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引言本文

功(gong)率开(kai)关器(qi)件(jian)在电力(li)电子设(she)(she)备中(zhong)占领着中(zhong)心(xin)位置(zhi)，它的(de)(de)(de)牢靠工(gong)作(zuo)是(shi)整(zheng)个(ge)安装(zhuang)正常运转的(de)(de)(de)根本(ben)(ben)条件(jian)。功(gong)率开(kai)关器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)驱动电路(lu)是(shi)主电路(lu)与控(kong)制电路(lu)之间(jian)的(de)(de)(de)接口(kou)，是(shi)电力(li)电子安装(zhuang)的(de)(de)(de)重(zhong)要局部。它对整(zheng)个(ge)设(she)(she)备的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)有很大(da)(da)的(de)(de)(de)影响，其(qi)作(zuo)用是(shi)将控(kong)制回路(lu)输出的(de)(de)(de)控(kong)制脉冲放大(da)(da)到足(zu)以驱动功(gong)率开(kai)关器(qi)件(jian)。简(jian)而(er)言(yan)之，驱动电路(lu)的(de)(de)(de)根本(ben)(ben)任务(wu)就是(shi)将控(kong)制电路(lu)传来的(de)(de)(de)信(xin)(xin)号(hao)，转换为加在器(qi)件(jian)控(kong)制端(duan)和公(gong)共端(duan)之间(jian)的(de)(de)(de)能(neng)够使其(qi)导通(tong)和关断(duan)的(de)(de)(de)信(xin)(xin)号(hao)。

同样的mos管功率器(qi)件(jian)(jian)，采用(yong)(yong)(yong)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)将得到不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)开(kai)关(guan)特性(xing)(xing)(xing)。采用(yong)(yong)(yong)性(xing)(xing)(xing)能良好的(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)能够(gou)使(shi)功(gong)(gong)率(lv)开(kai)关(guan)器(qi)件(jian)(jian)工作(zuo)在(zai)比拟(ni)理想的(de)(de)(de)(de)(de)开(kai)关(guan)状(zhuang)态(tai)， 同(tong)时缩短开(kai)关(guan)时间，减小开(kai)关(guan)损耗，对安装的(de)(de)(de)(de)(de)运(yun)转效率(lv)，牢(lao)靠性(xing)(xing)(xing)和(he)(he)平安性(xing)(xing)(xing)都有重(zhong)要的(de)(de)(de)(de)(de)意义(yi)。因而(er)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)优(you)劣直接影响主电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)性(xing)(xing)(xing)能，驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)合(he)理化设计显得越来越重(zhong)要。晶闸(zha)管体积小，重(zhong)量轻，效率(lv)高，寿命(ming)长，运(yun)用(yong)(yong)(yong)便(bian)当，能够(gou)便(bian)当的(de)(de)(de)(de)(de)停止整流(liu)和(he)(he)逆(ni)变，且能够(gou)在(zai)不(bu)改动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)构(gou)造的(de)(de)(de)(de)(de)前(qian)提下，改动(dong)(dong)整流(liu)或(huo)逆(ni)变电(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)大小。IGBT 是 mosFET 和(he)(he) GTR的(de)(de)(de)(de)(de)复合(he)器(qi)件(jian)(jian)，它具有开(kai)关(guan)速度快(kuai)、热稳(wen)定性(xing)(xing)(xing)好、驱(qu)(qu)动(dong)(dong)功(gong)(gong)率(lv)小和(he)(he)驱(qu)(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)简单的(de)(de)(de)(de)(de)特性(xing)(xing)(xing)，又具有通态(tai)压(ya)降小、耐压(ya)高和(he)(he)接受电(dian)(dian)流(liu)大等优(you)点(dian)。IGBT作(zuo)为主流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)率(lv)输出器(qi)件(jian)(jian)， 特别是在(zai)大功(gong)(gong)率(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)场所，曾(ceng)经被普遍的(de)(de)(de)(de)(de)应用(yong)(yong)(yong)于各个范畴。

mos管(guan)开关(guan)器(qi)件理想(xiang)的驱动电路应满足以下请求：

(1)功率开(kai)(kai)关管开(kai)(kai)通(tong)时(shi)，驱(qu)(qu)动(dong)电路可以提供(gong)快速上升的基极电流，使得开(kai)(kai)启时(shi)有足够(gou)的驱(qu)(qu)动(dong)功率，从而减小(xiao)开(kai)(kai)通(tong)损(sun)耗。

