增强型是基本的MOS晶体管

在前面涉及的MOS晶体管的工作中，NMOS晶体管的阈值电压VTN是(shi)正值，当(dang)VGS= OV时(shi)就没有漏极电流流动，这样的晶(jing)体管(guan)(guan)称(cheng)为增强型晶(jing)体管(guan)(guan)( enhancementtransistor)。图2.10示出增强型NMOS晶(jing)体管(guan)(guan)的电流-电压特性。

耗尽型—使VGS=OV也有漏(lou)极电流流动的(de)器件

与此相(xiang)对应，也(ye)(ye)能制造(zao)出(chu)具有负阈(yu)值(zhi)电压的(de)NMOS晶体(ti)管。如(ru)图2.11所示，栅氧化膜下方(fang)是(shi)高浓度的(de)n型掺杂层，那么即使VGS=OV，也(ye)(ye)可以(yi)形(xing)成电子流(liu)的(de)通(tong)路(lu)，使漏极电流(liu)流(liu)动，这样的(de)晶体(ti)管称为(wei)耗尽(jin)(jin)型晶体(ti)管(depletion transistor)。增强型NMOS晶体(ti)管的(de)阈(yu)值(zhi)电压VTN在ov以(yi)上，而耗尽(jin)(jin)型NMOS晶体(ti)管的(de)阈(yu)值(zhi)电压VTN则在OV以(yi)下。

相反(fan)，PMOS晶体(ti)管中，增强型晶体(ti)管的阈(yu)值电(dian)压是OV以下，而耗尽型PMOS晶体(ti)管的阈(yu)值电(dian)压则在ov以上(shang)。

图2. 12示(shi)出(chu)耗(hao)尽(jin)型NMOS晶体管(guan)的(de)电流—电压特(te)性(xing)。表2.2列出(chu)了MOS晶体管(guan)的(de)种类以(yi)及阈值电压的(de)极性(xing)。

耗尽型MOS晶体管的OFF状态发生在栅极加负的电压，使栅极—源极间电压处于VGS

耗(hao)尽(jin)型晶体(ti)管对于(yu)模拟电(dian)(dian)路设计来说是一种很方便的器(qi)件。例如，使用耗(hao)尽(jin)型晶体(ti)管的1V以(yi)下(xia)的电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya)下(xia)工作的rail to rail工作的OP放大(da)器(qi)。另外(wai)，如图(tu)2. 14所(suo)示，栅极(ji)和源极(ji)接(jie)地的耗(hao)尽(jin)型NMOS晶体(ti)管可以(yi)作为电(dian)(dian)流源使用。由于(yu)VGS=o，所(suo)以(yi)漏极(ji)电(dian)(dian)流可以(yi)表示为