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MOS管(guan)场效应(ying)管(guan)的作(zuo)用有哪些?以(yi)及它的应(ying)用领域

信息来(lai)源:本站 日期:2016-10-26 

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场效应管分类

场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)分(fen)结(jie)型(xing)、绝缘(yuan)栅型(xing)两(liang)(liang)大类。结(jie)型(xing)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(JFET)因(yin)有两(liang)(liang)个PN结(jie)而(er)得(de)名,绝缘(yuan)栅型(xing)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)(JGFET)则因(yin)栅极(ji)(ji)与其它电极(ji)(ji)完整绝缘(yuan)而(er)得(de)名。目前在绝缘(yuan)栅型(xing)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)中(zhong),应(ying)用最(zui)为普遍的是MOS场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan),简称MOS管(guan)(guan)(即(ji)金属-氧(yang)化物-半导体场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和(he)VMOS功(gong)率场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan),以及(ji)最(zui)近刚问世的πMOS场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)、VMOS功(gong)率模块等。

mos管和场效应管
碳化硅场效应管



按沟(gou)道半(ban)导体(ti)资料的不同,结型和绝缘栅(zha)型各分(fen)(fen)沟(gou)道和P沟(gou)道两种(zhong)。若按导电方式来划分(fen)(fen),场效(xiao)应(ying)管又可分(fen)(fen)红耗尽(jin)型与加强型。结型场效(xiao)应(ying)管均为耗尽(jin)型,绝缘栅(zha)型场效(xiao)应(ying)管既有(you)耗尽(jin)型的,也有(you)加强型的。

场效(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)可分(fen)(fen)为结场效(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)和(he)MOS场效(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)。而MOS场效(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管(guan)又分(fen)(fen)为N沟(gou)耗尽(jin)型和(he)加强型;P沟(gou)耗尽(jin)型和(he)加强型四大类。见下图。

碳化硅场效应管

场效应管的特点

场效应(ying)管的特性(xing)是南栅极电(dian)压UG;控制(zhi)其(qi)漏极电(dian)流ID。和(he)普通双(shuang)极型(xing)晶体管相比拟,场效应(ying)管具有输入阻(zu)抗(kang)高(gao)、噪声低、动态范(fan)围大、功(gong)耗小(xiao)、易于(yu)集成等特性(xing)。

场效应管

场(chang)效(xiao)应(ying)管的工作原(yuan)理如图4-24所示(shi)(以结型(xing)N沟道管为例(li))。由于(yu)栅极G接有负偏压(-UG),在G左近构成耗(hao)尽(jin)层。

当负(fu)负(fu)偏压(ya)(-UG)的(de)绝对(dui)值增(zeng)大时(shi),耗(hao)尽层(ceng)增(zeng)大,沟道(dao)减(jian)小(xiao),漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)流ID减(jian)小(xiao)。当负(fu)偏压(ya)(一UG)的(de)绝对(dui)值减(jian)小(xiao)时(shi),耗(hao)尽层(ceng)减(jian)小(xiao),沟道(dao)增(zeng)大,漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)流ID增(zeng)大。可见,漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)流ID受栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)控(kong)(kong)制,所以场效应管(guan)是电(dian)(dian)(dian)压(ya)控(kong)(kong)制型器件,即(ji)经过输入电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)变化来控(kong)(kong)制输出电(dian)(dian)(dian)流的(de)变化,从(cong)而到达放大等目的(de)。

和双极型晶体(ti)管(guan)一样,场效应管(guan)用于放大等电(dian)路时,其栅极也应加偏置(zhi)电(dian)压(ya)。

结型(xing)场(chang)效府管(guan)(guan)的(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)(zha)极应(ying)加(jia)(jia)反向偏(pian)(pian)置电压,即(ji)N沟道管(guan)(guan)加(jia)(jia)负栅(zha)(zha)(zha)(zha)压,P沟道管(guan)(guan)加(jia)(jia)正栅(zha)(zha)(zha)(zha)爪。加(jia)(jia)强型(xing)绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)(zha)(zha)(zha)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)应(ying)加(jia)(jia)正向栅(zha)(zha)(zha)(zha)压。耗尽型(xing)绝(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)(zha)(zha)(zha)场(chang)效应(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)栅(zha)(zha)(zha)(zha)压可正、可负、可为“0”,见表4-2。加(jia)(jia)偏(pian)(pian)置的(de)(de)办(ban)法有(you)同定偏(pian)(pian)置法、自给偏(pian)(pian)置法、直(zhi)接耦合法等(deng)。

