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结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管(guan)，简称MOS管(guan)（即金属-氧化物-半导(dao)体场(chang)(chang)效应管(guan)MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功(gong)率场(chang)(chang)效应管(guan)，以及最近刚问世的(de)πMOS场(chang)(chang)效应管(guan)、VMOS功(gong)率模(mo)块(kuai)等。 场(chang)(chang)效应管(guan)分结型、绝缘栅型两大类。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和MOS管(guan)P沟道两种。一般(ban)的(de)晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)是由两种极性的(de)载流(liu)子(zi),即多(duo)数载流(liu)子(zi)和反极性的(de)少数载流(liu)子(zi)介入(ru)(ru)导电(dian),因(yin)(yin)此称为(wei)双极型晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan),而FET仅是由多(duo)数载流(liu)子(zi)介入(ru)(ru)导电(dian),它(ta)与双极型相反,也称为(wei)单极型晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)。它(ta)属(shu)于电(dian)压控制(zhi)型半(ban)导体(ti)器件，具有输入(ru)(ru)电(dian)阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低(di)、动态范围大、易于集成(cheng)、没有二(er)次击穿现象、安(an)全(quan)工(gong)作区域(yu)宽等长处，现已成(cheng)为(wei)双极型晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)和功率晶(jing)(jing)体(ti)管(guan)(guan)的(de)强(qiang)盛(sheng)竞争者。结型场(chang)效应管(guan)(guan)（JFET）因(yin)(yin)有两个PN结而得名(ming)，绝缘栅(zha)(zha)型场(chang)效应管(guan)(guan)（JGFET）则因(yin)(yin)栅(zha)(zha)极与其(qi)它(ta)电(dian)极完全(quan)绝缘而得名(ming)。若(ruo)按导电(dian)方式来(lai)划(hua)分，场(chang)效应管(guan)(guan)又可分成(cheng)耗尽(jin)型与增强(qiang)型。

（1）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极(ji)(ji)、源极(ji)(ji)、栅极(ji)(ji)。

（2）.掏出的MOS器件不能在(zai)塑(su)料板上滑动(dong)，应用金(jin)属盘来盛(sheng)放待用器件。

（3）.MOS器件(jian)出厂时(shi)通常装在(zai)(zai)玄色的(de)导电(dian)泡沫塑料袋中(zhong)，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可(ke)用(yong)(yong)细铜线把各个引脚连接在(zai)(zai)一起，或用(yong)(yong)锡纸包(bao)装MOS场效(xiao)应(ying)晶体管(guan)在(zai)(zai)使用(yong)(yong)时(shi)应(ying)留意(yi)分类(lei)，不能随意(yi)互(hu)换。

（4）. 焊接用的电烙铁必需良好接地。在检验电路时(shi)应留意查证(zheng)原有的保护二(er)极管是否损坏。

（7）. MOS场效应晶体管的(de)栅极(ji)在答应前(qian)提下，最好(hao)接入保护二(er)极(ji)管。

（5）. 在焊(han)(han)接前应把电路(lu)板的电源线与地线短(duan)接，再MOS器(qi)件焊(han)(han)接完(wan)成后在分开(kai)。拆机(ji)时顺序相反(fan)。

（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

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