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N沟(gou)道(dao)耗(hao)尽型MOS管(guan)和N沟(gou)道(dao)增强型MOS管(guan)的(de)结构基本相同(tong)。差别在于耗(hao)尽型MOS管(guan)的(de)Si02绝缘层(ceng)中(zhong)掺(chan)有大量的(de)正离子(zi)Na+或(huo)K+（制造P沟(gou)道(dao)耗(hao)尽型MOS管(guan)时掺(chan)人负离子(zi)），故在UCs=0时，这些正离子(zi)产生(sheng)的(de)电场作用下，漏(lou)极一源极间(jian)的(de)P型衬底表面也能感应(ying)天(tian)生(sheng)N沟(gou)道(dao)（称(cheng)为初始沟(gou)道(dao)），只要加上(shang)正向电压UDS，就(jiu)有电流。假(jia)如加上(shang)正的(de)UCs，栅极与N沟(gou)道(dao)间(jian)的(de)电场将在沟(gou)道(dao)中(zhong)吸引来更多(duo)的(de).

N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正(zheng)离子产(chan)生(sheng)的(de)电(dian)(dian)场(chang)作用下(xia)，漏极(ji)一源极(ji)间的(de)P型衬底表面(mian)也能感应天生(sheng)N沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)（称为(wei)初始沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)），只要加(jia)上正(zheng)向(xiang)电(dian)(dian)压UDS，就有电(dian)(dian)流。假如加(jia)上正(zheng)的(de)UCs，栅极(ji)与(yu)N沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)间的(de)电(dian)(dian)场(chang)将在沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)中吸(xi)引(yin)来更(geng)多的(de)电(dian)(dian)子，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)加(jia)宽，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)电(dian)(dian)阻(zu)变(bian)(bian)小。增大。反之UCs为(wei)负时，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)中感应的(de)电(dian)(dian)子减少，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)变(bian)(bian)窄(zhai)，沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)电(dian)(dian)阻(zu)变(bian)(bian)大。减少。当UCS负向(xiang)增加(jia)到(dao)某一数值时，导电(dian)(dian)沟(gou)道(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)消失。趋(qu)于零(ling)，管子截止，故称为(wei)耗尽型。

N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道已经存在。该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在D、S之间制造的，称之为初始沟道。N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，跟着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表(biao)示，有时也用VP表(biao)示。N沟(gou)道耗尽型MOSFET的转移特性.

耗尽型MOS场(chang)效应管(guan)，是在(zai)制造过(guo)程中(zhong)，预先在(zai)SiO2绝缘层(ceng)中(zhong)掺入大量的(de)正离子(zi)，因(yin)此，在(zai)UGS=0时，这(zhei)些(xie)正离子(zi)产(chan)生的(de)电(dian)场(chang)也能(neng)在(zai)P型衬底中(zhong)“感应”出足够(gou)的(de)电(dian)子(zi)，形(xing)成N型导电(dian)沟道。

当UDS>0时，将产生较大的漏极电流ID。假如使UGS<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。当UGS更负，达到某一数值时沟道消失，ID=0。使ID=0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表示。UGS

据导电方式的不同(tong)，MOSFET又分增强型(xing)(xing)(xing)、耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)(xing)。耗(hao)尽(jin)型(xing)(xing)(xing)是指，当(dang)VGS=0时即形成(cheng)沟道，加上准确的VGS时，能使(shi)多数载流(liu)子流(liu)出沟道，因而“耗(hao)尽(jin)”了载流(liu)子，使(shi)管子转向截止。

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