场效应管

场效应管的参数

场效(xiao)应管(guan)的参(can)数很多,包括直流(liu)参(can)数、交(jiao)流(liu)参(can)数和(he)(he)极(ji)限参(can)数,但(dan)普通运用时只(zhi)需关注以下(xia)主要参(can)数:饱和(he)(he)漏(lou)源(yuan)电(dian)流(liu)IDSS夹(jia)断(duan)电(dian)压(ya)(ya)Up,(结型(xing)管(guan)和(he)(he)耗(hao)尽(jin)型(xing)绝缘栅管(guan),或开启(qi)电(dian)压(ya)(ya)UT(加强(qiang)型(xing)绝缘栅管(guan))、跨导(dao)gm、漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电(dian)压(ya)(ya)BUDS、最大耗(hao)散功率PDSM和(he)(he)最大漏(lou)源(yuan)电(dian)流(liu)IDSM。

(1)饱和漏源电流

饱(bao)和漏源电(dian)流(liu)IDSS是指(zhi)结型(xing)或耗(hao)尽型(xing)绝缘(yuan)栅场效(xiao)应管(guan)中,栅极电(dian)压UGS=0时的漏源电(dian)流(liu)。

(2)夹断电压

夹断电(dian)压UP是(shi)指结型或耗尽(jin)型绝(jue)缘栅(zha)场效应管(guan)中,使漏源间刚截止时的栅(zha)极电(dian)压。如同4-25所示(shi)为N沟道管(guan)的UGS一ID曲线,可明白看出IDSS和(he)UP的意义。如图(tu)4-26所示(shi)为P沟道管(guan)的UGS-ID曲线。

场效应管



(3)开启电压

开启电(dian)压UT是指(zhi)加强型绝(jue)缘栅(zha)场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)中(zhong),使漏源间刚导通(tong)时(shi)的(de)(de)栅(zha)极(ji)电(dian)压。如(ru)图4-27所(suo)示为(wei)N沟道管(guan)(guan)的(de)(de)UGS-ID曲线,可明(ming)白看出UT的(de)(de)意义。如(ru)图4-28所(suo)示为(wei)P沟道管(guan)(guan)的(de)(de)UGS-ID曲线。

场效应管


(4)跨导

跨导gm是(shi)(shi)表示栅(zha)(zha)源(yuan)电压UGS对漏极(ji)电流ID的控制(zhi)才能(neng),即漏极(ji)电流ID变化量与(yu)栅(zha)(zha)源(yuan)电压UGS变化量的比值。9m是(shi)(shi)权衡场效应(ying)管放大才能(neng)的重要参(can)数。

(5)漏源击穿电压

漏(lou)源(yuan)(yuan)击(ji)穿电压(ya)BUDS是(shi)指栅(zha)源(yuan)(yuan)电压(ya)UGS一定(ding)时(shi),场效应管正常工作所(suo)能接(jie)受(shou)的最大漏(lou)源(yuan)(yuan)电压(ya)。这是(shi)一项极限(xian)参数,加在(zai)场效应管上的工作电压(ya)必需小于BUDS。

(6)最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也(ye)是—项极(ji)限参(can)数,是指(zhi)场效应管(guan)性能不变坏时所允许(xu)的最大漏(lou)源(yuan)耗散功率。运(yun)用时场效应管(guan)实践功耗应小(xiao)于(yu)PDSM并(bing)留有—定余(yu)量。

