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引言本文

功率(lv)开(kai)关(guan)(guan)器(qi)件(jian)在(zai)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)力电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子设(she)备(bei)中占领着中心位置(zhi)，它的(de)(de)(de)牢靠工(gong)作(zuo)是整(zheng)个(ge)安(an)装正常(chang)运转的(de)(de)(de)根本条件(jian)。功率(lv)开(kai)关(guan)(guan)器(qi)件(jian)的(de)(de)(de)驱动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)是主(zhu)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)与控(kong)(kong)制电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)之间(jian)的(de)(de)(de)接口(kou)，是电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)力电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子安(an)装的(de)(de)(de)重要局部。它对整(zheng)个(ge)设(she)备(bei)的(de)(de)(de)性能(neng)有很大的(de)(de)(de)影响，其作(zuo)用是将控(kong)(kong)制回路(lu)(lu)输出的(de)(de)(de)控(kong)(kong)制脉冲放大到足以驱动功率(lv)开(kai)关(guan)(guan)器(qi)件(jian)。简(jian)而言(yan)之，驱动电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)(de)(de)根本任务就是将控(kong)(kong)制电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)传来的(de)(de)(de)信号(hao)，转换(huan)为加在(zai)器(qi)件(jian)控(kong)(kong)制端和公共端之间(jian)的(de)(de)(de)能(neng)够使其导通和关(guan)(guan)断(duan)的(de)(de)(de)信号(hao)。

同样的mos管功(gong)率器件(jian)(jian)，采用不同(tong)的(de)(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)电路(lu)(lu)将得到不同(tong)的(de)(de)(de)开(kai)关(guan)特(te)性(xing)(xing)。采用性(xing)(xing)能(neng)良好的(de)(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)电路(lu)(lu)能(neng)够(gou)使(shi)功(gong)率(lv)开(kai)关(guan)器件(jian)(jian)工(gong)作在比拟(ni)理(li)想的(de)(de)(de)开(kai)关(guan)状态， 同(tong)时缩短开(kai)关(guan)时间(jian)，减小(xiao)开(kai)关(guan)损耗，对安装的(de)(de)(de)运转效(xiao)率(lv)，牢靠性(xing)(xing)和(he)平安性(xing)(xing)都有重(zhong)要的(de)(de)(de)意义。因(yin)而驱(qu)(qu)动(dong)电路(lu)(lu)的(de)(de)(de)优(you)劣直接影响主(zhu)电路(lu)(lu)的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)，驱(qu)(qu)动(dong)电路(lu)(lu)的(de)(de)(de)合理(li)化设计显得越来越重(zhong)要。晶闸管体积小(xiao)，重(zhong)量轻，效(xiao)率(lv)高，寿命长，运用便当，能(neng)够(gou)便当的(de)(de)(de)停止整流(liu)(liu)和(he)逆(ni)变(bian)，且能(neng)够(gou)在不改动(dong)电路(lu)(lu)构造的(de)(de)(de)前提(ti)下，改动(dong)整流(liu)(liu)或逆(ni)变(bian)电流(liu)(liu)的(de)(de)(de)大(da)小(xiao)。IGBT 是(shi)(shi) mosFET 和(he) GTR的(de)(de)(de)复合器件(jian)(jian)，它具有开(kai)关(guan)速(su)度快(kuai)、热稳定性(xing)(xing)好、驱(qu)(qu)动(dong)功(gong)率(lv)小(xiao)和(he)驱(qu)(qu)动(dong)电路(lu)(lu)简单的(de)(de)(de)特(te)性(xing)(xing)，又具有通态压(ya)降小(xiao)、耐压(ya)高和(he)接受电流(liu)(liu)大(da)等优(you)点。IGBT作为主(zhu)流(liu)(liu)的(de)(de)(de)功(gong)率(lv)输出器件(jian)(jian)， 特(te)别是(shi)(shi)在大(da)功(gong)率(lv)的(de)(de)(de)场所，曾经被普(pu)遍的(de)(de)(de)应用于各个范(fan)畴。

mos管开关器件(jian)理想(xiang)的(de)驱动(dong)电路应满足以下(xia)请求：

(1)功率(lv)开关管(guan)开通(tong)时，驱动电(dian)(dian)路可以提供快(kuai)速上升的(de)基极电(dian)(dian)流，使得开启时有(you)足够的(de)驱动功率(lv)，从(cong)而减小开通(tong)损耗。