(2)开关(guan)管导(dao)通期间(jian)，mos驱动(dong)电(dian)路(lu)提供的基极电(dian)流(liu)在任何负载(zai)状(zhuang)(zhuang)(zhuang)况下(xia)都能保(bao)证功(gong)率管处于(yu)(yu)饱(bao)和导(dao)通状(zhuang)(zhuang)(zhuang)态(tai)，保(bao)证比拟低的导(dao)通损耗。为减(jian)小存储时间(jian)，器件关(guan)断前应处于(yu)(yu)临界饱(bao)和状(zhuang)(zhuang)(zhuang)态(tai)。

(3)关断时，驱动电路应提供足够的反向基极驱动，以疾速的抽出基区的剩余载流子，减小存储时间;　　并加反偏截止电压，使集电极电流疾速降落以减小降落时间。当然，晶闸管的关断主要还是靠反向阳极压降来完成关断的。
目前来说，关于晶闸管的驱动用的比拟多的只是经过变压器或者光耦隔离来把低压端与高压端隔开，再经过转换电路来驱动晶闸管的导通。而关于 IGBT来说目前用的较多的是 IGBT 的驱动模块，也有集成了 IGBT、 系统自维护、 自诊断等各个功用模块的 IPM。
本文针对(dui)(dui)我们所用(yong)到的(de)(de)晶(jing)(jing)闸管，设计实验驱(qu)动电(dian)路，并停止(zhi)实考证明了(le)(le)它能够驱(qu)动晶(jing)(jing)闸管。而关于 IGBT的(de)(de)驱(qu)动，本文主要引见(jian)了(le)(le)目前主要的(de)(de)几种 IGBT 的(de)(de)驱(qu)动方式，以及(ji)与它们相对(dui)(dui)应(ying)的(de)(de)驱(qu)动电(dian)路，并对(dui)(dui)最常用(yong)的(de)(de)光耦(ou)隔(ge)离的(de)(de)驱(qu)动方式停止(zhi)了(le)(le)仿真实验。

2.晶(jing)闸(zha)管(guan)(guan)驱动(dong)电路(lu)的(de)研讨 普通(tong)来说晶(jing)闸(zha)管(guan)(guan)的(de)工作状况是：

(1)晶闸(zha)管接受反向(xiang)阳(yang)极电压时(shi)，不管门极接受何(he)种电压，晶闸(zha)管都(dou)处于关断状态。

(2)晶(jing)闸管接受正向(xiang)阳(yang)极电压时，仅在门极接受正向(xiang)电压的状况下晶(jing)闸管才导(dao)通。

(3)晶闸管在导通状况下，只需有一定的正向阳极电压，不管门极电压如何，晶闸管坚持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。　　(4)晶闸管在导通状况下，当主回路电压(或电流)减小到接近于零时，晶闸管关断。我们选用的是晶闸管是 TYN1025，它的耐压是600 到 1000V，电流最大到达 25A。它所需求的门级驱动电压是 10 到 20V，驱动电流是 4 到 40mA。而它的维持电流是 50mA，擎住电流是 90mA。无论是 DSP 还是 CPLD 所发出的触发信号的幅值只要 5V。首先，先把只要 5V 的幅值转换成 24V，然后经过一个 2：1 的隔离变压器把 24V 的触发信号转换成 12V 的触发信号，同时完成了上下压隔离的功用。

实验电路的设计与剖析(xi)