(7)最大漏源电流

最(zui)大漏源(yuan)电(dian)流IDSM是(shi)另一项(xiang)极限参数(shu),是(shi)指场(chang)效应(ying)管(guan)正(zheng)常工(gong)(gong)作时,漏源(yuan)间所允许经(jing)过的最(zui)大电(dian)流。场(chang)效应(ying)管(guan)的工(gong)(gong)作电(dian)流不(bu)应(ying)超越(yue)IDSM。

场效应管的作用

一(yi)、场效(xiao)应管可应用于放大(da)。由于场效(xiao)应管放大(da)器的输(shu)入阻抗(kang)很高,因(yin)此耦合(he)电(dian)(dian)容可以容量较小,不必使用电(dian)(dian)解电(dian)(dian)容器。

二(er)、场(chang)效应(ying)管很高的(de)输入(ru)阻(zu)抗(kang)非常适(shi)合作阻(zu)抗(kang)变换。常用于(yu)多级放大器的(de)输入(ru)级作阻(zu)抗(kang)变换。

三、场效应管(guan)可以用(yong)作可变(bian)电(dian)阻。

四、场效应管(guan)可(ke)以方便地用作恒流源。

五、场(chang)效应(ying)管可以用作电子开(kai)关。

MOS管(guan)、场(chang)效应管(guan)。具(ju)有低内(nei)阻、高耐压(ya)、快速(su)开关、雪崩能量高等特点(dian),设计电流跨度1A-200A电压(ya)跨度30V-1200V,我们可以根据客户的应用(yong)领域和应用(yong)方案(an)的不(bu)同作出(chu)调整电性参数,提高客户产品的可靠(kao)性,整体转换效率和产品的价格(ge)竞(jing)争优势。


场效应管与晶体管的比较

(1)场(chang)效应(ying)管(guan)是电压控制元(yuan)件,而晶体(ti)管(guan)是电流(liu)控制元(yuan)件。在(zai)只允(yun)许从信号(hao)源取较(jiao)(jiao)少电流(liu)的情(qing)况下,应(ying)选用场(chang)效应(ying)管(guan);而在(zai)信号(hao)电压较(jiao)(jiao)低,又允(yun)许从信号(hao)源取较(jiao)(jiao)多电流(liu)的条(tiao)件下,应(ying)选用晶体(ti)管(guan)。

(2)场效应(ying)管是利(li)用多(duo)(duo)数载(zai)流子导(dao)电(dian)(dian),所以称(cheng)之为(wei)单极(ji)型器(qi)件(jian),而晶体管是即有多(duo)(duo)数载(zai)流子,也利(li)用少数载(zai)流子导(dao)电(dian)(dian)。被(bei)称(cheng)之为(wei)双极(ji)型器(qi)件(jian)。

(3)有些场效应(ying)管的源极和漏极可以(yi)互换使用,栅压(ya)也可正可负(fu),灵活性(xing)比晶体管好(hao)。

(4)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应管能(neng)在很(hen)(hen)小电(dian)(dian)流和(he)很(hen)(hen)低(di)电(dian)(dian)压的(de)(de)条(tiao)件下工(gong)(gong)作,而且它的(de)(de)制造工(gong)(gong)艺可以很(hen)(hen)方便地把(ba)很(hen)(hen)多场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应管集(ji)成(cheng)在一块(kuai)硅片上,因此场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应管在大规模集(ji)成(cheng)电(dian)(dian)路中得(de)到了广(guang)泛的(de)(de)应用。


场效应管好坏与极性判别

将万用(yong)(yong)表的量(liang)程选择在(zai)RX1K档,用(yong)(yong)黑表笔接D极(ji),红表笔接S极(ji),用(yong)(yong)手同时(shi)触(chu)及(ji)一下G,D极(ji),场效应(ying)(ying)管应(ying)(ying)呈(cheng)瞬时(shi)导通状态(tai),即(ji)表针(zhen)摆向阻值较小的位(wei)置(zhi),再(zai)用(yong)(yong)手触(chu)及(ji)一下G,S极(ji), 场效应(ying)(ying)管应(ying)(ying)无反应(ying)(ying),即(ji)表针(zhen)回零位(wei)置(zhi)不动.此时(shi)应(ying)(ying)可(ke)判断出场效应(ying)(ying)管为好管.

