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(1)场效应管的根本参数
①夹断电压UP  也称(cheng)截(jie)止栅(zha)压UGS(OFF)，是在耗尽型(xing)结型(xing)场效应(ying)管或(huo)耗尽型(xing)绝缘栅(zha)型(xing)场效应(ying)管源极(ji)接地的状况下(xia)，能使其漏(lou)源输(shu)出电流减小到零时所(suo)需的栅(zha)源电压UGs。

②开启电压(ya)UT  也称阀电压(ya)，是加强型绝缘栅型场效应管在漏源(yuan)电压(ya)UDS为-‘定值时，能使(shi)其漏、源(yuan)极(ji)开端导通的最小栅源(yuan)电压(ya)UGS。

③饱和(he)漏电(dian)(dian)流IDSS  是耗尽型场效应管在零偏压(ya)（即栅源(yuan)(yuan)电(dian)(dian)压(ya)UGS为零）、漏源(yuan)(yuan)电(dian)(dian)压(ya)UDS大于夹断电(dian)(dian)压(ya)UP时的(de)漏极电(dian)(dian)流。

④击穿电压BUDS和BUGS

a．漏(lou)源(yuan)击穿电(dian)压BUDS。也称漏(lou)源(yuan)耐(nai)压值，是当场效应(ying)管的漏(lou)源(yuan)电(dian)压UDS增(zeng)大(da)到一定数值时(shi)，使漏(lou)极电(dian)流ID忽然增(zeng)大(da)且不(bu)受栅极电(dian)压控制时(shi)的最(zui)大(da)漏(lou)源(yuan)电(dian)压。

b．栅(zha)源击穿(chuan)电压BUGS。是场效应管的栅(zha)、源极(ji)之间能接受的最大工(gong)作电压。

⑤耗(hao)散功率PD  也(ye)称(cheng)漏极(ji)耗(hao)散功率，该值约等于漏源电压UDS与漏极(ji)电流ID的乘(cheng)积。

⑥漏(lou)泄电(dian)流(liu)(liu)ICSS  是场效应管的(de)栅(zha)—沟道结施加反向(xiang)偏(pian)压时产(chan)生的(de)反向(xiang)电(dian)流(liu)(liu)。

⑦直流输入电阻RGS  也称栅源绝缘电阻，是场效应管栅沟道在反偏电压作用下的电阻值，约等于栅源电压UGS与栅极电流的比值。

⑧漏源动态电(dian)阻(zu)RDS  是漏源电(dian)压UDS的变化量(liang)与漏极(ji)电(dian)流ID的变化量(liang)之(zhi)比，普通为数千(qian)欧以上(shang)。

⑨低频跨导(dao)gm  也称放(fang)大特性，是栅极电(dian)压UG对漏极电(dian)流ID的控制(zhi)才能(neng)，相似于三极管的电(dian)放(fang)逐大倍(bei)数β值。

⑩极间电容  是场效应管各极之间散布电容构成的杂散电容。栅源极电容（输入电容）CGS和栅漏极电容CGD的电容量为1~3pF，漏源极电容CDS的电容量为o．1~lpF。

(2)常用场效应管的主要参数
局部结型(xing)场(chang)效应晶体(ti)管的主要(yao)参(can)数(shu)见表3-9。局部N沟道耗尽型(xing)MOS场(chang)效应晶体(ti)管的主要(yao)参(can)数(shu)见表3-10。局部加强(qiang)型(xing)MOS场(chang)效应晶体(ti)管的主要(yao)参(can)数(shu)见表3-11。

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