实(shi)(shi)验(yan)设计(ji)总(zong)电路(lu)(lu)图(tu)(tu)如下(xia)图(tu)(tu) 1 所示首先(xian)是(shi)(shi)升压(ya)电路(lu)(lu)，由于后(hou)(hou)级的(de)隔离变压(ya)器(qi)(qi)电路(lu)(lu)中的(de) MOS 管器(qi)(qi)件(jian)需求(qiu) 15V 的(de)触发信(xin)(xin)(xin)号(hao)，所以，需求(qiu)先(xian)把幅(fu)值 5V 的(de)触发信(xin)(xin)(xin)号(hao)转成 15V 的(de)触发信(xin)(xin)(xin)号(hao)，经过 MC14504 把 5V 的(de)信(xin)(xin)(xin)号(hao)， 转换成为 15V的(de)信(xin)(xin)(xin)号(hao)，然(ran)后(hou)(hou)再经过 CD4050 对输出(chu)的(de) 15V 驱(qu)动(dong)信(xin)(xin)(xin)号(hao)整形， 实(shi)(shi)验(yan)的(de)波形图(tu)(tu)如图(tu)(tu) 3 所示， 通(tong)道 2 接(jie)的(de)是(shi)(shi) 5V 输入信(xin)(xin)(xin)号(hao)，通(tong)道 1 接(jie)的(de)是(shi)(shi)输出(chu)的(de) 15V 的(de)触发信(xin)(xin)(xin)号(hao)。

第二(er)局部是隔离(li)变压器电路，实验电路图如图 4所示，该电路的(de)(de)(de)主要功用(yong)是：把 15V 的(de)(de)(de)触发(fa)(fa)信号(hao)，转换成为(wei) 12V 的(de)(de)(de)触发(fa)(fa)信号(hao)去(qu)触发(fa)(fa)后面的(de)(de)(de)晶闸管的(de)(de)(de)导(dao)通，并且做到(dao) 15V 的(de)(de)(de)触发(fa)(fa)信号(hao)与后级之(zhi)距离(li)。

该(gai)电(dian)(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)作(zuo)原理是(shi)(shi)：由于(yu) MOS 管(guan) IRF640 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)压(ya)为(wei) 15V，所以(yi)，首先是(shi)(shi)在 J1 处接(jie)入 15V 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方波信号(hao)，经(jing)过(guo)(guo)电(dian)(dian)阻 R4 接(jie)稳(wen)(wen)压(ya)管(guan) 1N4746，使(shi)触发电(dian)(dian)压(ya)稳(wen)(wen)定，也使(shi)得触发电(dian)(dian)压(ya)不至(zhi)于(yu)过(guo)(guo)高，烧坏(huai) MOS 管(guan)，然后接(jie)到 MOS 管(guan) IRF640(其实这就(jiu)是(shi)(shi)个(ge)开(kai)关管(guan)，控制后端(duan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)开(kai)通(tong)和关断(duan)) ， MOS 管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)作(zuo)图(tu)如下图(tu) 5， 经(jing)过(guo)(guo)控制驱(qu)动(dong)信号(hao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)占空比， 能(neng)够控制 MOS 管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)开(kai)通(tong)和关断(duan)时间。当(dang) MOS 管(guan)开(kai)通(tong)时，相当(dang)于(yu)它(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) D 极接(jie)地，关断(duan)时是(shi)(shi)断(duan)开(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，经(jing)过(guo)(guo)后级(ji)电(dian)(dian)路相当(dang)于(yu)接(jie) 24V。而变压(ya)器(qi)就(jiu)是(shi)(shi)经(jing)过(guo)(guo)电(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)变化(hua)来使(shi)右(you)端(duan)输(shu)(shu)出 12V 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)信号(hao)。变压(ya)器(qi)右(you)端(duan)接(jie)一(yi)个(ge)整流桥(qiao)，然后从接(jie)插件 X1 输(shu)(shu)出 12V的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)信号(hao)。下图(tu) 6 为(wei)该(gai)实验电(dian)(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)仿(fang)真波形图(tu)，为(wei)了便当(dang)看清，我把 B 通(tong)道的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)正负引脚颠倒，测(ce)出图(tu)中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)为(wei)负的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)，不过(guo)(guo)幅值(zhi)是(shi)(shi)正确的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。图(tu) 7 是(shi)(shi)该(gai)电(dian)(dian)路的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)实验波形图(tu)，与(yu)仿(fang)真波形图(tu)一(yi)样。