将万(wan)用表(biao)(biao)的(de)(de)量(liang)程选择在RX1K档(dang),分(fen)别测量(liang)场效应管三个管脚(jiao)之间(jian)(jian)的(de)(de)电阻(zu)阻(zu)值,若某(mou)脚(jiao)与其他(ta)两脚(jiao)之间(jian)(jian)的(de)(de)电阻(zu)值均(jun)为(wei)无穷(qiong)(qiong)大时(shi),并且再交(jiao)换表(biao)(biao)笔(bi)(bi)后(hou)仍为(wei)无穷(qiong)(qiong)大时(shi),则此(ci)脚(jiao)为(wei)G极(ji)(ji)(ji),其它两脚(jiao)为(wei)S极(ji)(ji)(ji)和D极(ji)(ji)(ji).然(ran)后(hou)再用万(wan)用表(biao)(biao)测量(liang)S极(ji)(ji)(ji)和D极(ji)(ji)(ji)之间(jian)(jian)的(de)(de)电阻(zu)值一(yi)次(ci),交(jiao)换表(biao)(biao)笔(bi)(bi)后(hou)再测量(liang)一(yi)次(ci),其中阻(zu)值较小的(de)(de)一(yi)次(ci),黑表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)的(de)(de)是S极(ji)(ji)(ji),红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接(jie)的(de)(de)是D极(ji)(ji)(ji).


场效应管的检测及使用注意事项

一、用指针式万用表对场效应管进行判别

1)用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)PN结(jie)正(zheng)、反(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值不(bu)(bu)一样的(de)(de)(de)(de)(de)现象,可以(yi)(yi)判别(bie)出(chu)(chu)结(jie)型场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)三个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)。具体方法:将(jiang)万用表(biao)(biao)(biao)拨在R×1k档上(shang),任(ren)选两(liang)(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji),分(fen)(fen)别(bie)测(ce)出(chu)(chu)其正(zheng)、反(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值。当(dang)某两(liang)(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)正(zheng)、反(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值相等(deng),且(qie)为(wei)(wei)几千欧(ou)姆时,则该两(liang)(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)分(fen)(fen)别(bie)是(shi)(shi)(shi)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S。因为(wei)(wei)对结(jie)型场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)而言,漏极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)可互换,剩下的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)肯定是(shi)(shi)(shi)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G。也(ye)可以(yi)(yi)将(jiang)万用表(biao)(biao)(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(红表(biao)(biao)(biao)笔也(ye)行)任(ren)意(yi)接(jie)触一个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji),另一只(zhi)表(biao)(biao)(biao)笔依次去(qu)接(jie)触其余的(de)(de)(de)(de)(de)两(liang)(liang)个(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji),测(ce)其电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值。当(dang)出(chu)(chu)现两(liang)(liang)次测(ce)得的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值近似相等(deng)时,则黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔所接(jie)触的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji),其余两(liang)(liang)电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)分(fen)(fen)别(bie)为(wei)(wei)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)。若两(liang)(liang)次测(ce)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值均很(hen)大,说明(ming)是(shi)(shi)(shi)PN结(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)(fan)向(xiang)(xiang),即(ji)都是(shi)(shi)(shi)反(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu),可以(yi)(yi)判定是(shi)(shi)(shi)N沟道场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan),且(qie)黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔接(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)(shi)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji);若两(liang)(liang)次测(ce)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值均很(hen)小,说明(ming)是(shi)(shi)(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)PN结(jie),即(ji)是(shi)(shi)(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu),判定为(wei)(wei)P沟道场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)(xiao)应(ying)管(guan),黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔接(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)也(ye)是(shi)(shi)(shi)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)。若不(bu)(bu)出(chu)(chu)现上(shang)述情况,可以(yi)(yi)调(diao)换黑(hei)、红表(biao)(biao)(biao)笔按上(shang)述方法进行测(ce)试,直到判别(bie)出(chu)(chu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)(wei)止。


