fang)向如何,只(zhi)要表(biao)针摆动(dong)(dong)幅度较(jiao)大,就说明(ming)管(guan)有(you)较(jiao)大的(de)(de)放(fang)大能(neng)力。第二,此方(fang)(fang)法(fa)对MOS场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)也(ye)适(shi)用(yong)(yong)(yong)。但要注意,MOS场效(xiao)应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)的(de)(de)输人(ren)(ren)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)高,栅(zha)(zha)极(ji)G允许(xu)的(de)(de)感应(ying)(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)压不(bu)(bu)应(ying)(ying)(ying)(ying)过高,所以(yi)不(bu)(bu)要直接用(yong)(yong)(yong)手(shou)去捏栅(zha)(zha)极(ji),必须用(yong)(yong)(yong)于握螺丝刀的(de)(de)绝(jue)缘柄,用(yong)(yong)(yong)金属杆(gan)去碰触栅(zha)(zha)极(ji),以(yi)防止人(ren)(ren)体感应(ying)(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)荷直接加(jia)到栅(zha)(zha)极(ji),引起栅(zha)(zha)极(ji)击穿。第三,每(mei)次测(ce)量(liang)(liang)完毕(bi),应(ying)(ying)(ying)(ying)当(dang)G-S极(ji)间短路一下。这(zhei)是因(yin)为(wei)G-S结(jie)电(dian)(dian)(dian)容上会充有(you)少量(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)荷,建(jian)立起VGS电(dian)(dian)(dian)压,造成再进行(xing)测(ce)量(liang)(liang)时表(biao)针可能(neng)不(bu)(bu)动(dong)(dong),只(zhi)有(you)将G-S极(ji)间电(dian)(dian)(dian)荷短路放(fang)掉(diao)才行(xing)。


4)用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用(yong)测(ce)量电(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)方(fang)法找出两(liang)个有电(dian)(dian)阻(zu)值的(de)(de)(de)管脚,也就是(shi)源极(ji)S和漏(lou)极(ji)D,余(yu)下两(liang)个脚为第一(yi)栅极(ji)G1和第二栅极(ji)G2。把(ba)先用(yong)两(liang)表(biao)(biao)笔(bi)测(ce)的(de)(de)(de)源极(ji)S与漏(lou)极(ji)D之间的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)值记下来,对(dui)调表(biao)(biao)笔(bi)再测(ce)量一(yi)次,把(ba)其测(ce)得电(dian)(dian)阻(zu)值记下来,两(liang)次测(ce)得阻(zu)值较(jiao)大(da)的(de)(de)(de)一(yi)次,黑表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)极(ji)为漏(lou)极(ji)D;红表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)为源极(ji)S。用(yong)这种方(fang)法判(pan)别出来的(de)(de)(de)S、D极(ji),还(hai)可以(yi)用(yong)估测(ce)其管的(de)(de)(de)放大(da)能力的(de)(de)(de)方(fang)法进行验证,即放大(da)能力大(da)的(de)(de)(de)黑表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)的(de)(de)(de)是(shi)D极(ji);红表(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)地是(shi)8极(ji),两(liang)种方(fang)法检(jian)测(ce)结果均(jun)应(ying)一(yi)样。当(dang)确(que)定(ding)了漏(lou)极(ji)D、源极(ji)S的(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)后(hou),按D、S的(de)(de)(de)对(dui)应(ying)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)装(zhuang)人(ren)电(dian)(dian)路,一(yi)般G1、G2也会依(yi)次对(dui)准位(wei)(wei)(wei)置(zhi),这就确(que)定(ding)了两(liang)个栅极(ji)G1、G2的(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)置(zhi),从而(er)就确(que)定(ding)了D、S、G1、G2管脚的(de)(de)(de)顺序。


5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOSN沟道增(zeng)强型场效应管(guan)测量跨导性能时,可用红表笔接(jie)源极(ji)S、黑表笔接(jie)漏极(ji)D,这就相当(dang)于(yu)在(zai)源、漏极(ji)之间加(jia)了一个反向(xiang)电(dian)压(ya)。此(ci)(ci)时栅极(ji)是开路的(de),管(guan)的(de)反向(xiang)电(dian)阻值是很不稳定的(de)。将万用表的(de)欧(ou)姆档选在(zai)R×10kΩ的(de)高阻档,此(ci)(ci)时表内电(dian)压(ya)较高。当(dang)用手接(jie)触栅极(ji)G时,会发(fa)现管(guan)的(de)反向(xiang)电(dian)阻值有明显地(di)变(bian)化,其变(bian)化越(yue)大,说明管(guan)的(de)跨导值越(yue)高;如果(guo)被测管(guan)的(de)跨导很小,用此(ci)(ci)法测时,反向(xiang)阻值变(bian)化不大。