(2)开关管导通期间(jian)，mos驱(qu)动电路提(ti)供(gong)的(de)基极电流在任(ren)何负载状况下(xia)都能(neng)保证功率管处于饱(bao)和导通状态，保证比拟(ni)低的(de)导通损耗。为减小存储时间(jian)，器件关断前应处于临界饱(bao)和状态。

(3)关断时，驱动电路应提供足够的反向基极驱动，以疾速的抽出基区的剩余载流子，减小存储时间;　　并加反偏截止电压，使集电极电流疾速降落以减小降落时间。当然，晶闸管的关断主要还是靠反向阳极压降来完成关断的。
目前来说，关于晶闸管的驱动用的比拟多的只是经过变压器或者光耦隔离来把低压端与高压端隔开，再经过转换电路来驱动晶闸管的导通。而关于 IGBT来说目前用的较多的是 IGBT 的驱动模块，也有集成了 IGBT、 系统自维护、 自诊断等各个功用模块的 IPM。
本文(wen)针对(dui)我们所用到(dao)的(de)晶闸管(guan)，设计(ji)实验驱(qu)动电路，并停(ting)止实考证明了(le)(le)它能够驱(qu)动晶闸管(guan)。而关于 IGBT的(de)驱(qu)动，本文(wen)主要引见了(le)(le)目前主要的(de)几种 IGBT 的(de)驱(qu)动方(fang)(fang)式，以及与它们相对(dui)应的(de)驱(qu)动电路，并对(dui)最常用的(de)光耦(ou)隔离的(de)驱(qu)动方(fang)(fang)式停(ting)止了(le)(le)仿(fang)真实验。

2.晶(jing)闸管(guan)驱(qu)动(dong)电路的(de)研(yan)讨 普通来说晶(jing)闸管(guan)的(de)工作状况是：

(1)晶闸管接(jie)受反向(xiang)阳极电压时，不管门极接(jie)受何种电压，晶闸管都(dou)处于关(guan)断状态。

(2)晶(jing)闸管(guan)接(jie)(jie)受正向(xiang)阳极电(dian)压时，仅(jin)在门(men)极接(jie)(jie)受正向(xiang)电(dian)压的状况下(xia)晶(jing)闸管(guan)才导通。

(3)晶闸管在导通状况下，只需有一定的正向阳极电压，不管门极电压如何，晶闸管坚持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。　　(4)晶闸管在导通状况下，当主回路电压(或电流)减小到接近于零时，晶闸管关断。我们选用的是晶闸管是 TYN1025，它的耐压是600 到 1000V，电流最大到达 25A。它所需求的门级驱动电压是 10 到 20V，驱动电流是 4 到 40mA。而它的维持电流是 50mA，擎住电流是 90mA。无论是 DSP 还是 CPLD 所发出的触发信号的幅值只要 5V。首先，先把只要 5V 的幅值转换成 24V，然后经过一个 2：1 的隔离变压器把 24V 的触发信号转换成 12V 的触发信号，同时完成了上下压隔离的功用。

实验电路的设计与剖析(xi)

实验设计总(zong)电(dian)路图(tu)如下图(tu) 1 所示(shi)首(shou)先是(shi)升压电(dian)路，由于(yu)后级的(de)(de)(de)(de)隔离变压器(qi)电(dian)路中(zhong)的(de)(de)(de)(de) MOS 管器(qi)件需(xu)求 15V 的(de)(de)(de)(de)触发信(xin)号，所以，需(xu)求先把幅值 5V 的(de)(de)(de)(de)触发信(xin)号转成 15V 的(de)(de)(de)(de)触发信(xin)号，经(jing)过 MC14504 把 5V 的(de)(de)(de)(de)信(xin)号， 转换成为 15V的(de)(de)(de)(de)信(xin)号，然后再经(jing)过 CD4050 对(dui)输出(chu)的(de)(de)(de)(de) 15V 驱动信(xin)号整形， 实验的(de)(de)(de)(de)波形图(tu)如图(tu) 3 所示(shi)， 通道(dao) 2 接的(de)(de)(de)(de)是(shi) 5V 输入信(xin)号，通道(dao) 1 接的(de)(de)(de)(de)是(shi)输出(chu)的(de)(de)(de)(de) 15V 的(de)(de)(de)(de)触发信(xin)号。