2)用测电阻法判别场效应管的好坏

测(ce)(ce)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)法是(shi)用(yong)(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)(yong)表测(ce)(ce)量(liang)场效应管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)源极(ji)与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)与(yu)(yu)源极(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)G1与(yu)(yu)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)G2之(zhi)(zhi)(zhi)间的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)同场效应管(guan)(guan)手册(ce)标(biao)明的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)否相符去判(pan)别管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)好坏。具体方法:首(shou)先(xian)将万(wan)用(yong)(yong)(yong)表置于R×10或R×100档(dang),测(ce)(ce)量(liang)源极(ji)S与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)D之(zhi)(zhi)(zhi)间的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu),通常在(zai)几十欧到几千(qian)欧范围(在(zai)手册(ce)中(zhong)可知(zhi),各(ge)种不同型(xing)号的(de)(de)(de)(de)(de)(de)管(guan)(guan),其电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)各(ge)不相同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)),如果测(ce)(ce)得阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)大(da)于正(zheng)常值(zhi)(zhi),可能(neng)是(shi)由(you)于内(nei)部接(jie)触不良;如果测(ce)(ce)得阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)无(wu)穷大(da),可能(neng)是(shi)内(nei)部断极(ji)。然后(hou)把万(wan)用(yong)(yong)(yong)表置于R×10k档(dang),再测(ce)(ce)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)G1与(yu)(yu)G2之(zhi)(zhi)(zhi)间、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)与(yu)(yu)源极(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)之(zhi)(zhi)(zhi)间的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi),当测(ce)(ce)得其各(ge)项(xiang)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)均为无(wu)穷大(da),则说明管(guan)(guan)是(shi)正(zheng)常的(de)(de)(de)(de)(de)(de);若(ruo)测(ce)(ce)得上述(shu)各(ge)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)太小或为通路(lu),则说明管(guan)(guan)是(shi)坏的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。要(yao)注意,若(ruo)两个栅(zha)(zha)(zha)极(ji)在(zai)管(guan)(guan)内(nei)断极(ji),可用(yong)(yong)(yong)元件代换法进行检测(ce)(ce)。


3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体方法:用万(wan)用表(biao)(biao)(biao)(biao)电(dian)阻的(de)(de)(de)R×100档,红(hong)表(biao)(biao)(biao)(biao)笔接(jie)源(yuan)(yuan)极(ji)S,黑表(biao)(biao)(biao)(biao)笔接(jie)漏(lou)极(ji)D,给场(chang)效(xiao)应(ying)管加上(shang)1.5V的(de)(de)(de)电(dian)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya),此(ci)时表(biao)(biao)(biao)(biao)针指示出的(de)(de)(de)漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)间的(de)(de)(de)电(dian)阻值。然(ran)后用手捏住结(jie)型场(chang)效(xiao)应(ying)管的(de)(de)(de)栅极(ji)G,将人体的(de)(de)(de)感应(ying)电(dian)压(ya)信号加到栅极(ji)上(shang)。这样,由于管的(de)(de)(de)放(fang)大(da)(da)作(zuo)用,漏(lou)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)VDS和漏(lou)极(ji)电(dian)流Ib都要(yao)发生(sheng)变(bian)化,也就是漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)间电(dian)阻发生(sheng)了(le)变(bian)化,由此(ci)可以观察到表(biao)(biao)(biao)(biao)针有较(jiao)大(da)(da)幅度的(de)(de)(de)摆(bai)动(dong)。如果手捏栅极(ji)表(biao)(biao)(biao)(biao)针摆(bai)动(dong)较(jiao)小(xiao),说(shuo)明(ming)(ming)管的(de)(de)(de)放(fang)大(da)(da)能力较(jiao)差;表(biao)(biao)(biao)(biao)针摆(bai)动(dong)较(jiao)大(da)(da),表(biao)(biao)(biao)(biao)明(ming)(ming)管的(de)(de)(de)放(fang)大(da)(da)能力大(da)(da);若表(biao)(biao)(biao)(biao)针不动(dong),说(shuo)明(ming)(ming)管是坏的(de)(de)(de)。