场效应管的使用注意事项

1)为了安(an)全使(shi)用场效(xiao)应管(guan),在线路的设(she)计(ji)中不能超过(guo)管(guan)的耗散功率,最(zui)大漏(lou)源电(dian)(dian)压(ya)、最(zui)大栅(zha)源电(dian)(dian)压(ya)和最(zui)大电(dian)(dian)流等参数的极限(xian)值。

2)各类型(xing)(xing)场(chang)效应管在(zai)使用时,都(dou)要(yao)严(yan)格按要(yao)求的偏(pian)置(zhi)接(jie)人电路中,要(yao)遵守场(chang)效应管偏(pian)置(zhi)的极(ji)性。如结(jie)型(xing)(xing)场(chang)效应管栅(zha)源漏之(zhi)间(jian)是PN结(jie),N沟道管栅(zha)极(ji)不能加正偏(pian)压;P沟道管栅(zha)极(ji)不能加负偏(pian)压,等(deng)等(deng)。

3)MOS场(chang)效(xiao)应(ying)管由(you)于输(shu)人阻(zu)抗极高,所以(yi)(yi)在运输(shu)、贮藏中必(bi)须将引出(chu)脚短路,要用金(jin)属屏蔽包装,以(yi)(yi)防(fang)止外来(lai)感应(ying)电(dian)势将栅极击穿(chuan)。尤其要注(zhu)意(yi),不能将MOS场(chang)效(xiao)应(ying)管放人塑料(liao)盒(he)子内,保存时(shi)最好(hao)放在金(jin)属盒(he)内,同(tong)时(shi)也要注(zhu)意(yi)管的防(fang)潮。

4)为了防(fang)止场效(xiao)应(ying)管(guan)栅极感应(ying)击穿(chuan),要求一切测试仪器(qi)(qi)、工(gong)作台(tai)、电(dian)烙铁(tie)、线路(lu)本身都必须有良好的(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)地(di);管(guan)脚(jiao)在(zai)(zai)焊(han)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)时(shi),先焊(han)源极;在(zai)(zai)连入(ru)电(dian)路(lu)之前,管(guan)的(de)全部引线端保持互相(xiang)短(duan)(duan)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)状态(tai),焊(han)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)完后(hou)才把短(duan)(duan)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)材(cai)料去掉(diao);从元器(qi)(qi)件架上取(qu)下管(guan)时(shi),应(ying)以(yi)适当(dang)的(de)方式(shi)确(que)(que)保人体(ti)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)地(di)如采(cai)用接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)地(di)环等;当(dang)然,如果(guo)能采(cai)用先进的(de)气热型电(dian)烙铁(tie),焊(han)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)场效(xiao)应(ying)管(guan)是比较方便的(de),并且确(que)(que)保安全;在(zai)(zai)未关断电(dian)源时(shi),绝对(dui)不可(ke)以(yi)把管(guan)插人电(dian)路(lu)或从电(dian)路(lu)中拔出(chu)。以(yi)上安全措(cuo)施在(zai)(zai)使用场效(xiao)应(ying)管(guan)时(shi)必须注意。

5)在安装(zhuang)场效(xiao)应管时(shi),注意安装(zhuang)的位(wei)置要(yao)尽(jin)量避(bi)免靠近发(fa)热元件;为了防(fang)管件振动,有必要(yao)将(jiang)管壳体紧固起来;管脚(jiao)引线在弯曲时(shi),应当大于(yu)根部尺寸5毫米处进行,以防(fang)止弯断管脚(jiao)和(he)引起漏(lou)气等。

对于功率(lv)型场效(xiao)应管(guan),要有良(liang)好的(de)散热条件。因为功率(lv)型场效(xiao)应管(guan)在高负荷(he)条件下运用,必须(xu)设计足(zu)够的(de)散热器,确(que)保壳(qiao)体温度不超过额定(ding)(ding)值,使器件长(zhang)期稳(wen)定(ding)(ding)可靠地工作。

总之,确保场效(xiao)应(ying)管安全使用,要注意(yi)的(de)(de)(de)事项是多种多样(yang),采(cai)(cai)取(qu)的(de)(de)(de)安全措(cuo)施也是各种各样(yang),广(guang)(guang)大的(de)(de)(de)专(zhuan)业技术人(ren)员,特别是广(guang)(guang)大的(de)(de)(de)电子(zi)爱好者,都要根据自己的(de)(de)(de)实(shi)际情况(kuang)出发,采(cai)(cai)取(qu)切实(shi)可行的(de)(de)(de)办法,安全有效(xiao)地用好场效(xiao)应(ying)管。


场效应管应用领域

1:工(gong)(gong)业(ye)领域、步进马(ma)达驱动、 电钻工(gong)(gong)具(ju)、工(gong)(gong)业(ye)开关电源

2:新能源领域、光(guang)伏逆变、充电桩(zhuang)、无人机

3:交通运输领域、车载逆变器、汽(qi)车HID安定器、电动自(zi)行车

4:绿色照明(ming)领域、CCFL节能灯(deng)、LED照明(ming)电源、金(jin)卤灯(deng)镇流器

场效应更管


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