第二局部是隔(ge)离变压(ya)器电路，实验(yan)电路图如图 4所示，该(gai)电路的(de)(de)(de)(de)主要功用是：把 15V 的(de)(de)(de)(de)触(chu)发信(xin)号，转换成为 12V 的(de)(de)(de)(de)触(chu)发信(xin)号去触(chu)发后(hou)面的(de)(de)(de)(de)晶闸(zha)管(guan)的(de)(de)(de)(de)导通，并且做到 15V 的(de)(de)(de)(de)触(chu)发信(xin)号与后(hou)级之距离。

该电(dian)(dian)路的工(gong)作原理是(shi)：由于(yu)(yu) MOS 管(guan)(guan)(guan) IRF640 的驱动(dong)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)为(wei) 15V，所以，首先(xian)是(shi)在(zai) J1 处(chu)接(jie)入 15V 的方波信(xin)号，经(jing)过(guo)(guo)电(dian)(dian)阻 R4 接(jie)稳压(ya)(ya)(ya)管(guan)(guan)(guan) 1N4746，使触发(fa)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)稳定，也使得(de)触发(fa)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)不至于(yu)(yu)过(guo)(guo)高，烧坏(huai) MOS 管(guan)(guan)(guan)，然后(hou)(hou)接(jie)到 MOS 管(guan)(guan)(guan) IRF640(其实(shi)(shi)这(zhei)就(jiu)是(shi)个开关管(guan)(guan)(guan)，控制后(hou)(hou)端的开通(tong)和(he)关断(duan)(duan)) ， MOS 管(guan)(guan)(guan)的工(gong)作图(tu)(tu)如(ru)下(xia)图(tu)(tu) 5， 经(jing)过(guo)(guo)控制驱动(dong)信(xin)号的占空比， 能够(gou)控制 MOS 管(guan)(guan)(guan)的开通(tong)和(he)关断(duan)(duan)时间。当 MOS 管(guan)(guan)(guan)开通(tong)时，相当于(yu)(yu)它的 D 极(ji)接(jie)地，关断(duan)(duan)时是(shi)断(duan)(duan)开的，经(jing)过(guo)(guo)后(hou)(hou)级电(dian)(dian)路相当于(yu)(yu)接(jie) 24V。而变压(ya)(ya)(ya)器就(jiu)是(shi)经(jing)过(guo)(guo)电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)的变化来(lai)使右(you)端输出(chu) 12V 的信(xin)号。变压(ya)(ya)(ya)器右(you)端接(jie)一(yi)个整流桥，然后(hou)(hou)从接(jie)插件 X1 输出(chu) 12V的信(xin)号。下(xia)图(tu)(tu) 6 为(wei)该实(shi)(shi)验(yan)电(dian)(dian)路的仿真(zhen)波形图(tu)(tu)，为(wei)了便(bian)当看清，我把 B 通(tong)道的正负(fu)引脚颠倒(dao)，测(ce)出(chu)图(tu)(tu)中的电(dian)(dian)压(ya)(ya)(ya)为(wei)负(fu)的，不过(guo)(guo)幅值是(shi)正确的。图(tu)(tu) 7 是(shi)该电(dian)(dian)路的实(shi)(shi)验(yan)波形图(tu)(tu)，与仿真(zhen)波形图(tu)(tu)一(yi)样。