根据上(shang)述方法,我(wo)们用(yong)万用(yong)表(biao)的(de)R×100档,测(ce)结型场效(xiao)应管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)G极(ji)开路,测(ce)得(de)漏源(yuan)电(dian)(dian)阻RDS为600Ω,用(yong)手捏住G极(ji)后(hou),表(biao)针向左摆动(dong)(dong),指示的(de)电(dian)(dian)阻RDS为12kΩ,表(biao)针摆动(dong)(dong)的(de)幅度较大(da),说明该管(guan)是好的(de),并有较大(da)的(de)放大(da)能力。

运用(yong)这(zhei)种方(fang)法时(shi)要(yao)说明几点:首先,在(zai)(zai)测(ce)(ce)(ce)试(shi)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)用(yong)手捏住栅(zha)极(ji)(ji)时(shi),万用(yong)表(biao)针(zhen)(zhen)可(ke)能(neng)向(xiang)(xiang)(xiang)右(you)摆动(dong)(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值减小),也可(ke)能(neng)向(xiang)(xiang)(xiang)左摆动(dong)(电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值增加)。这(zhei)是由于人(ren)体(ti)感应(ying)(ying)的(de)(de)交流(liu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)较高(gao),而(er)不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)用(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)档测(ce)(ce)(ce)量时(shi)的(de)(de)工(gong)作(zuo)点可(ke)能(neng)不(bu)(bu)同(tong)(或(huo)者工(gong)作(zuo)在(zai)(zai)饱和区或(huo)者在(zai)(zai)不(bu)(bu)饱和区)所致,试(shi)验表(biao)明,多数(shu)管(guan)(guan)的(de)(de)RDS增大(da),即表(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)(xiang)左摆动(dong);少数(shu)管(guan)(guan)的(de)(de)RDS减小,使表(biao)针(zhen)(zhen)向(xiang)(xiang)(xiang)右(you)摆动(dong)。但无论表(biao)针(zhen)(zhen)摆动(dong)方(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)如(ru)何,只要(yao)表(biao)针(zhen)(zhen)摆动(dong)幅度较大(da),就说明管(guan)(guan)有(you)较大(da)的(de)(de)放大(da)能(neng)力(li)。第(di)二,此(ci)方(fang)法对(dui)MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)也适用(yong)。但要(yao)注意,MOS场(chang)(chang)效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)输人(ren)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)高(gao),栅(zha)极(ji)(ji)G允许的(de)(de)感应(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)压(ya)不(bu)(bu)应(ying)(ying)过高(gao),所以不(bu)(bu)要(yao)直接(jie)用(yong)手去捏栅(zha)极(ji)(ji),必(bi)须用(yong)于握螺丝刀的(de)(de)绝缘柄,用(yong)金属杆(gan)去碰触栅(zha)极(ji)(ji),以防止人(ren)体(ti)感应(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)荷(he)直接(jie)加到栅(zha)极(ji)(ji),引起栅(zha)极(ji)(ji)击穿(chuan)。第(di)三(san),每次测(ce)(ce)(ce)量完(wan)毕,应(ying)(ying)当(dang)G-S极(ji)(ji)间(jian)短路一下。这(zhei)是因为G-S结电(dian)(dian)(dian)容上(shang)会(hui)充有(you)少量电(dian)(dian)(dian)荷(he),建立(li)起VGS电(dian)(dian)(dian)压(ya),造成再进行(xing)(xing)测(ce)(ce)(ce)量时(shi)表(biao)针(zhen)(zhen)可(ke)能(neng)不(bu)(bu)动(dong),只有(you)将G-S极(ji)(ji)间(jian)电(dian)(dian)(dian)荷(he)短路放掉才行(xing)(xing)。


