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电压放大器的分类(lei)

电压放大(da)器(qi)一(yi)般也(ye)(ye)称为小功(gong)(gong)率扩(kuo)大(da)器(qi)，主要(yao)功(gong)(gong)能是将起伏(fu)很小的信号扩(kuo)大(da)成起伏(fu)比较大(da)的信号。当然，电压扩(kuo)大(da)器(qi)也(ye)(ye)有电流扩(kuo)大(da)和功(gong)(gong)率扩(kuo)大(da)的效果，只是扩(kuo)大(da)电压是其主要(yao)目的罢了。

电压扩(kuo)大(da)器常(chang)常(chang)依据输(shu)(shu)入(ru)／输(shu)(shu)出信号(hao)(hao)(hao)的(de)公(gong)共(gong)端(duan)(duan)来分(fen)类：关于常(chang)见(jian)的(de)3端(duan)(duan)器件(jian)而(er)言，输(shu)(shu)入(ru)／输(shu)(shu)出信号(hao)(hao)(hao)各(ge)有(you)两个端(duan)(duan)子，因而(er)必有(you)一(yi)个公(gong)共(gong)端(duan)(duan)。晶(jing)体管的(de)三(san)个端(duan)(duan)子都能够作为(wei)输(shu)(shu)入(ru)／输(shu)(shu)出信号(hao)(hao)(hao)的(de)公(gong)共(gong)端(duan)(duan)，由此能够界(jie)说三(san)种扩(kuo)大(da)器：共(gong)源极扩(kuo)大(da)器、共(gong)漏极扩(kuo)大(da)器、共(gong)栅极扩(kuo)大(da)器。这儿(er)的(de)“公(gong)共(gong)端(duan)(duan)”指的(de)是“信号(hao)(hao)(hao)”的(de)公(gong)共(gong)端(duan)(duan)，也能够称(cheng)为(wei)参考点(dian)(dian)，很多时分(fen)与电源的(de)参考点(dian)(dian)或(huo)许“地”并(bing)不完全是一(yi)回事。

BJT扩(kuo)(kuo)(kuo)大器也是这样分类的(de)，仅(jin)(jin)仅(jin)(jin)称号有所(suo)不同，与FET扩(kuo)(kuo)(kuo)大器相对应，它们分别是共发射极、共集电(dian)(dian)(dian)极、共基极电(dian)(dian)(dian)路这种分类办法一般称为扩(kuo)(kuo)(kuo)大电(dian)(dian)(dian)路的(de)“组(zu)态”：偏置(zhi)电(dian)(dian)(dian)路与晶体管的(de)组(zu)合形状。

耗尽型与增强型、结型与绝缘栅型的，1l路偏置办法迥然不同，但是差异还是有的，因而表5.1列出了场效应管的9种根本电路组态，其间新近上市的增强型JFET的偏置办法能够参考增强型MOSFET。图(tu)中的Cb一般称为(wei)(wei)旁(pang)路(Passby)电容(rong)，Ra为(wei)(wei)负载电阻（本级电路的负载，与(yu)输出端的负载不同），R1、Rg、Rg为(wei)(wei)偏(pian)置电阻，脚标意(yi)义：“1l”表明(ming)栅极上偏(pian)置电阻，一般简(jian)称为(wei)(wei)上偏(pian)电阻，也常(chang)常(chang)写为(wei)(wei)RH；“g”表明(ming)栅极下(xia)偏(pian)置电阻，一般简(jian)称为(wei)(wei)下(xia)偏(pian)电阻，也常(chang)常(chang)写为(wei)(wei)R1；“s”表明(ming)源极偏(pian)置电阻。

不同(tong)组态电路的特(te)性如表5.2所示。

1)S表明FET的跨导(dao)。

2) Ra以n为单(dan)(dan)位的值，增益的单(dan)(dan)位为“倍”。

3)Ra以n为单位的值，跨导s以s(西门子)为单位的值，增益的单位为“倍”。

将三(san)种根本(ben)电(dian)路(lu)组(zu)态(tai)进行组(zu)合在实践使(shi)用中也很常见(jian)，其目的是取长(zhang)补短，优化(hua)电(dian)路(lu)的性能。

表5.1巾的偏置电(dian)路均(jun)选(xuan)用电(dian)阻构成，在(zai)实践的使(shi)用中，也叮以选(xuan)用有(you)源器材构成，如(ru)用恒流源作为(wei)负载(zai)电(dian)阻Ra。

从(cong)表中也(ye)不难看出，不同(tong)组(zu)态的电(dian)路，偏(pian)(pian)置电(dian)路也(ye)有所(suo)不同(tong)。表5.1中的①为自偏(pian)(pian)压(ya)，相似的还有④，自偏(pian)(pian)压(ya)不适用于增(zeng)强(qiang)型器材，由(you)于这类器材的敞开(kai)电(dian)压(ya)不是从(cong)0开(kai)端的；②为分肤偏(pian)(pian)压(ya)，也(ye)称为混合偏(pian)(pian)压(ya)，是最(zui)常用的一种(zhong)，除(chu)了(le)①、④之外均为分压(ya)偏(pian)(pian)压(ya)方法。

关于④还能够选用更为简略的“零偏压”的偏置方法，行将图(tu)中的Cb去掉，将Rs短路。零偏压方法仅适用于耗尽(jin)型的MOSFET，即常开型而且能够施加正向偏置的FET。

关于(yu)⑦也(ye)能够选用更(geng)为简略的(de)(de)“漏极(ji)(ji)反应(ying)”的(de)(de)偏置(zhi)方法，办法是(shi)去掉Rg，前提是(shi)MOSFET的(de)(de)栅(zha)-源极(ji)(ji)内部现已内置(zhi)了维护电路(lu)，栅(zha)极(ji)(ji)不(bu)至于(yu)由于(yu)“悬空”（对源极(ji)(ji)而(er)言(yan)）而(er)被击穿(chuan)损坏。选用这种偏置(zhi)方法时(shi)，前后级(ji)还必须是(shi)直接(jie)耦合，即(ji)图中的(de)(de)C需求短接(jie)，这样栅(zha)极(ji)(ji)的(de)(de)电荷能够经过前级(ji)进行开释(shi)。

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