如何估算MOS管电压驱(qu)动
信息来源：本站 日期：2017-04-28
Crss:反Ig：MOS栅极(ji)驱动(dong)(dong)电流；Vb：稳态栅极(ji)驱动(dong)(dong)电压；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
效应时刻（开关时刻）Ton/off=Qgd/Ig；
第1种：（第1种的变形(xing)）
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在(zai)datasheet中找到）
Tr：上升时刻。输出(chu)电压VDS从90%下降(jiang)到其幅值10%的时刻
td(on)：MOS导(dao)通延迟时刻，从有驶入电(dian)压上升到(dao)10%开始到(dao)VDS下(xia)降到(dao)其(qi)幅(fu)值90%的时刻。
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
其间：
Ig=Qg/Ton
能够运(yun)用如下公式估算(suan)：
第2种:
假设两种Vod都大于(yu)零，阐(chan)明晶(jing)体管沟道(dao)全开(kai)，也即是处于(yu)线性区。只要一种Vod大于(yu)零，阐(chan)明晶(jing)体管沟道(dao)半开(kai)（在(zai)DS恣意一端(duan)没(mei)打开(kai)有(you)夹断），也即是处于(yu)饱(bao)满区。
Vod2=Vds-Vth；
Vod1=Vgs-Vth；
3）假设(she)能够愈加深化(hua)了解的(de)话，能够领会到过驱动电(dian)压不单(dan)单(dan)合用(yong)于指(zhi)代Vgs，也合用(yong)于指(zhi)代Vgd。即
2）沟道电荷多少(shao)直接(jie)与过(guo)驱动电压(ya)二(er)次方成正比。也(ye)即(ji)是说(shuo)，能够(gou)运用过(guo)驱动电压(ya)来核算饱满区(qu)的电流。
1）只要在你的过驱动电压“大于零”的情况下(xia)，沟道才(cai)会构成(cheng)，MOS管才(cai)会作业。也即是说，能够运(yun)用过驱动电压来断(duan)定(ding)晶体(ti)管是不是导通。
MOS驱(qu)动(dong)电压Vod=Vgs-Vth。能够(gou)了解为：超过(guo)驱动门限（Vth）的(de)剩余电压巨细。
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