实验过程中遇到(dao)的问(wen)题

首先，开端上电时，保险丝忽然熔断，后来查电路时发现最初的电路设计有问题。最初为了它的开关管输出的效果更好，把24V的地和15V 的地隔开，这就使得MOS管的(de)门极G极相当于后(hou)面的(de)S极是(shi)(shi)悬空的(de)，招(zhao)(zhao)致(zhi)误触发。处理方法是(shi)(shi)把(ba)24V和(he)15V的(de)地(di)接(jie)(jie)(jie)在一同，再次停止实验，电(dian)路工(gong)作正(zheng)常。电(dian)路衔(xian)接(jie)(jie)(jie)正(zheng)常，但是(shi)(shi)当参加(jia)驱动(dong)(dong)信号(hao)时(shi)，MOS管(guan)(guan)发热(re)，加(jia)驱动(dong)(dong)信号(hao)一段时(shi)间(jian)后(hou)，保险丝熔断(duan)，再加(jia)驱动(dong)(dong)信号(hao)时(shi)，保险丝直接(jie)(jie)(jie)熔断(duan)。检查电(dian)路发现，驱动(dong)(dong)信号(hao)的(de)高电(dian)平占空比过(guo)大，招(zhao)(zhao)致(zhi)MOS管(guan)(guan)的(de)开通(tong)时(shi)间(jian)太长(zhang)。这(zhei)个电(dian)路的(de)设计使(shi)得当MOS管(guan)(guan)开通(tong)时(shi)，24V直接(jie)(jie)(jie)加(jia)到MOS管(guan)(guan)的(de)两端，并没有加(jia)限流电(dian)阻，假如导(dao)通(tong)时(shi)间(jian)过(guo)长(zhang)就使(shi)得电(dian)流过(guo)大，MOS管(guan)(guan)损坏，需求调(diao)理信号(hao)　的(de)占空比不(bu)能太大，普通(tong)在 10%~20%左右。

2.3 驱动(dong)电路(lu)的验证

为了验(yan)证驱(qu)(qu)动电(dian)(dian)路的可行性，我们用它(ta)来驱(qu)(qu)动串(chuan)连(lian)在一同(tong)的晶(jing)闸(zha)管(guan)电(dian)(dian)路，实验(yan)电(dian)(dian)路图如下图8所示，互相(xiang)串(chuan)联(lian)(lian)的晶(jing)闸(zha)管(guan)再反(fan)并联(lian)(lian)后，接入带有感抗(kang)的电(dian)(dian)路中，电(dian)(dian)源是 380V 的交流电(dian)(dian)压源。

在这个电路中，晶闸管Q2、Q8的触发信号经过G11和G12接入，而Q5、Q11的触发信号经过G21、G22接入。在驱动信号接到晶闸管门级之前，为了进步晶闸管的抗干扰才能，在晶闸管的门极衔接一个电阻和电容。这个电路接电感后，再投入到主电路中。经过控制晶闸管的导通角，来控制大电感投入到主电路的时间， 上下电路的触发信号的相角相差半个周期，上路的 G11 和G12是一路的触发信号，经过前级的驱动电路中的隔离变压器互相隔离，下路的 G21 和 G22同样也是隔离的同一路信号。 实验波形图如图 9 所示，两路的触发信号触发反并联晶闸管电路正反导通，上面的 1 通道接的是整个晶闸管电路的电压，在晶闸管导通时它变为 0，而 2、3 通道接的是晶闸管电路上下路的触发信号，4 通道测得是流过整个晶闸管的电流。
2 通(tong)(tong)道测(ce)得(de)有正(zheng)向的(de)触(chu)发(fa)信号(hao)时，触(chu)发(fa)上面(mian)的(de)晶(jing)(jing)闸(zha)管导通(tong)(tong)，电流(liu)(liu)为(wei)正(zheng);3 通(tong)(tong)道测(ce)得(de)有反向的(de)触(chu)发(fa)信号(hao)时，触(chu)发(fa)下路的(de)晶(jing)(jing)闸(zha)管导通(tong)(tong)，电流(liu)(liu)为(wei)负。

