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场效应晶体管通常简称为场效应管，是—种应用场效应原理工作的半导体(ti)器(qi)件(jian)，外形如图(tu)4-21所示。和普(pu)通双极型晶体管(guan)(guan)相比拟，场效应(ying)管(guan)(guan)具有输入阻抗(kang)高、噪(zao)声低(di)、动态(tai)范围(wei)大、功耗(hao)小、易十集成等特性，得(de)到了越(yue)来越(yue)普(pu)遍的(de)应(ying)用。

场效(xiao)应(ying)(ying)管的品种(zhong)很多，主要分为结型场效(xiao)应(ying)(ying)管和绝缘栅场效(xiao)应(ying)(ying)管两(liang)人类，又都有(you)N沟道(dao)和P沟道(dao)之(zhi)分。

绝缘(yuan)栅场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)也叫做金属氧化物(wu)半(ban)导体场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)，简称为MOS场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)，分为耗尽型(xing)MOS管(guan)(guan)和加强型(xing)MOS管(guan)(guan)。

场(chang)效应管还(hai)有(you)单栅(zha)(zha)极管和双(shuang)栅(zha)(zha)极管之分。双(shuang)栅(zha)(zha)场(chang)效应管具有(you)两个(ge)相(xiang)互(hu)独立的(de)栅(zha)(zha)极G1和G2，从构造上看相(xiang)当(dang)于由两个(ge)单栅(zha)(zha)场(chang)效应管串联而成，其输出(chu)电(dian)流(liu)的(de)变化遭到两个(ge)栅(zha)(zha)极电(dian)压的(de)控(kong)制(zhi)。双(shuang)栅(zha)(zha)场(chang)效应管的(de)这(zhei)种特性，在作为高频放(fang)大(da)器(qi)(qi)、增益控(kong)制(zhi)放(fang)大(da)器(qi)(qi)、混频器(qi)(qi)和解(jie)调(diao)器(qi)(qi)运用时会带来很(hen)大(da)便当(dang)。

场(chang)效应(ying)管有(you)哪些(xie)特性及(ji)主要用处？

场效应管由于具(ju)有输入阻抗十分高(gao)（可达109一lO15Ω）、噪声低、动态变化(hua)范围大(da)和(he)温度系数小(xiao)，且为(wei)电压控制元件等优(you)点，因此应用也(ye)较为(wei)普遍。

场效应(ying)管(guan)分结型(xing)和绝缘栅(即MOS)型(xing)两大类。

(1)场效应管(guan)的图形(xing)和文字符号(hao)及外形(xing)(见(jian)图3-8)

其中，图(tu)(tu)3-8 (a)为N沟道(dao)(dao)(dao)绝缘栅加强型(xing)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)(tu)形(xing)(xing)和(he)文(wen)字(zi)符(fu)号(hao)(hao)(hao)；图(tu)(tu)3-8 (b)为N沟道(dao)(dao)(dao)绝缘栅耗(hao)尽型(xing)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)(tu)形(xing)(xing)和(he)文(wen)字(zi)符(fu)号(hao)(hao)(hao)；图(tu)(tu)3-8(c)为N沟道(dao)(dao)(dao)结型(xing)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)(tu)形(xing)(xing)和(he)文(wen)字(zi)符(fu)号(hao)(hao)(hao)；图(tu)(tu)3-8 (d)为P沟道(dao)(dao)(dao)结型(xing)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)图(tu)(tu)形(xing)(xing)和(he)文(wen)字(zi)符(fu)号(hao)(hao)(hao)，图(tu)(tu)3-8(e)~(g)为场效应晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)外形(xing)(xing)，图(tu)(tu)3-8(h)~(k)为场效应晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)管(guan)(guan)(guan)脚。

(2)场效应(ying)管(guan)的特性及用处

 常用(yong)场效应管的特性及(ji)主要(yao)用(yong)处(chu)见表3-8。

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