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场效应晶体管通常简称为场效应管，是—种应用场效应原理工作的半导体器(qi)件，外形如图4-21所(suo)示。和普(pu)通双极型晶(jing)体管相(xiang)比拟，场效应管具(ju)有输入阻抗高(gao)、噪声低、动态范围大、功耗小、易十集(ji)成等特性，得(de)到了(le)越(yue)(yue)来越(yue)(yue)普(pu)遍的应用。

场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)的品种很多，主要分为结型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)和(he)(he)绝缘栅场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)两人类，又都(dou)有N沟(gou)道和(he)(he)P沟(gou)道之分。

绝缘(yuan)栅(zha)场效应(ying)管也叫做(zuo)金属氧化物半导(dao)体(ti)场效应(ying)管，简称为(wei)MOS场效应(ying)管，分为(wei)耗尽(jin)型MOS管和(he)加强型MOS管。

场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)还有单栅(zha)(zha)极(ji)管(guan)(guan)和(he)双栅(zha)(zha)极(ji)管(guan)(guan)之分。双栅(zha)(zha)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)具有两(liang)个(ge)相互独立的(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)G1和(he)G2，从构造上(shang)看(kan)相当(dang)于(yu)由两(liang)个(ge)单栅(zha)(zha)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)串联而成(cheng)，其输出电(dian)流的(de)(de)变化遭到两(liang)个(ge)栅(zha)(zha)极(ji)电(dian)压的(de)(de)控制。双栅(zha)(zha)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)的(de)(de)这种特性，在作为高频放(fang)大(da)(da)器(qi)、增益控制放(fang)大(da)(da)器(qi)、混频器(qi)和(he)解(jie)调器(qi)运用(yong)时会带(dai)来很大(da)(da)便当(dang)。

场效(xiao)应管(guan)有哪些(xie)特性及主(zhu)要用(yong)处？

场(chang)效应(ying)管由于具有输(shu)入(ru)阻抗(kang)十分(fen)高(gao)（可达(da)109一lO15Ω）、噪(zao)声(sheng)低、动态变(bian)化范围大和温(wen)度系数小，且为电(dian)压控制(zhi)元(yuan)件等(deng)优点(dian)，因此应(ying)用也(ye)较为普遍。

场效应(ying)管分结(jie)型和绝缘(yuan)栅(即(ji)MOS)型两大(da)类。

(1)场(chang)效应管(guan)的(de)图(tu)形和文(wen)字符(fu)号及外形(见图(tu)3-8)

其中(zhong)，图(tu)3-8 (a)为(wei)N沟道绝缘栅(zha)加强型(xing)(xing)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)形(xing)和(he)文字符(fu)号；图(tu)3-8 (b)为(wei)N沟道绝缘栅(zha)耗尽型(xing)(xing)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)形(xing)和(he)文字符(fu)号；图(tu)3-8(c)为(wei)N沟道结(jie)型(xing)(xing)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)形(xing)和(he)文字符(fu)号；图(tu)3-8 (d)为(wei)P沟道结(jie)型(xing)(xing)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)形(xing)和(he)文字符(fu)号，图(tu)3-8(e)~(g)为(wei)场(chang)(chang)效应晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的外形(xing)，图(tu)3-8(h)~(k)为(wei)场(chang)(chang)效应晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的管(guan)(guan)(guan)脚。

(2)场效应管的(de)特(te)性及用处(chu)

常用场效应管的特性及主要用处(chu)见表3-8。

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