【功率金(jin)属(shu)氧(yang)化物半导体场(chang)效应晶体管(guan)】MOSFET领域是什么？
信息(xi)来源：本站 日期：2017-07-13
Power MOSFET全称为功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管。其电气符(fu)号及根本接法如图3-25所示。
PowerMOSFET有三个极，即源(yuan)极(ji)(ji)(S)、漏极(ji)(ji)(D)和栅极(ji)(ji)(G)。控制信号(hao)“GS加(jia)于栅极(ji)(ji)和源(yuan)极(ji)(ji)之(zhi)间，改(gai)动UGS的(de)大(da)小(xiao)，便可改(gai)动漏极(ji)(ji)电(dian)流ID的(de)大(da)小(xiao)。由于栅—源(yuan)极(ji)(ji)之(zhi)间的(de)阻抗(kang)十分大(da)，因而控制电(dian)流能够(gou)极(ji)(ji)小(xiao)，简直为0，所以驱(qu)动功率(lv)很小(xiao)。
器件内寄(ji)生有反向二极管，它在变频器电路中起续流(liu)维(wei)护作用。
①最(zui)大(da)(da)漏极(ji)电流IDM 是允(yun)许连续运转的最(zui)大(da)(da)漏极(ji)电流。
②击穿电(dian)压uDs 是指(zhi)漏极(ji)(ji)与源极(ji)(ji)之间的击穿电(dian)压，也就是指(zhi)管(guan)子在截止状态下，漏极(ji)(ji)与源极(ji)(ji)之间的最大(da)维(wei)持电(dian)压。
③阈值电(dian)(dian)(dian)压(ya)UGS 是可以使MOSFET管子导通(tong)的最(zui)低栅(zha)极电(dian)(dian)(dian)压(ya)。该(gai)电(dian)(dian)(dian)压(ya)为2- 6V。实践(jian)运用时，栅(zha)极驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)压(ya)应(ying)为(1.5-2.5)Ucs，即15v左右。
④导通电(dian)(dian)阻RON是MOSFET管子导通时，漏极(ji)与源极(ji)之(zhi)间的(de)电(dian)(dian)阻值(zhi)。RON决议(yi)了管子的(de)通态损(sun)耗(hao)。导通电(dian)(dian)阻RCN有正温(wen)度系数，即电(dian)(dian)流越(yue)大(da)，RON的(de)值(zhi)也因(yin)附加发(fa)热而(er)自行增大(da)。因(yin)而(er)它对电(dian)(dian)流的(de)增加有抑(yi)止(zhi)作用(yong)。这在器件(jian)并联应用(yong)时有自动平衡(heng)电(dian)(dian)流的(de)效果。
⑤开关频率 MOSFET的开关速(su)度(du)和工作(zuo)频率要(yao)比GTR高1-2个数量级。普通MOSFET的开关时间为几微秒至(zhi)几十微秒，最高频率可达50kHz以上(shang)。
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