实验(yan)过程(cheng)中遇到(dao)的问题

首先，开端上电时，保险丝忽然熔断，后来查电路时发现最初的电路设计有问题。最初为了它的开关管输出的效果更好，把24V的地和15V 的地隔开，这就使得MOS管(guan)的(de)(de)(de)门极(ji)G极(ji)相当于后面的(de)(de)(de)S极(ji)是悬空(kong)的(de)(de)(de)，招致误触发(fa)。处(chu)理方法是把24V和15V的(de)(de)(de)地(di)接(jie)(jie)在一同，再次停止实验(yan)，电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)工作正常(chang)。电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)衔接(jie)(jie)正常(chang)，但是当参加(jia)驱动(dong)信号(hao)时，MOS管(guan)发(fa)热(re)，加(jia)驱动(dong)信号(hao)一段(duan)时间后，保险丝(si)熔断，再加(jia)驱动(dong)信号(hao)时，保险丝(si)直接(jie)(jie)熔断。检(jian)查电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)发(fa)现，驱动(dong)信号(hao)的(de)(de)(de)高电(dian)(dian)(dian)(dian)平占空(kong)比(bi)过大，招致MOS管(guan)的(de)(de)(de)开通(tong)时间太长(zhang)。这(zhei)个电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)设计使得(de)当MOS管(guan)开通(tong)时，24V直接(jie)(jie)加(jia)到(dao)MOS管(guan)的(de)(de)(de)两端，并没有加(jia)限(xian)流电(dian)(dian)(dian)(dian)阻，假如(ru)导通(tong)时间过长(zhang)就(jiu)使得(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流过大，MOS管(guan)损(sun)坏(huai)，需求(qiu)调理信号(hao)　的(de)(de)(de)占空(kong)比(bi)不能太大，普通(tong)在 10%~20%左右(you)。

2.3 驱动(dong)电路的验(yan)证

为了验证驱动(dong)电(dian)路的(de)可行性(xing)，我(wo)们(men)用(yong)它来驱动(dong)串(chuan)连(lian)在一同的(de)晶(jing)闸管(guan)电(dian)路，实验电(dian)路图如下图8所示，互相串(chuan)联(lian)的(de)晶(jing)闸管(guan)再反并(bing)联(lian)后(hou)，接(jie)入带有感抗的(de)电(dian)路中，电(dian)源(yuan)是 380V 的(de)交(jiao)流电(dian)压(ya)源(yuan)。

在这个电路中，晶闸管Q2、Q8的触发信号经过G11和G12接入，而Q5、Q11的触发信号经过G21、G22接入。在驱动信号接到晶闸管门级之前，为了进步晶闸管的抗干扰才能，在晶闸管的门极衔接一个电阻和电容。这个电路接电感后，再投入到主电路中。经过控制晶闸管的导通角，来控制大电感投入到主电路的时间， 上下电路的触发信号的相角相差半个周期，上路的 G11 和G12是一路的触发信号，经过前级的驱动电路中的隔离变压器互相隔离，下路的 G21 和 G22同样也是隔离的同一路信号。 实验波形图如图 9 所示，两路的触发信号触发反并联晶闸管电路正反导通，上面的 1 通道接的是整个晶闸管电路的电压，在晶闸管导通时它变为 0，而 2、3 通道接的是晶闸管电路上下路的触发信号，4 通道测得是流过整个晶闸管的电流。
2 通(tong)道(dao)测得有正(zheng)(zheng)向的触(chu)发信(xin)号时，触(chu)发上面(mian)的晶(jing)闸管(guan)导(dao)通(tong)，电流(liu)为(wei)正(zheng)(zheng);3 通(tong)道(dao)测得有反向的触(chu)发信(xin)号时，触(chu)发下(xia)路的晶(jing)闸管(guan)导(dao)通(tong)，电流(liu)为(wei)负。

3.IGBT 驱动电(dian)路的研讨(tao)IGBT 对驱动电(dian)路有(you)许多(duo)特殊的请求，概括起(qi)来有(you)：

(1)驱动电压脉(mai)冲的(de)上升(sheng)率和降落(luo)率要(yao)充沛大。IGBT 开(kai)(kai)通(tong)时(shi)， 前沿(yan)峻峭(qiao)的(de)栅极(ji)电压加(jia)到栅极(ji) G 与发射(she)极(ji) E 之间(jian)(jian)，使(shi)(shi)其快速(su)开(kai)(kai)通(tong)，到达开(kai)(kai)通(tong)时(shi)间(jian)(jian)最短，以减(jian)小(xiao)(xiao)开(kai)(kai)通(tong)损(sun)(sun)耗。在(zai) IGBT 关(guan)断的(de)时(shi)分，其栅极(ji)驱动电路(lu)要(yao)提供应 IGBT 降落(luo)沿(yan)很陡的(de)关(guan)断电压，并给(ji)IGBT 的(de)栅极(ji) G 与发射(she)极(ji) E 之间(jian)(jian)施加(jia)恰当的(de)反(fan)向偏置电压，以使(shi)(shi) IGBT 快速(su)关(guan)断，缩短关(guan)断时(shi)间(jian)(jian)，减(jian)小(xiao)(xiao)关(guan)断损(sun)(sun)耗。

