简单场效应管功放

场应管(guan)(guan)偶(ou)次谐波丰厚，听感颇有(you)电(dian)子(zi)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)风味。而且其输出功率相比电(dian)子(zi)管(guan)(guan)能够做得(de)很大，且本钱(qian)不高(gao)，所以(yi)前(qian)级配场效应管(guan)(guan)功放(fang)，在发(fa)烧圈内(nei)很流行。 本电(dian)路输入局(ju)部较为(wei)简沾。采(cai)用一对性能指标完整(zheng)分歧(qi)的(de)(de)(de)音频低噪声管(guan)(guan)C1815组成差分放(fang)大电(dian)路。由负载输出端的(de)(de)(de)33kΩ电(dian)阻和(he)1kΩ电(dian)阻经分压反应到BG2的(de)(de)(de)基极，自动均衡输出管(guan)(guan)的(de)(de)(de)工作(zuo)电(dian)压，省(sheng)去调整(zheng)中点电(dian)压的(de)(de)(de)费事，实测<50mV。

BG3是(shi)一级(ji)恒流源(yuan)，以改善差(cha)分(fen)放大电路的(de)(de)共模抑(yi)止比(bi)。其基极(ji)电位是(shi)由发光(guang)二(er)极(ji)管(guan)提供，性(xing)能(neng)和(he)信(xin)噪比(bi)优于稳压(ya)二(er)极(ji)管(guan)，使BG3的(de)(de)基极(ji)电位控制在1.8V左右。工作(zuo)时，该(gai)管(guan)还(hai)可起到指(zhi)示灯的(de)(de)作(zuo)用。BG5是(shi)另一级(ji)恒流源(yuan)，使BG4的(de)(de)电压(ya)增益有较大进(jin)步(bu)。

BG6、BG7、BG8为中(zhong)功(gong)率(lv)电(dian)(dian)(dian)压放大推进管(guan)。其(qi)中(zhong)BG6起到调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)整(zheng)整(zheng)机静(jing)态(tai)电(dian)(dian)(dian)流(liu)的作(zuo)用(yong)，调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)整(zheng)元件只要带(dai)锁紧螺栓的VR一个。调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)试前，该(gai)可调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)电(dian)(dian)(dian)阻置于中(zhong)间(jian)位置，用(yong)1A直(zhi)流(liu)电(dian)(dian)(dian)流(liu)表串接在正电(dian)(dian)(dian)源和二只功(gong)率(lv)管(guan)的D极，微(wei)调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)VR，阻值大则(ze)电(dian)(dian)(dian)流(liu)大，普通调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)整(zheng)在200mA左右，并(bing)锁紧可调(diao)(diao)(diao)(diao)(diao)电(dian)(dian)(dian)阻。由(you)于场(chang)(chang)效应管(guan)的负温度特(te)性，静(jing)态(tai)电(dian)(dian)(dian)流(liu)会(hui)自(zi)动减流(liu)。但不会(hui)影(ying)响整(zheng)机的正常工作(zuo)。8只场(chang)(chang)敏应管(guan)应尽最(zui)配对分歧(qi)，这样可避(bi)免(mian)某(mou)管(guan)发热最(zui)大的情(qing)况(kuang)。K85l、K854等场(chang)(chang)效应管(guan)拆机品(pin)价钱非常低(di)廉，性能稳定，音质表现(xian)较(jiao)好。

本机耦(ou)合(he)电(dian)容(rong)器(qi)仪有输入端每声(sheng)道一(yi)个，一(yi)定要(yao)采用CBB无(wu)感电(dian)容(rong)。笔者(zhe)经(jing)过(guo)实验。任何(he)电(dian)解(jie)电(dian)容(rong)（包括极品），由(you)于存在一(yi)定的漏电(dian)率。卷绕(rao)电(dian)感和转换速率低(di)等缺陷，在大音状(zhuang)态下(xia)都(dou)不能胜任。声(sheng)音听感欠佳。

电源采用100W以上变(bian)压器。次级(ji)交流电压为2x26V或2x28V。整流桥电流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速电解电容(rong)作(zuo)滤波。并且并联上lμFCBB电容(rong)作(zuo)高频(pin)退耦。

扬声(sheng)器维护电(dian)路装置(zhi)完成后，可实验一下能否(fou)正常，办法是单(dan)独接通维护器电(dian)源，儿(er)秒钟内(nei)继(ji)电(dian)器J虚吸合(he)。在(zai)10kΩ电(dian)阻(zu)上(shang)端与(yu)地接1.5V干电(dian)池(chi)。继(ji)电(dian)器又(you)马上(shang)断开。标明工(gong)作(zuo)正常。 输入端电(dian)他器中心点(dian)接头，由(you)R、C和K组成超低(di)音提升电(dian)路。小音最时按下开关后，低(di)音得(de)(de)到(dao)明显(xian)提升，觉得(de)(de)声(sheng)浪阵阵而来，效果(guo)确实不错。