3.IGBT 驱(qu)动电(dian)(dian)路的研讨IGBT 对驱(qu)动电(dian)(dian)路有许多特殊的请求，概括(kuo)起(qi)来有：

(1)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)压脉冲的(de)(de)(de)上升率和降(jiang)落率要充沛(pei)大(da)。IGBT 开(kai)通(tong)时(shi)(shi)(shi)， 前沿(yan)峻(jun)峭的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)压加到栅(zha)(zha)(zha)极(ji) G 与发(fa)射极(ji) E 之间，使(shi)其快速开(kai)通(tong)，到达(da)开(kai)通(tong)时(shi)(shi)(shi)间最(zui)短，以(yi)减小开(kai)通(tong)损(sun)(sun)耗。在 IGBT 关断(duan)的(de)(de)(de)时(shi)(shi)(shi)分(fen)，其栅(zha)(zha)(zha)极(ji)驱动电(dian)(dian)(dian)路要提供应 IGBT 降(jiang)落沿(yan)很(hen)陡的(de)(de)(de)关断(duan)电(dian)(dian)(dian)压，并给IGBT 的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)极(ji) G 与发(fa)射极(ji) E 之间施加恰当的(de)(de)(de)反向偏(pian)置电(dian)(dian)(dian)压，以(yi)使(shi) IGBT 快速关断(duan)，缩(suo)短关断(duan)时(shi)(shi)(shi)间，减小关断(duan)损(sun)(sun)耗。

(2)IGBT 导(dao)通(tong)后，栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)路(lu)提(ti)供应(ying) IGBT的(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)压和电(dian)流要(yao)有足(zu)够的(de)(de)(de)幅(fu)度，使 IGBT 的(de)(de)(de)功率输出总处于饱和状(zhuang)态。瞬时过载时，栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)路(lu)提(ti)供的(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)功率要(yao)足(zu)以保证 IGBT 不退出饱和区而损(sun)坏。

（3) IGBT 的(de)栅(zha)极驱(qu)动(dong)电(dian)路提(ti)供应 IGBT 的(de)正驱(qu)动(dong)电(dian)压要取适宜的(de)值(zhi)，特(te)别(bie)是(shi)在(zai)有短路工作过程的(de)设备中运用 IGBT 时(shi)，其正向驱(qu)动(dong)电(dian)压更应选择所需(xu)求(qiu)的(de)最小值(zhi)。开(kai)关应用的(de) IGBT 的(de)栅(zha)极电(dian)压应以10V～15V 为最佳。

(4)IGBT 的关断过程中，栅-射极间施加的负偏压有利于 IGBT 的快速关断，但也不宜取的过大，普通取-2V 到 -10V。
(5)在大电感负载的状况下，过(guo)快(kuai)的开关反(fan)而是有害的，大电感负载在 IGBT 的快(kuai)速开通和关断时，会产生高频且幅值很高而宽度很窄(zhai)的尖(jian)峰(feng)电压 Ldi/dt，该尖(jian)峰(feng)不易(yi)吸收，容易(yi)形成(cheng)器件损坏。

(6)由于 IGBT 多用于高压场所，所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严厉隔离，普通采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
早期 IGBT 驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)引见早期的 IGBT 栅极(ji)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)为(wei)分立式的栅极(ji)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)如下(xia)图(tu)所示：图(tu) 10 为(wei)直接驱(qu)动(dong)(dong)(dong)式栅极(ji)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)，图(tu) 11 为(wei)变压(ya)器隔离式栅极(ji)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)，而图(tu) 12 为(wei)光耦隔离式栅极(ji)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)。

驱动电路现状
随着集成(cheng)技术的开展，目前 IGBT 的栅极驱动电路多采(cai)用集成(cheng)芯片控制(zhi)。控制(zhi)方式主要还(hai)是(shi)三(san)种：

(1)直接触发式输入和输出信(xin)号之间无电气隔离。

(2)变压器隔离驱动(dong)

输入和输出信号之间采用脉冲变压器隔离，隔离电压等级可达 4000V，
有以下 3 种办法
无源(yuan)办(ban)法：用变压(ya)器次级的(de)输出直接驱(qu)动(dong) IGBT　　(如下(xia)图(tu) 14) ，因受伏秒均(jun)衡的(de)限制(zhi)，只(zhi)适用于占空比(bi)变化不(bu)大的(de)场所。有(you)源(yuan)办(ban)法：变压(ya)器只(zhi)提供隔离(li)信号，在次级另有(you)整形(xing)放大电(dian)路来驱(qu)动(dong) IGBT，驱(qu)动(dong)波形(xing)较(jiao)好，但需求单独提供辅助(zhu)电(dian)源(yuan)。

