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场效应管的分类

场效应管可分为两类：一类足结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型(xing)(xing)场(chang)效应管依据(ju)其沟(gou)道所采用的半(ban)导体(ti)资料，又分为N沟(gou)道和(he)P沟(gou)道两种；绝缘栅型(xing)(xing)场(chang)效应管除(chu)有(you)N沟(gou)道和(he)P沟(gou)道之格外，还(hai)有(you)加强型(xing)(xing)与(yu)耗尽型(xing)(xing)之分。如图6-2所示。

 N沟道结(jie)型(xing)(xing)场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)的(de)基(ji)(ji)体是一(yi)块N型(xing)(xing)硅资料。从基(ji)(ji)体引(yin)出两(liang)个(ge)电(dian)极(ji)(ji)(ji)分别(bie)叫源极(ji)(ji)(ji)(s)和漏极(ji)(ji)(ji)(D)。在(zai)基(ji)(ji)体两(liang)边各附一(yi)小片P型(xing)(xing)资料，其引(yin)出的(de)电(dian)极(ji)(ji)(ji)叫栅极(ji)(ji)(ji)(G)。这(zhei)样，在(zai)沟道和栅极(ji)(ji)(ji)之间构成厂两(liang)个(ge)PN结(jie)，当(dang)栅极(ji)(ji)(ji)开路时，沟道就相当(dang)于(yu)一(yi)个(ge)电(dian)阻(zu)，不(bu)同型(xing)(xing)号的(de)管(guan)(guan)子其阻(zu)值相同，普通大(da)约为(wei)数百欧到千欧。图6-3所(suo)示为(wei)结(jie)型(xing)(xing)场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)的(de)构造与符号。

2．绝缘栅(zha)型场效(xiao)应管(简称MOSFET)

依据绝缘层所用资料之不同，绝缘栅型场效应管有多品种型，目前应用最普遍的一种是以二氧化硅(Si02)为绝缘层的金属—氧化物—半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)场效(xiao)应管，简称(cheng)MOS场效(xiao)应管(MOSFET)。

绝缘(yuan)栅型(xing)场效应管分为加强型(xing)与耗尽型(xing)，每一类又有(you)N沟(gou)道、P沟(gou)道之分。

绝(jue)(jue)缘(yuan)栅型(xing)场(chang)效应管(guan)的(de)特性是(shi)(shi)输人(ren)电阻高，便于做成集成电路。在一块(kuai)N型(xing)硅片上(shang)(shang)有两个(ge)相距很(hen)近(jin)浓度很(hen)高的(de)P扩散区(qu)，分别为(wei)源(yuan)极(ji)和漏(lou)极(ji)。在源(yuan)区(qu)与漏(lou)区(qu)之(zhi)(zhi)间的(de)硅片上(shang)(shang)，有一层(ceng)绝(jue)(jue)缘(yuan)二氧化硅，绝(jue)(jue)缘(yuan)层(ceng)上(shang)(shang)掩(yan)盖(gai)着金属(shu)铝，这就是(shi)(shi)栅极(ji)。栅极(ji)和其他(ta)电极(ji)之(zhi)(zhi)间是(shi)(shi)绝(jue)(jue)缘(yuan)的(de)，所(suo)以(yi)称为(wei)绝(jue)(jue)缘(yuan)栅型(xing)场(chang)效应管(guan)。由于源(yuan)、栅之(zhi)(zhi)间有一层(ceng)氧化层(ceng)，这种管(guan)子根本上(shang)(shang)没有栅极(ji)电流，因而输入(ru)阻抗十分高。图6-4所(suo)示为(wei)绝(jue)(jue)缘(yuan)栅型(xing)场(chang)效应管(guan)的(de)构造与场(chang)效应管(guan)符号(hao)。

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