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1、芯片发热

本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动MOS管芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管(guan)的(de)(de)耗(hao)(hao)费，简(jian)单(dan)的(de)(de)计算公式为(wei)I=cvf（思索(suo)充电的(de)(de)电阻效益，理论(lun)I=2cvf，其(qi)中c为(wei)功率MOS管(guan)的(de)(de)cgs电容(rong)，v为(wei)功率管(guan)导通时的(de)(de)gate电压，所(suo)以(yi)为(wei)了降低(di)芯(xin)片(pian)的(de)(de)功耗(hao)(hao)，必需想方(fang)法降低(di)c、v和(he)f.假定c、v和(he)f不(bu)能改动，那么请想方(fang)法将芯(xin)片(pian)的(de)(de)功耗(hao)(hao)分(fen)到(dao)芯(xin)片(pian)外的(de)(de)器(qi)件，留意(yi)不(bu)要引入额外的(de)(de)功耗(hao)(hao)。再简(jian)单(dan)一(yi)点，就是思索(suo)更(geng)好(hao)的(de)(de)散(san)热吧。

2、功(gong)率(lv)管发热

关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分红两局部，开关损耗和导通损耗。要留意，大多数场所特别是LED市电驱动应用，开关损伤要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动才干和工作频率有关，所以要处置功率管的发热能够从以下几个方面处置：
A、不能(neng)(neng)片(pian)面依据导通(tong)电(dian)阻大(da)小(xiao)(xiao)来选择MOS功(gong)率管(guan)(guan)，由于内阻越(yue)小(xiao)(xiao)，cgs和cgd电(dian)容越(yue)大(da)。如1N60的(de)cgs为(wei)(wei)250pF左右，2N60的(de)cgs为(wei)(wei)350pF左右，5N60的(de)cgs为(wei)(wei)1200pF左右，差异太大(da)了，选择功(gong)率管(guan)(guan)时，够用就能(neng)(neng)够了。

B、剩下的就(jiu)是(shi)频率(lv)(lv)和芯片驱动(dong)才干了(le)，这(zhei)里只(zhi)谈频率(lv)(lv)的影响(xiang)。频率(lv)(lv)与(yu)导通损耗(hao)也成(cheng)正(zheng)比，所以功率(lv)(lv)管发热时(shi)(shi)，首先要想想是(shi)不(bu)是(shi)频率(lv)(lv)选择的有点高。想方法降低频率(lv)(lv)吧(ba)！不(bu)过要留意，当(dang)频率(lv)(lv)降低时(shi)(shi)，为了(le)得到(dao)相同的负(fu)载(zai)才干，峰值电(dian)(dian)流(liu)(liu)必然要变大或者(zhe)电(dian)(dian)感(gan)(gan)也变大，这(zhei)都有可(ke)能招致电(dian)(dian)感(gan)(gan)进入(ru)饱(bao)和区域。假定电(dian)(dian)感(gan)(gan)饱(bao)和电(dian)(dian)流(liu)(liu)够(gou)大，能够(gou)思索将CCM（连(lian)(lian)续(xu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)方式(shi)）改(gai)动(dong)成(cheng)DCM（非(fei)连(lian)(lian)续(xu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)方式(shi)），这(zhei)样(yang)就(jiu)需求(qiu)增加一个负(fu)载(zai)电(dian)(dian)容了(le)。

3、工作频率(lv)降(jiang)频

这个(ge)也是(shi)用(yong)户在调试(shi)过程中比拟常见的(de)现象，降频(pin)主要(yao)由两个(ge)方面(mian)(mian)招致。输入电压和负(fu)载(zai)电压的(de)比例(li)小(xiao)(xiao)、系统干(gan)扰大。关(guan)(guan)于前(qian)者，留意(yi)不(bu)要(yao)将负(fu)载(zai)电压设(she)置的(de)太高，固然负(fu)载(zai)电压高，效率(lv)会高点。关(guan)(guan)于后者，能够尝试(shi)以下几个(ge)方面(mian)(mian)：a、将最小(xiao)(xiao)电流设(she)置的(de)再小(xiao)(xiao)点;b、布(bu)线(xian)洁净点，特别是(shi)sense这个(ge)关(guan)(guan)键(jian)途(tu)径;c、将电感选(xuan)(xuan)择(ze)的(de)小(xiao)(xiao)点或者选(xuan)(xuan)用(yong)闭合磁路(lu)的(de)电感;d、加RC低通滤(lv)波吧，这个(ge)影响有点不(bu)好，C的(de)分歧性不(bu)好，倾(qing)向有点大，不(bu)过关(guan)(guan)于照(zhao)明来说应该够了。无论如何降频(pin)没有益处，只(zhi)需害处，所以一(yi)定要(yao)处置。

4、电(dian)感或者变压器的(de)选择

终于谈到重点了，我还没有入门，只(zhi)能(neng)瞎说(shuo)点饱和(he)(he)的(de)(de)(de)(de)(de)影响了。很(hen)多用户反(fan)响，相同的(de)(de)(de)(de)(de)驱动电(dian)(dian)(dian)(dian)路，用a消费的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)感没有问题，用b消费的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)感电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)就(jiu)变(bian)(bian)小了。遇到这种状况，要看看电(dian)(dian)(dian)(dian)感电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)波形。有的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)程师没有留(liu)意到这个现象，直接(jie)调理sense电(dian)(dian)(dian)(dian)阻或者工(gong)作(zuo)频(pin)率(lv)抵达需(xu)求的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，这样做可(ke)能(neng)会严重影响LED的(de)(de)(de)(de)(de)运用寿命。所以说(shuo)，在(zai)设计(ji)(ji)前，合理的(de)(de)(de)(de)(de)计(ji)(ji)算是必(bi)需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)，假定理论(lun)计(ji)(ji)算的(de)(de)(de)(de)(de)参数和(he)(he)调试(shi)参数差的(de)(de)(de)(de)(de)有点远(yuan)，要思索(suo)能(neng)否(fou)降频(pin)和(he)(he)变(bian)(bian)压器能(neng)否(fou)饱和(he)(he)。变(bian)(bian)压器饱和(he)(he)时，L会变(bian)(bian)小，招致传输delay惹起(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)值电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)增(zeng)量急剧上升，那么LED的(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)值电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)也跟着增(zeng)加。在(zai)均匀(yun)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)不变(bian)(bian)的(de)(de)(de)(de)(de)前提下，只(zhi)能(neng)看着光衰了。

5、LED电流大小
大家(jia)都晓得LEDripple过(guo)大的(de)话，LED寿命(ming)会遭到影响，影响有(you)(you)多大，也(ye)没(mei)见过(guo)哪(na)个(ge)专(zhuan)家(jia)说(shuo)过(guo)。以前问过(guo)LED厂这(zhei)个(ge)数据，他们说(shuo)30%以内都能(neng)够(gou)承受，不过(guo)后来没(mei)有(you)(you)经过(guo)考证。倡议还是尽量控制小点。假定散热处置的(de)不好的(de)话，LED一(yi)定要降额运(yun)用。也(ye)希望有(you)(you)专(zhuan)家(jia)能(neng)给个(ge)细致指标，要不然影响LED的(de)推行。

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