4)用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)电(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)方法(fa)找出两个(ge)有电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)的(de)(de)管(guan)脚(jiao)(jiao),也就(jiu)是源极S和漏极D,余下两个(ge)脚(jiao)(jiao)为第(di)一(yi)(yi)栅(zha)极G1和第(di)二栅(zha)极G2。把先用两表笔(bi)测(ce)(ce)(ce)(ce)的(de)(de)源极S与(yu)漏极D之间的(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)记(ji)下来(lai),对(dui)调表笔(bi)再测(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)一(yi)(yi)次(ci),把其测(ce)(ce)(ce)(ce)得电(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)记(ji)下来(lai),两次(ci)测(ce)(ce)(ce)(ce)得阻(zu)值(zhi)较大的(de)(de)一(yi)(yi)次(ci),黑表笔(bi)所(suo)接(jie)的(de)(de)电(dian)(dian)极为漏极D;红表笔(bi)所(suo)接(jie)的(de)(de)为源极S。用这种方法(fa)判别出来(lai)的(de)(de)S、D极,还可(ke)以用估测(ce)(ce)(ce)(ce)其管(guan)的(de)(de)放大能力(li)的(de)(de)方法(fa)进行验证(zheng),即放大能力(li)大的(de)(de)黑表笔(bi)所(suo)接(jie)的(de)(de)是D极;红表笔(bi)所(suo)接(jie)地(di)是8极,两种方法(fa)检测(ce)(ce)(ce)(ce)结果均应一(yi)(yi)样。当(dang)确定了(le)漏极D、源极S的(de)(de)位(wei)(wei)(wei)置后(hou),按D、S的(de)(de)对(dui)应位(wei)(wei)(wei)置装(zhuang)人电(dian)(dian)路,一(yi)(yi)般(ban)G1、G2也会依次(ci)对(dui)准(zhun)位(wei)(wei)(wei)置,这就(jiu)确定了(le)两个(ge)栅(zha)极G1、G2的(de)(de)位(wei)(wei)(wei)置,从而就(jiu)确定了(le)D、S、G1、G2管(guan)脚(jiao)(jiao)的(de)(de)顺序。


5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对VMOSN沟道增强型场(chang)效应管(guan)(guan)测(ce)量跨(kua)导性能时(shi),可用红表笔接源极(ji)S、黑表笔接漏极(ji)D,这就相当(dang)于(yu)在(zai)源、漏极(ji)之间(jian)加了一个(ge)反(fan)(fan)(fan)(fan)向电(dian)压(ya)。此(ci)时(shi)栅(zha)极(ji)是开路(lu)的(de)(de),管(guan)(guan)的(de)(de)反(fan)(fan)(fan)(fan)向电(dian)阻(zu)值是很不稳定的(de)(de)。将万用表的(de)(de)欧(ou)姆(mu)档选在(zai)R×10kΩ的(de)(de)高阻(zu)档,此(ci)时(shi)表内电(dian)压(ya)较高。当(dang)用手接触(chu)栅(zha)极(ji)G时(shi),会发(fa)现管(guan)(guan)的(de)(de)反(fan)(fan)(fan)(fan)向电(dian)阻(zu)值有明显(xian)地变化(hua)(hua),其变化(hua)(hua)越大,说明管(guan)(guan)的(de)(de)跨(kua)导值越高;如(ru)果被测(ce)管(guan)(guan)的(de)(de)跨(kua)导很小,用此(ci)法(fa)测(ce)时(shi),反(fan)(fan)(fan)(fan)向阻(zu)值变化(hua)(hua)不大。


场效应管的使用注意事项

1)为(wei)了安全使用场效应管,在线路(lu)的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源(yuan)电压(ya)、最大栅源(yuan)电压(ya)和(he)最大电流等参数的极限值。

2)各类型(xing)(xing)场(chang)效应(ying)管(guan)在使用时,都要严格(ge)按(an)要求(qiu)的偏置接人(ren)电路中,要遵守场(chang)效应(ying)管(guan)偏置的极(ji)性。如结型(xing)(xing)场(chang)效应(ying)管(guan)栅源(yuan)漏之间是PN结,N沟道管(guan)栅极(ji)不能加(jia)正偏压;P沟道管(guan)栅极(ji)不能加(jia)负偏压,等等。

