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什(shen)么是MOS管？

MOS管有很多种封装，TO-220是最长(zhang)见(jian)的直(zhi)插封装，另外还有各种直(zhi)插和(he)贴片封装，大家没有见(jian)过的话，能够去某网站(zhan)搜(sou)一下见(jian)见(jian)。

什么状况下用MOS管？

 我们(men)晓(xiao)得(de)，三(san)极管(guan)最大的电流也就(jiu)是1.5A左右了，高(gao)于(yu)1.5A的三(san)极管(guan)很少见。高(gao)于(yu)1.5A，人们(men)普通就(jiu)用MOS管(guan)驱动了。比方(fang)驱动电机。

电(dian)(dian)机(ji)的(de)线(xian)圈，简(jian)直没有电(dian)(dian)阻，所以启动电(dian)(dian)流(liu)十分大。（为什(shen)么启动电(dian)(dian)流(liu)十分大，很(hen)(hen)多人(ren)学了欧姆(mu)定律却不会(hui)用，I=U/R，由(you)于(yu)R很(hen)(hen)小，所以I很(hen)(hen)大。）

电(dian)机启动以后，电(dian)流(liu)就会(hui)减小，由于线(xian)圈产生了反电(dian)动势(shi)。所(suo)以电(dian)机的参(can)数(shu)普通有堵转电(dian)流(liu)和正常(chang)工作(zuo)的电(dian)流(liu)等参(can)数(shu)。

单(dan)片机引脚能够直接MOS管驱动吗(ma)？

答：局部状况下，能够直(zhi)接(jie)驱动。

例如我们(men)做(zuo)小四轴时，驱动空心杯电(dian)机用的(de)(de)MOS管(guan)能够用单(dan)片机引脚直(zhi)接(jie)G极(ji)驱动。也就是说(shuo)，MOS管(guan)驱动的(de)(de)东西，供电(dian)电(dian)压(ya)和单(dan)片机一样的(de)(de)话(hua)，是能够直(zhi)接(jie)驱动的(de)(de)。

假如你的MOS管，是担任一个12V或者更高电压的电机的话，假如是NMOS管，Vgs电压普通小于4.5V，能够用5V的单片机引脚直接驱动。假如是PMOS管，那就只能在单片机之间加个三极管或者MOS管驱动芯片来驱动了。

当(dang)PWM信号上到(dao)20K或(huo)者(zhe)更高(gao)(gao)时(shi)，最好(hao)用驱动(dong)(dong)芯片来驱动(dong)(dong)，这时(shi)分，三极管(guan)也(ye)不好(hao)使了。你(ni)要(yao)亲身做过实验(yan)就会晓(xiao)得，频率太高(gao)(gao)的(de)(de)话，用三极管(guan)驱动(dong)(dong)，PWM波形就不是完好(hao)的(de)(de)矩形波了，会变(bian)形。而(er)且，固然MOS管(guan)是电压(ya)驱动(dong)(dong)型器件，假如频率太高(gao)(gao)的(de)(de)话，也(ye)是需(xu)求很大的(de)(de)驱动(dong)(dong)电流，单(dan)片机的(de)(de)引脚就无法(fa)输出(chu)它所需(xu)的(de)(de)驱动(dong)(dong)电流了。

几种MOS管和(he)三(san)极管的选择规律：

(1)MOS管是电(dian)压控制元件(jian)，而三极(ji)管是电(dian)流控制元件(jian)。在(zai)只(zhi)允许从(cong)(cong)信号(hao)源取较少(shao)电(dian)流的状(zhuang)况下，应(ying)(ying)选(xuan)用MOS管;而在(zai)信号(hao)电(dian)压较低，又允许从(cong)(cong)信号(hao)源取较多电(dian)流的条件(jian)下，应(ying)(ying)选(xuan)用三极(ji)管。

(2)电(dian)力电(dian)子(zi)技术中提及的单极(ji)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)是(shi)(shi)指(zhi)只靠(kao)一种(zhong)载(zai)流(liu)子(zi)导(dao)电(dian)的器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)，双极(ji)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)是(shi)(shi)指(zhi)靠(kao)两种(zhong)载(zai)流(liu)子(zi)导(dao)电(dian)的器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)。MOS管是(shi)(shi)应用一种(zhong)多数(shu)载(zai)流(liu)子(zi)导(dao)电(dian)，所以(yi)称之为(wei)单极(ji)型器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)，而三极(ji)管是(shi)(shi)既有多数(shu)载(zai)流(liu)子(zi)，也(ye)应用少(shao)数(shu)载(zai)流(liu)子(zi)导(dao)电(dian)。被称之为(wei)双极(ji)型器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)。

(3)有些MOS管的源极(ji)和漏极(ji)能够(gou)互换运用，栅压也可正可负，灵敏性比三极(ji)管好。

(4)MOS管能在很(hen)小电(dian)流和很(hen)低(di)电(dian)压的(de)条件下工作，而且它的(de)制造工艺(yi)能够很(hen)便当地把很(hen)多(duo)MOS管集成(cheng)(cheng)在一块硅片上，因而MOS管在大(da)范围集成(cheng)(cheng)电(dian)路中得到了普遍的(de)应用(yong)。

(5)MOS管(guan)具有(you)较(jiao)高输(shu)入(ru)阻抗和(he)低(di)噪声等优点，因此也被普遍应用(yong)于各种电(dian)子设备中。特(te)别用(yong)MOS管(guan)做整(zheng)个(ge)电(dian)子设备的(de)输(shu)入(ru)级，能(neng)够取得普通三(san)极管(guan)很(hen)难到达(da)的(de)性能(neng)。

(6)MOS管(guan)分(fen)红结型(xing)和绝缘(yuan)栅型(xing)两大类，其控制原理都是一样的

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