MOS管的作用

MOS管(guan)为(wei)压(ya)(ya)控(kong)元件,你只(zhi)需加(jia)到它的(de)(de)(de)压(ya)(ya)控(kong)元件所需电(dian)压(ya)(ya)就(jiu)能使它导通(tong),它的(de)(de)(de)导通(tong)就(jiu)像(xiang)三(san)极(ji)管(guan)在饱和状(zhuang)态(tai)一样,导通(tong)结(jie)的(de)(de)(de)压(ya)(ya)降最(zui)小(xiao).这(zhei)就(jiu)是常说的(de)(de)(de)精典是开关作用.去掉这(zhei)个控(kong)制电(dian)压(ya)(ya)经就(jiu)截止. MOS管(guan)的(de)(de)(de)英文全称叫MOSFET，即金属氧化物半导体型场(chang)效(xiao)应管(guan)，属于场(chang)效(xiao)应晶体管(guan)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)绝缘栅(zha)型。因而，MOS管(guan)有时被(bei)称为(wei)场(chang)效(xiao)应管(guan)。在普通(tong)电(dian)子电(dian)路中(zhong)(zhong)，MOS管(guan)通(tong)常被(bei)用于放大电(dian)路或开关电(dian)路。而在主板(ban)上的(de)(de)(de)电(dian)源稳(wen)压(ya)(ya)电(dian)路中(zhong)(zhong)，MOSFET扮演的(de)(de)(de)角色主要是判别电(dian)位，它在主板(ban)上常用“Q”加(jia)数字表(biao)示。

一、MOS管作用是(shi)什么？

MOS管，即(ji)在(zai)(zai)集成电路中绝缘性场效(xiao)应管。MOS英文全称(cheng)为金(jin)属-氧(yang)化物-半(ban)导(dao)体，描述了(le)集成电路中的结构(gou)，即(ji)：在(zai)(zai)一(yi)定结构(gou)的半(ban)导(dao)体器件上(shang)，加(jia)上(shang)二氧(yang)化硅和(he)(he)金(jin)属，形(xing)(xing)成栅极。MOS管的source和(he)(he)drain是可以对调的，都是在(zai)(zai)P型(xing)backgate中形(xing)(xing)成的N型(xing)区。

MOS管可(ke)以用作(zuo)(zuo)可(ke)变电阻也可(ke)应(ying)(ying)用于放大。由(you)于场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管放大器(qi)的(de)输入(ru)阻抗(kang)(kang)很高，因此耦合(he)电容可(ke)以容量较小，不必(bi)使用电解电容器(qi)。且场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管很高的(de)输入(ru)阻抗(kang)(kang)非(fei)常适合(he)作(zuo)(zuo)阻抗(kang)(kang)变换。常用于多级(ji)放大器(qi)的(de)输入(ru)级(ji)作(zuo)(zuo)阻抗(kang)(kang)变换。场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管可(ke)以方(fang)便地用作(zuo)(zuo)恒流(liu)源也可(ke)以用作(zuo)(zuo)电子开关(guan)。

有(you)些场(chang)效应管的源(yuan)极(ji)和漏极(ji)可(ke)(ke)以互换(huan)使用，栅(zha)压也可(ke)(ke)正可(ke)(ke)负(fu)，灵活性比晶体(ti)管好。场效应管(guan)能在很小电(dian)流和(he)很低电(dian)压的(de)条件(jian)下(xia)工作，而(er)且(qie)它的(de)制(zhi)造(zao)工艺可以(yi)很方(fang)便地把很多场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)集成(cheng)在一块硅片上，因(yin)此场(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)在大规模集成(cheng)电(dian)路中得到了广泛的(de)应用。

在(zai)一般电(dian)子电(dian)路中，通常被用于放大(da)电(dian)路或开关(guan)电(dian)路。而在(zai)主板上的(de)电(dian)源稳压(ya)电(dian)路中，MOSFET扮(ban)演的角色主(zhu)要是判断电位，它在主(zhu)板上常用“Q”加数(shu)字表示。

目前(qian)在主板(ban)或显卡上所采用(yong)(yong)的(de)并(bing)不是太多，一般有10个左右，主要原因是大(da)部分被(bei)整合到IC芯片(pian)中去了(le)。由于主要是为(wei)配件(jian)提供稳定的(de)电压(ya)，所以(yi)它(ta)一般使用(yong)(yong)在CPU、AGP插槽(cao)和(he)内存插槽(cao)附近。其中在CPU与AGP插槽(cao)附近各(ge)安排一组MOS管，而内存插槽(cao)则共用(yong)(yong)了(le)一组MOS管，一般是以(yi)两(liang)个组成(cheng)一组的(de)形式出(chu)现主板(ban)上的(de)。

还有一(yi)个非常重(zhong)要的(de)性能参(can)数。主要包括(kuo)环境温度、管(guan)壳温度、贮(zhu)成温度等。由(you)于CPU频率的(de)提(ti)高，MOS管(guan)需(xu)要承(cheng)受(shou)的(de)电流(liu)也(ye)随着增强，提(ti)供近(jin)百A的(de)电流(liu)已经很常见(jian)了。