(2)IGBT 导通(tong)后(hou)，栅(zha)极驱(qu)动(dong)电路(lu)(lu)提(ti)供应 IGBT的(de)(de)驱(qu)动(dong)电压(ya)和(he)电流要(yao)有足够的(de)(de)幅度，使 IGBT 的(de)(de)功率(lv)输出总处(chu)于饱和(he)状态。瞬时(shi)过载时(shi)，栅(zha)极驱(qu)动(dong)电路(lu)(lu)提(ti)供的(de)(de)驱(qu)动(dong)功率(lv)要(yao)足以保证 IGBT 不退出饱和(he)区而损坏。

（3) IGBT 的(de)栅(zha)极驱动(dong)电(dian)路提供(gong)应(ying) IGBT 的(de)正驱动(dong)电(dian)压(ya)要取适宜的(de)值，特别是在(zai)有短路工作过(guo)程的(de)设备中运用(yong) IGBT 时，其正向驱动(dong)电(dian)压(ya)更(geng)应(ying)选择所需求的(de)最(zui)小值。开关(guan)应(ying)用(yong)的(de) IGBT 的(de)栅(zha)极电(dian)压(ya)应(ying)以(yi)10V～15V 为最(zui)佳。

(4)IGBT 的关断过程中，栅-射极间施加的负偏压有利于 IGBT 的快速关断，但也不宜取的过大，普通取-2V 到 -10V。
(5)在大(da)电感(gan)负载的(de)(de)(de)状(zhuang)况下，过快的(de)(de)(de)开关(guan)反而是有害的(de)(de)(de)，大(da)电感(gan)负载在 IGBT 的(de)(de)(de)快速开通和关(guan)断(duan)时，会产(chan)生高频且(qie)幅(fu)值(zhi)很(hen)高而宽度很(hen)窄的(de)(de)(de)尖峰电压 Ldi/dt，该尖峰不易(yi)吸(xi)收，容易(yi)形成器件损坏。

(6)由于 IGBT 多用于高压场所，所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严厉隔离，普通采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
早期(qi) IGBT 驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)引(yin)见早期(qi)的(de) IGBT 栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)为(wei)(wei)分立式(shi)(shi)的(de)栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)如下图(tu)(tu)所示：图(tu)(tu) 10 为(wei)(wei)直接驱(qu)动(dong)(dong)式(shi)(shi)栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)，图(tu)(tu) 11 为(wei)(wei)变(bian)压器(qi)隔离式(shi)(shi)栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)，而(er)图(tu)(tu) 12 为(wei)(wei)光耦隔离式(shi)(shi)栅(zha)极驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)路(lu)。

驱动电路现状
随着集成技术(shu)的(de)开展，目(mu)前 IGBT 的(de)栅极驱动电路多采用集成芯片(pian)控(kong)(kong)制(zhi)。控(kong)(kong)制(zhi)方式主要还是(shi)三种：

(1)直接(jie)触发式输入和输出(chu)信号(hao)之间(jian)无电气隔离。

(2)变压器隔离(li)驱动

输入和输出信号之间采用脉冲变压器隔离，隔离电压等级可达 4000V，
有以下 3 种办法
 无源(yuan)办法：用变(bian)压(ya)(ya)器(qi)次(ci)级(ji)的(de)输(shu)出直接驱(qu)动 IGBT　　(如下(xia)图 14) ，因受(shou)伏秒(miao)均(jun)衡的(de)限制，只(zhi)适用于占空比变(bian)化(hua)不(bu)大(da)的(de)场所。有(you)源(yuan)办法：变(bian)压(ya)(ya)器(qi)只(zhi)提供(gong)隔离信号(hao)，在次(ci)级(ji)另有(you)整形放(fang)大(da)电路来驱(qu)动 IGBT，驱(qu)动波形较(jiao)好(hao)，但需(xu)求单(dan)独提供(gong)辅助电源(yuan)。