优点：

1、MOS 管功放(fang)具(ju)有鼓(gu)励(li)功率(lv)小，输(shu)(shu)出(chu)功率(lv)大，输(shu)(shu)出(chu)漏极(ji)电(dian)流具(ju)有负温度系数，平安牢靠，且有工作(zuo)频率(lv)高，偏置简单等(deng)优点。以运放(fang)的输(shu)(shu)出(chu)作(zuo)为OCL 的输(shu)(shu)入，到达(da)抑止零点漂移的效果(guo)。

2、中音厚，没有三极管那么大的交越失真(zhen)。

电(dian)流推(tui)(tui)(tui)进(jin)(jin)级(ji)通常由一(yi)至(zhi)二级(ji)组成(cheng)，为(wei)了降低输(shu)出阻抗、增加阻尼系(xi)数(shu)，常采用二级(ji)电(dian)流推(tui)(tui)(tui)进(jin)(jin)。为(wei)了防止电(dian)流推(tui)(tui)(tui)进(jin)(jin)级(ji)产生(sheng)开(kai)(kai)关失(shi)真，较好的作法是、采用MOS管并增大(da)本级(ji)的静(jing)态电(dian)流，这样本级(ji)不会(hui)产生(sheng)开(kai)(kai)关失(shi)真，由于(yu)任何状况(kuang)下电(dian)流推(tui)(tui)(tui)进(jin)(jin)级(ji)一(yi)直处于(yu)放大(da)区，所以电(dian)流输(shu)出级(ji)也(ye)一(yi)直处于(yu)放大(da)区，因(yin)而输(shu)出级(ji)同(tong)样不会(hui)产生(sheng)开(kai)(kai)关失(shi)真和交越(yue)失(shi)真。

3、MOS管的线性比晶体管好。

缺点：

1、低(di)频的(de)温和(he)(he)度比(bi)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)差，MOSFET开(kai)关(guan)(guan)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)容(rong)易(yi)被输(shu)(shu)出(chu)(chu)和(he)(he)输(shu)(shu)入过载损坏(huai),MOSFET场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)既具有(you)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)的(de)根本优(you)点。但运用(yong)不(bu)(bu)(bu)久发(fa)现(xian)这种功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)的(de)牢靠(kao)性不(bu)(bu)(bu)高(gao)（无(wu)法外(wai)(wai)电路(lu)维护），开(kai)关(guan)(guan)速度进步(bu)得不(bu)(bu)(bu)多和(he)(he)最(zui)大(da)输(shu)(shu)出(chu)(chu)功(gong)(gong)(gong)(gong)率仅为150W/8Ω等。90年代(dai)初(chu)，MOSFET的(de)制造技(ji)术有(you)了(le)很(hen)大(da)打破，呈现(xian)了(le)一种高(gao)速MOSFET大(da)功(gong)(gong)(gong)(gong)率开(kai)关(guan)(guan)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)。西班牙(ya)艺(yi)格公司（ECLER）经多年研讨(tao)，攻克了(le)非毁坏(huai)性维护系统的(de)SPM专(zhuan)利技(ji)术，推出(chu)(chu)了(le)集电子(zi)管(guan)功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)和(he)(he)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)两者优(you)点分(fen)离的(de)第3代(dai)功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)产(chan)品，在(zai)欧洲市(shi)场(chang)(chang)上取(qu)得了(le)认可，并逐渐在(zai)世界(jie)上得到了(le)应用(yong)。第3代(dai)MOSFET功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)的(de)中频和(he)(he)高(gao)频音(yin)质接近电子(zi)管(guan)功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)，但低(di)频的(de)温和(he)(he)度比(bi)晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)功(gong)(gong)(gong)(gong)放(fang)(fang)差一些，此外(wai)(wai)MOSFET开(kai)关(guan)(guan)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应管(guan)容(rong)易(yi)被输(shu)(shu)出(chu)(chu)和(he)(he)输(shu)(shu)入过载损坏(huai)。

2、开启电(dian)压太高。

3、偏流(liu)开很大(da)，还是有(you)一定(ding)的(de)交(jiao)越失真(zhen),没交(jiao)越失真(zhen)，差(cha)不多能够赶(gan)上三极(ji)管(guan)的(de)甲(jia)类输(shu)出功耗(hao)。

4、MOS管不(bu)好(hao)配(pei)(pei)对(dui)在同(tong)一批(pi)次(ci)管，相对(dui)来说要好(hao)配(pei)(pei)对(dui)一点。

5、MOS管(guan)(guan)的(de)低频(pin)下太硬,用MOS功(gong)放听出所(suo)谓电子(zi)(zi)管(guan)(guan)音(yin)色(se)有一个(ge)简(jian)单方法，把普通三(san)(san)极管(guan)(guan)功(gong)放里的(de)电压推(tui)进(jin)三(san)(san)极管(guan)(guan)换成JFET，JFET才真正具有电子(zi)(zi)管(guan)(guan)音(yin)色(se)。

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