二(er)、MOS管的性能参数有哪(na)些？

优质的(de)(de)MOS管(guan)(guan)(guan)可以接(jie)受的(de)(de)电流峰值(zhi)更高(gao)(gao)。普(pu)通状况下(xia)我们要(yao)判别主板(ban)上(shang)(shang)MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)质量(liang)(liang)上(shang)(shang)下(xia)，能够看它(ta)能接(jie)受的(de)(de)最大电流值(zhi)。影响MOS管(guan)(guan)(guan)质量(liang)(liang)上(shang)(shang)下(xia)的(de)(de)参数十(shi)(shi)分多(duo)，像极端电流、极端电压(ya)等(deng)(deng)。但在MOS管(guan)(guan)(guan)上(shang)(shang)无法标注这么多(duo)参数，所以在MOS管(guan)(guan)(guan)外表(biao)普(pu)通只标注了(le)产品的(de)(de)型号，我们能够依据该型号上(shang)(shang)网查(cha)找详(xiang)细的(de)(de)性(xing)能参数。 还要(yao)阐明(ming)的(de)(de)是(shi)(shi)，温(wen)(wen)度(du)也是(shi)(shi)MOS管(guan)(guan)(guan)一个(ge)十(shi)(shi)分重要(yao)的(de)(de)性(xing)能参数。主要(yao)包括环(huan)境温(wen)(wen)度(du)、管(guan)(guan)(guan)壳温(wen)(wen)度(du)、贮成(cheng)温(wen)(wen)度(du)等(deng)(deng)。由于CPU频率的(de)(de)进步，MOS管(guan)(guan)(guan)需求接(jie)受的(de)(de)电流也随(sui)着加强，提供(gong)近百A的(de)(de)电流曾经很常见了(le)。如此(ci)宏大的(de)(de)电流经过时产生(sheng)的(de)(de)热量(liang)(liang)当然使MOS管(guan)(guan)(guan)“发烧”了(le)。为了(le)MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)平安，高(gao)(gao)质量(liang)(liang)主板(ban)也开端为MOS管(guan)(guan)(guan)加装散热片了(le)。

三(san)、电(dian)感(gan)与MOS管(guan)是(shi)如何(he)协作(zuo)的？

经(jing)过(guo)上(shang)面的(de)(de)(de)(de)引见(jian)，我们晓得(de)MOS管(guan)关(guan)(guan)于整个供(gong)电(dian)(dian)(dian)系统(tong)起着稳压(ya)(ya)的(de)(de)(de)(de)作用(yong)(yong)，但是MOS管(guan)不(bu)能(neng)(neng)(neng)单(dan)独运(yun)用(yong)(yong)，它(ta)必需和(he)电(dian)(dian)(dian)感(gan)线圈、电(dian)(dian)(dian)容(rong)等共同组成(cheng)的(de)(de)(de)(de)滤波(bo)稳压(ya)(ya)电(dian)(dian)(dian)路，才干(gan)发挥充沛它(ta)的(de)(de)(de)(de)优势。 主板上(shang)的(de)(de)(de)(de)PWM(PlusWidthModulator，脉(mai)冲(chong)(chong)宽度调(diao)制器)芯片产(chan)生(sheng)一个宽度可(ke)调(diao)的(de)(de)(de)(de)脉(mai)冲(chong)(chong)波(bo)形，这(zhei)(zhei)样能(neng)(neng)(neng)够使(shi)两(liang)只MOS管(guan)轮番导通(tong)。当(dang)负(fu)(fu)载两(liang)端(duan)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)(如CPU需求的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya))要(yao)降低时(shi)，这(zhei)(zhei)时(shi)MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)开(kai)关(guan)(guan)作用(yong)(yong)开(kai)端(duan)生(sheng)效(xiao)，外(wai)部电(dian)(dian)(dian)源(yuan)对电(dian)(dian)(dian)感(gan)停止充电(dian)(dian)(dian)并到达所(suo)需的(de)(de)(de)(de)额定(ding)(ding)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)。当(dang)负(fu)(fu)载两(liang)端(duan)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)升(sheng)高时(shi)，经(jing)过(guo)MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)开(kai)关(guan)(guan)作用(yong)(yong)，外(wai)部电(dian)(dian)(dian)源(yuan)供(gong)电(dian)(dian)(dian)断开(kai)，电(dian)(dian)(dian)感(gan)释放出(chu)方才充入的(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)量(liang)，这(zhei)(zhei)时(shi)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)感(gan)就变(bian)成(cheng)了“电(dian)(dian)(dian)源(yuan)”，继(ji)续对负(fu)(fu)载供(gong)电(dian)(dian)(dian)。随着电(dian)(dian)(dian)感(gan)上(shang)存储能(neng)(neng)(neng)量(liang)的(de)(de)(de)(de)不(bu)时(shi)耗(hao)费，负(fu)(fu)载两(liang)端(duan)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)又(you)开(kai)端(duan)逐步降低，外(wai)部电(dian)(dian)(dian)源(yuan)经(jing)过(guo)MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)开(kai)关(guan)(guan)作用(yong)(yong)又(you)要(yao)充电(dian)(dian)(dian)。这(zhei)(zhei)样循环不(bu)时(shi)地(di)停止充电(dian)(dian)(dian)和(he)放电(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)过(guo)程(cheng)，从而构成(cheng)一种稳定(ding)(ding)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)，永远(yuan)使(shi)负(fu)(fu)载两(liang)端(duan)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)不(bu)会(hui)升(sheng)高也不(bu)会(hui)降低。

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