自(zi)(zi)给(ji)(ji)电(dian)源(yuan)(yuan)法(fa)：脉冲变压(ya)器既用(yong)于传(chuan)送驱动能量又(you)用(yong)于高频调制(zhi)解调技(ji)(ji)术传(chuan)输逻(luo)辑(ji)信号(hao)，分(fen)为调制(zhi)型自(zi)(zi)给(ji)(ji)电(dian)源(yuan)(yuan)办(ban)法(fa)和分(fen)时技(ji)(ji)术自(zi)(zi)给(ji)(ji)电(dian)源(yuan)(yuan)，其中调制(zhi)型自(zi)(zi)给(ji)(ji)电(dian)源(yuan)(yuan)用(yong)整(zheng)流桥来产(chan)生所需工作电(dian)源(yuan)(yuan)，用(yong)高频调制(zhi)解调技(ji)(ji)术来传(chuan)送逻(luo)辑(ji)信号(hao).

3.晶闸(zha)管与 IGBT 驱动的(de)联络与区别

晶(jing)闸(zha)(zha)管(guan)(guan)和 IGBT 的(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路之间(jian)有区别(bie)也有相(xiang)似的(de)(de)(de)(de)中央。首(shou)先，两(liang)者(zhe)的(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)路都(dou)需求(qiu)(qiu)将开关(guan)器(qi)(qi)件(jian)与控制(zhi)电(dian)(dian)(dian)路互相(xiang)隔离， 以免高压(ya)电(dian)(dian)(dian)路对控制(zhi)电(dian)(dian)(dian)路有影响。然后，两(liang)者(zhe)都(dou)是经(jing)过给门极施加驱(qu)动(dong)(dong)信(xin)号(hao)(hao)，来(lai)触发开关(guan)器(qi)(qi)件(jian)导通的(de)(de)(de)(de)。所不同(tong)的(de)(de)(de)(de)是晶(jing)闸(zha)(zha)管(guan)(guan)驱(qu)动(dong)(dong)需求(qiu)(qiu)的(de)(de)(de)(de)是电(dian)(dian)(dian)流信(xin)号(hao)(hao)，而(er) IGBT 需求(qiu)(qiu)的(de)(de)(de)(de)是电(dian)(dian)(dian)压(ya)信(xin)号(hao)(hao)。在开关(guan)器(qi)(qi)件(jian)导通以后，晶(jing)闸(zha)(zha)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)门极就失去了控制(zhi)造用，若要关(guan)断晶(jing)闸(zha)(zha)管(guan)(guan)，则要在晶(jing)闸(zha)(zha)管(guan)(guan)两(liang)端加反向电(dian)(dian)(dian)压(ya);而(er) IGBT 的(de)(de)(de)(de)关(guan)断则只需求(qiu)(qiu)在门极加负的(de)(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)(dong)电(dian)(dian)(dian)压(ya)，来(lai)关(guan)断 IGBT。

4.结论
本文主要分为两局部叙(xu)说，第一(yi)局部对晶闸(zha)管(guan)驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)请(qing)求(qiu)停(ting)止(zhi)(zhi)了(le)叙(xu)说， 设计了(le)相对应的(de)(de)(de)驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)，并且将(jiang)设计的(de)(de)(de)电(dian)(dian)路(lu)应用(yong)于实践的(de)(de)(de)晶闸(zha)管(guan)电(dian)(dian)路(lu)中，经过(guo)仿真和(he)(he)实验(yan)考证了(le)驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)可(ke)行(xing)性，对在实验(yan)的(de)(de)(de)过(guo)程中所遇到的(de)(de)(de)问题停(ting)止(zhi)(zhi)了(le)剖析和(he)(he)处理。第二局部主要论述了(le) IGBT 关于驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)请(qing)求(qiu)，并在此根底上进一(yi)步引见(jian)了(le)目前常用(yong)到的(de)(de)(de) IGBT 的(de)(de)(de)一(yi)些驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)，而且对其中的(de)(de)(de)主要的(de)(de)(de)光耦隔离驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)停(ting)止(zhi)(zhi)了(le)仿真和(he)(he)实验(yan)，考证了(le)驱(qu)(qu)动(dong)电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)可(ke)行(xing)性。

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