利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

一：场(chang)效应管的(de)主要(yao)参数

(1)直流参数

饱(bao)和漏极电流IDSS 它可定义为：当(dang)栅、源(yuan)极之间的(de)电压等(deng)于零，而漏、源极之(zhi)间的(de)电压大(da)于夹(jia)断电压时，对应(ying)的(de)漏极电流(liu).夹断(duan)电压(ya)UP 它(ta)可定义为：当UDS一(yi)定时(shi)，使ID减小到一(yi)个微小的(de)电流(liu)时(shi)所需的(de)UGS开启电压UT 它可定义为(wei)：当UDS一定时，使ID到(dao)达某(mou)一个(ge)数值时所需的UGS

(2)交流(liu)参数(shu)

低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间(jian)电容 场(chang)效应管三个电极之间(jian)的(de)电容，它的(de)值(zhi)越小(xiao)表示(shi)管子的(de)性能(neng)越好。

(3)极(ji)限参数

漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。栅极击穿(chuan)电压 结型场(chang)效应管(guan)正常工作时，栅、源(yuan)极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流(liu)过高，则产(chan)生击穿(chuan)现象。

(4)场效应管参数(shu)符号

Cds---漏-源电容

Cdu---漏(lou)-衬底电(dian)容

Cgd---栅-源电容

Cgs---漏-源电(dian)容

Ciss---栅短路共源输入电容(rong)

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短(duan)路共源反向传输电容

D---占空比（占空系数(shu)，外电路(lu)参数(shu)）

di/dt---电流(liu)上升率（外电路参数）

dv/dt---电(dian)压上(shang)升率（外电(dian)路参(can)数(shu)） 

ID---漏极电流（直流）

IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态(tai)漏极电流

IDQ---静态(tai)漏极电流（射频功(gong)率管(guan)）

IDS---漏(lou)源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅(zha)-源短路(lu)时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和(he)电流(liu)（漏源饱和(he)电流(liu)）

IG---栅极电流（直流）

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路(lu)时，截止栅(zha)电流

IGSO---漏极开路时(shi)，截止(zhi)栅电流(liu)

IGM---栅(zha)极脉(mai)冲电(dian)流

IGP---栅(zha)极峰值电(dian)流

IF---二极管正向(xiang)电流

IGSS---漏极短路(lu)时截止栅电(dian)流

IDSS1---对(dui)管第一管漏源(yuan)饱和(he)电(dian)流

IDSS2---对(dui)管第二管漏(lou)源饱和(he)电流

Iu---衬底电流

Ipr---电(dian)流(liu)脉冲峰值（外(wai)电(dian)路(lu)参数）

gfs---正(zheng)向跨导

Gp---功(gong)率(lv)增益

Gps---共源极中和高频功率(lv)增益

GpG---共栅极中和高(gao)频功(gong)率增益(yi)

GPD---共漏极中和(he)高频功率(lv)增益

ggd---栅漏电导

gds---漏源电(dian)导

K---失(shi)调电压温(wen)度系数

Ku---传输系数

L---负载(zai)电感(gan)（外电路(lu)参数）

LD---漏极电感(gan)

Ls---源极(ji)电感

rDS---漏源电阻(zu)

rDS(on)---漏源(yuan)通(tong)态电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rGD---栅漏(lou)电(dian)阻(zu)

rGS---栅源电(dian)阻

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

RL---负载电阻(zu)（外电路(lu)参数）

R(th)jc---结壳(qiao)热(re)阻

R(th)ja---结环热阻

PD---漏(lou)极耗散功率

PDM---漏极最大允许耗散(san)功率PIN--输入功率

POUT---输(shu)出(chu)功率

PPK---脉(mai)冲功率峰值（外电路参(can)数）

to(on)---开(kai)通延迟时间

td(off)---关断延迟时间

ti---上升(sheng)时间

ton---开(kai)通(tong)时间

toff---关断(duan)时间

tf---下降时(shi)间

trr---反向恢复(fu)时间

Tj---结温

Tjm---最大允(yun)许结温

Ta---环(huan)境温度

Tc---管(guan)壳温度

Tstg---贮成温度

VDS---漏源(yuan)电压（直流）

VGS---栅(zha)源(yuan)电压（直流）

VGSF--正(zheng)向栅源(yuan)电压(ya)（直流）

VGSR---反向(xiang)栅源电(dian)压(ya)（直流）

VDD---漏极（直流(liu)）电源电压（外电路参数）

VGG---栅(zha)极（直流）电(dian)源(yuan)电(dian)压(ya)（外电(dian)路参数）

Vss---源极（直(zhi)流）电源电压（外(wai)电路参数）

VGS(th)---开启(qi)电压(ya)或阀电压(ya)

V（BR）DSS---漏(lou)源击穿电(dian)压

V（BR）GSS---漏(lou)源短路时栅源击(ji)穿(chuan)电压

VDS(on)---漏源通(tong)态电(dian)压

VDS(sat)---漏(lou)源饱和电压

VGD---栅漏电压（直流(liu)）

Vsu---源(yuan)衬底(di)电(dian)压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流(liu)）

VGu---栅(zha)衬底电(dian)压（直流(liu)）

Zo---驱动源内阻

η---漏极(ji)效率(lv)（射(she)频(pin)功率(lv)管(guan)）

Vn---噪(zao)声电压

aID---漏极电流温度系数

ards---漏源电阻(zu)温度系(xi)数(shu)

相关搜索：

场(chang)效应管工作(zuo)原理 mos管工作原理 大功率mos管

联系方(fang)式：邹先生

联(lian)系电(dian)话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地址：深圳市福田区车公庙(miao)天安数(shu)码(ma)城天吉(ji)大厦CD座5C1

关注(zhu)(zhu)KIA半导体(ti)工程专辑请搜微信号:“KIA半导体(ti)”或点击本文下方图片扫(sao)一扫(sao)进入官方微信“关注(zhu)(zhu)”

长按二维码识别关注(zhu)