场效应管TMOS,VMOS

MOSFET构(gou)(gou)造，从(cong)纵剖(pou)面(mian)来看，栅(zha)(zha)极（栅(zha)(zha)区(qu)(qu)）、源(yuan)(yuan)极（源(yuan)(yuan)区(qu)(qu)）、漏极（漏区(qu)(qu)）大致排列在同(tong)不断线上(shang)，这样的构(gou)(gou)造被称为横向沟道(Ltcral Channel)构(gou)(gou)造。同(tong)时，栅(zha)(zha)极，精确一点说(shuo)是(shi)“栅(zha)(zha)区(qu)(qu)”与漏区(qu)(qu)、源(yuan)(yuan)区(qu)(qu)的分界面(mian)大致也(ye)是(shi)平(ping)面(mian)状的，这种栅(zha)(zha)极构(gou)(gou)造称为平(ping)面(mian)栅(zha)(zha)极(Planar Gate)构(gou)(gou)造。

上述(shu)构造的(de)(de)(de)(de)优点是结电(dian)容小，比拟(ni)合(he)适于(yu)高频小功率应(ying)用(yong)，缺乏之处是源(yuan)极(ji)(ji)与漏(lou)(lou)极(ji)(ji)相距(ju)比拟(ni)远，导电(dian)沟道(dao)的(de)(de)(de)(de)宽度有限，不太合(he)适于(yu)功率应(ying)用(yong)。“凹槽。形的(de)(de)(de)(de)“槽栅(zha)”(Trench Gate)构造可以增加栅(zha)区(qu)与源(yuan)区(qu)和(he)漏(lou)(lou)区(qu)的(de)(de)(de)(de)接触面(mian)积，增加对电(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)控制才(cai)能。垂直沟道(dao)构造是将源(yuan)极(ji)(ji)与漏(lou)(lou)极(ji)(ji)配置在栅(zha)极(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)-侧(ce)，漏(lou)(lou)极(ji)(ji)与源(yuan)极(ji)(ji)则是相向排列，这样的(de)(de)(de)(de)沟道(dao)构造缩短(duan)了沟道(dao)长度，合(he)适于(yu)大(da)电(dian)流(liu)应(ying)用(yong)。

功率MOS场效应管大(da)都采用“垂直”沟道和“槽(cao)栅(zha)”构(gou)造，合起(qi)来简称“沟槽(cao)栅(zha)”结构(gou)。电子显(xian)微镜下(xia)的(de)照片以显(xian)现两(liang)种沟道和栅(zha)极构(gou)造的(de)主要区(qu)别（图1.14）。

TMOS (TrenchMOS)的称号固然指的是槽栅构造的MOSFET，但由于槽栅与垂直沟道常常是同时应用的，因而它也同时指垂直沟道构造，即“沟槽栅。构造的功率MOSFET。

最先应用(yong)的(de)槽栅构造的(de)剖(pou)面外(wai)形与英(ying)文(wen)字母(mu)“v”很(hen)类似（图1. 15），VMOS的(de)最初称(cheng)号(hao)就是(shi)由此而来，它(ta)是(shi)“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的(de)缩写，曾经简称(cheng)为“VVMOS”，至今依然可以在一些公开的(de)材料中见(jian)到。这种依据(ju)栅极（栅区(qu)）的(de)剖(pou)面外(wai)形停止的(de)技术命名办法也被沿(yan)用(yong)了下来，以后陆续呈现(xian)了UMOS、πMOS等(deng)

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