mos器件漏(lou)极偏压(ya)详解原因(yin) n沟道MOSFET

信息来源：本站　日期：2017-07-06　

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MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向．在集成电路中，较小的器件尺寸可到达较高的器件密度，此外，较短的沟道长度町改善驱动电流（ID~1/L）以及工作时的特性，但是，由于电(dian)子器件尺寸的缩减，沟道边(bian)缘(yuan)（如源极(ji)、漏极(ji)及绝缘(yuan)区边(bian)缘(yuan)）的扰动将变得愈加重要，因而器(qi)件(jian)的特性将不再恪守长沟道近似(si)的假定．

MOSFET按比例减少标准

当器件尺寸缩减时，必需将短沟道效应降至最低水平，以确保正常的器件特性及电路工作，在器件按比例减少设计叫需求一些原则，一个扼要维持长沟道特性的办法为将一切的尺寸及电压，除上一按比例减少要素k(>1)，如此内部电场将坚持好像长n沟(gou)道MOSFET普通，此(ci)办法称为定电场(chang)按(an)比例(li)减少.

不同器件参数与电路特性因子的定电场按比例减少的标准，随器件尺寸的缩减，其电路性能（速度以及导通时的功率损耗）得到增强．但是，在实践的IC制造中，较小器件的内部电场常常被迫增加而很难坚持固定．这主要是由于一些电压因子（如电源供给、阈值电压等）无法恣意缩减，由于亚阈值摆幅是无法被按比例减少的，所以，假若阈值电压过低，则关闭态(offstate)(VG=0)的漏电流将会显著增加，因而，待机功率(standbypower）损耗也将随之上升。经过按比例减少标准，方能制造出具有沟道长度短至20nm、十分高的跨导（>1000ms/mm)以及合理的亚阈值摆幅(约120mV/decade)的MOSFET，