3)MOS场(chang)(chang)效应管(guan)由于输人阻抗极(ji)高,所以(yi)在(zai)运输、贮藏中必须(xu)将(jiang)引出脚短路,要用(yong)金(jin)属屏(ping)蔽(bi)包装,以(yi)防止外来感应电势将(jiang)栅极(ji)击穿。尤其要注意(yi),不(bu)能将(jiang)MOS场(chang)(chang)效应管(guan)放人塑(su)料盒子内(nei),保存(cun)时(shi)最好放在(zai)金(jin)属盒内(nei),同时(shi)也要注意(yi)管(guan)的防潮。

4)为了防止(zhi)场(chang)效应(ying)管(guan)栅极(ji)感(gan)应(ying)击(ji)穿,要(yao)求(qiu)一切(qie)测试仪器(qi)、工作(zuo)台、电烙铁(tie)、线路(lu)(lu)本(ben)身(shen)都必须有良好的(de)(de)接地(di);管(guan)脚在焊(han)(han)接时(shi)(shi),先焊(han)(han)源极(ji);在连入电路(lu)(lu)之(zhi)前,管(guan)的(de)(de)全(quan)部引线端保(bao)持互(hu)相短(duan)接状(zhuang)态,焊(han)(han)接完后才把短(duan)接材料去掉(diao);从元(yuan)器(qi)件架上取下管(guan)时(shi)(shi),应(ying)以(yi)(yi)适当的(de)(de)方(fang)式(shi)确保(bao)人(ren)体接地(di)如(ru)采用接地(di)环等;当然,如(ru)果能采用先进的(de)(de)气热型电烙铁(tie),焊(han)(han)接场(chang)效应(ying)管(guan)是比(bi)较(jiao)方(fang)便的(de)(de),并且确保(bao)安全(quan);在未(wei)关断电源时(shi)(shi),绝对不(bu)可以(yi)(yi)把管(guan)插人(ren)电路(lu)(lu)或从电路(lu)(lu)中拔(ba)出。以(yi)(yi)上安全(quan)措(cuo)施在使(shi)用场(chang)效应(ying)管(guan)时(shi)(shi)必须注意。

5)在安(an)装场效(xiao)应管(guan)时(shi),注意安(an)装的(de)位(wei)置要尽(jin)量避免靠近发热元件(jian);为了防管(guan)件(jian)振(zhen)动,有必要将管(guan)壳体紧固起来;管(guan)脚引线(xian)在弯曲时(shi),应当大(da)于(yu)根部(bu)尺寸5毫米处进行(xing),以防止弯断(duan)管(guan)脚和引起漏气等。

对于(yu)功率(lv)(lv)型(xing)(xing)场效应(ying)管,要有(you)良(liang)好的散(san)热条(tiao)(tiao)件。因为功率(lv)(lv)型(xing)(xing)场效应(ying)管在(zai)高负(fu)荷(he)条(tiao)(tiao)件下运(yun)用(yong),必须设计足够的散(san)热器,确(que)保(bao)壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可(ke)靠地工作。

总之,确(que)保(bao)场效应管安全使用,要注意的事项(xiang)是(shi)多种多样,采(cai)取的安全措(cuo)施也(ye)是(shi)各种各样,广大的专(zhuan)业(ye)技术人员,特别(bie)是(shi)广大的电子爱(ai)好者,都要根据自(zi)己的实(shi)际情况出发,采(cai)取切实(shi)可行的办(ban)法,安全有效地用好场效应管。


场效应管应用领域

1:工业领域(yu)、步进(jin)马达(da)驱动、 电钻工具(ju)、工业开(kai)关电源

2:新(xin)能源领(ling)域、光伏逆变(bian)、充(chong)电桩、无人机(ji)

3:交通(tong)运(yun)输(shu)领域、车(che)载逆变(bian)器(qi)、汽(qi)车(che)HID安定器(qi)、电动自行车(che)

4:绿色照明领域、CCFL节(jie)能灯(deng)、LED照明电源(yuan)、金卤灯(deng)镇流器

场效应更管


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