场效应(ying)管有什么特点(dian)以(yi)及工(gong)作原(yuan)理 电子元(yuan)器(qi)件
信(xin)息来源：本站 日期：2017-07-12
场(chang)效应(ying)管有什么特点
场效应管的(de)特点足由栅极(ji)电压U(;控制其漏极(ji)电流ID和(he)普(pu)通双极(ji)型晶体管相比较，场效应管具有输入(ru)阻抗(kang)高、噪声低、动态范围大、功耗(hao)小、易于集成等(deng)特点。
场效(xiao)应管的基本(ben)工作(zuo)原(yuan)理如图4-24所示（以结型N沟道管为例）。由于栅极G接有负偏压（-UG），在G附近形成耗尽层。
当负(fu)偏(pian)压（- UG)的(de)(de)绝对值增大时，耗尽层(ceng)增大，沟(gou)道减小(xiao)，漏极电(dian)(dian)流ID减小(xiao)。当负(fu)偏(pian)压（一UG），在(zai)的(de)(de)绝对值减小(xiao)时，耗尽层(ceng)减小(xiao)，沟(gou)道增大，漏极电(dian)(dian)流ID增大。可见(jian)，漏极电(dian)(dian)流ID，受栅极电(dian)(dian)压的(de)(de)控(kong)制(zhi)(zhi)，所以场效(xiao)应管是电(dian)(dian)压控(kong)制(zhi)(zhi)型器件(jian)，即通过输入电(dian)(dian)压的(de)(de)变(bian)化(hua)来控(kong)制(zhi)(zhi)输出电(dian)(dian)流的(de)(de)变(bian)化(hua)，从而达到放大等目的(de)(de)。
和(he)双(shuang)极(ji)型(xing)晶(jing)体管一(yi)样，场效应管用于放大等电(dian)路时，其栅极(ji)也(ye)应加偏置电(dian)压(ya)。
结型场效应(ying)(ying)管的栅极应(ying)(ying)加反向偏置(zhi)电压，即N沟道(dao)管加负(fu)栅压，mos管P沟道(dao)管加正(zheng)(zheng)栅(zha)压。增强型(xing)绝缘(yuan)栅(zha)场效应管应加正(zheng)(zheng)向栅(zha)压。耗尽(jin)型(xing)绝缘(yuan)栅(zha)场效应管的(de)栅(zha)压可(ke)正(zheng)(zheng)、可(ke)负、可(ke)为“o”，见表4-2。加偏置(zhi)的(de)方法(fa)(fa)有固定偏置(zhi)法(fa)(fa)、自给偏置(zhi)法(fa)(fa)、直接(jie)耦合(he)法(fa)(fa)等。
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