自(zi)(zi)给电(dian)(dian)源法：脉冲变(bian)压(ya)器既用于(yu)传(chuan)送驱动(dong)能量又用于(yu)高(gao)频调(diao)(diao)(diao)制解调(diao)(diao)(diao)技(ji)术(shu)传(chuan)输逻(luo)辑(ji)信号(hao)，分(fen)(fen)为调(diao)(diao)(diao)制型自(zi)(zi)给电(dian)(dian)源办法和分(fen)(fen)时技(ji)术(shu)自(zi)(zi)给电(dian)(dian)源，其中调(diao)(diao)(diao)制型自(zi)(zi)给电(dian)(dian)源用整流桥来产生所需工(gong)作(zuo)电(dian)(dian)源，用高(gao)频调(diao)(diao)(diao)制解调(diao)(diao)(diao)技(ji)术(shu)来传(chuan)送逻(luo)辑(ji)信号(hao).

3.晶闸管与 IGBT 驱动的联络与区别

晶闸管(guan)和 IGBT 的(de)(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路之间有(you)区别也有(you)相似的(de)(de)(de)(de)中央。首先，两(liang)者的(de)(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路都需(xu)求(qiu)将开关(guan)(guan)器(qi)件与控(kong)(kong)制电(dian)(dian)路互相隔离， 以(yi)(yi)免高压电(dian)(dian)路对控(kong)(kong)制电(dian)(dian)路有(you)影(ying)响。然后(hou)，两(liang)者都是经过(guo)给(ji)门极施加驱(qu)(qu)(qu)动(dong)信号(hao)，来触(chu)发开关(guan)(guan)器(qi)件导通的(de)(de)(de)(de)。所不同(tong)的(de)(de)(de)(de)是晶闸管(guan)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)需(xu)求(qiu)的(de)(de)(de)(de)是电(dian)(dian)流信号(hao)，而 IGBT 需(xu)求(qiu)的(de)(de)(de)(de)是电(dian)(dian)压信号(hao)。在(zai)(zai)开关(guan)(guan)器(qi)件导通以(yi)(yi)后(hou)，晶闸管(guan)的(de)(de)(de)(de)门极就失去了控(kong)(kong)制造用，若要(yao)关(guan)(guan)断晶闸管(guan)，则要(yao)在(zai)(zai)晶闸管(guan)两(liang)端加反向电(dian)(dian)压;而 IGBT 的(de)(de)(de)(de)关(guan)(guan)断则只需(xu)求(qiu)在(zai)(zai)门极加负的(de)(de)(de)(de)驱(qu)(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)压，来关(guan)(guan)断 IGBT。

4.结论
本文主(zhu)要(yao)分为两局(ju)部叙(xu)(xu)说，第(di)一局(ju)部对(dui)(dui)晶闸管(guan)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路的(de)(de)(de)请求(qiu)停(ting)止(zhi)了(le)(le)叙(xu)(xu)说， 设计了(le)(le)相对(dui)(dui)应(ying)的(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路，并且将设计的(de)(de)(de)电(dian)路应(ying)用(yong)于实(shi)(shi)践的(de)(de)(de)晶闸管(guan)电(dian)路中(zhong)，经过(guo)仿真和实(shi)(shi)验(yan)考证了(le)(le)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路的(de)(de)(de)可(ke)行性，对(dui)(dui)在(zai)实(shi)(shi)验(yan)的(de)(de)(de)过(guo)程中(zhong)所遇到的(de)(de)(de)问题(ti)停(ting)止(zhi)了(le)(le)剖析(xi)和处理。第(di)二局(ju)部主(zhu)要(yao)论述(shu)了(le)(le) IGBT 关于驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路的(de)(de)(de)请求(qiu)，并在(zai)此根底上进(jin)一步引(yin)见了(le)(le)目(mu)前常用(yong)到的(de)(de)(de) IGBT 的(de)(de)(de)一些驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路，而且对(dui)(dui)其中(zhong)的(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)的(de)(de)(de)光(guang)耦隔离驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路停(ting)止(zhi)了(le)(le)仿真和实(shi)(shi)验(yan)，考证了(le)(le)驱(qu)动(dong)(dong)(dong)电(dian)路的(de)(de)(de)可(ke)行性。

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