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漏(lou)极电流上(shang)升和下降(jiang)太快会在地线和电源线上(shang)引起较大(da)的(de) Ldi/dt 尖峰电压(ya)并在邻近(jin)的(de)线路或(huo)节(jie)点上(shang)辑合出(chu)大(da)的(de) CdV/dt j良涌电流。

由此引出(chu)的问题是(shi)，为了尽可能(neng)缩短漏极(ji)电流的上升(sheng)时间(jian) ，具体需(xu)要多大的栅极(ji)电压上升(sheng)速度 。图 9.3b和图 9.3d 的传输特性(xing)曲(qu)线中(zhong)给出(chu)了答(da)案 。

对于MOSFET管，漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)流从(cong)(cong)0上升(sheng)到Id的时间对应于栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)从(cong)(cong)值(zhi)电(dian)(dian)(dian)压(ya)比上升(sheng)到 Vg1 的时间，如图(tu)9.3b所示(shi)。栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)从(cong)(cong)0上升(sheng)到阙(que)值(zhi)（ 约为(wei) 2.5V ） 的时间为(wei) MOSFET 管的导(dao)通(tong)(tong)延(yan)迟时间 。漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)流导(dao)通(tong)(tong)速度并(bing)不能(neng)像双极(ji)(ji)型晶体管那样(yang)通(tong)(tong)过(guo)在输(shu)入端施加过(guo)驱(qu)动(dong)来(lai)如速（见8.2节和图(tu)8.2 (b） 。

另外(wai)，MOSFET没(mei)有存储时(shi)(shi)间(jian) ，只存一个(ge)关断延迟时(shi)(shi)间(jian) 。关断延迟时(shi)(shi)间(jian)是栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)压从最高电(dian)(dian)(dian)(dian)压（约(yue)为OV ） 下(xia)降到(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)压 Vd1 图(tu) 9.3 b所需的时(shi)(shi)间(jian) 。在这个(ge)时(shi)(shi)间(jian)段内漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)保持不变 ，当栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)压下(xia)降到(dao) Vd1 时(shi)(shi)，MOS管开(kai)始关断 。所以漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)F降时(shi)(shi)间(jian)是栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)压从 Vd1下(xia)降到(dao)阔值(zhi)比的时(shi)(shi)间(jian)。

下面讨论(lun) MTM7N45 管从关断状态到(dao)漏(lou)(lou)极(ji)电(dian)流(liu)Id上升(sheng)到(dao) 2.5A 的导通过程。在(zai)栅(zha)极(ji)电(dian)压 从ov上升(sheng)至2.5V的50ns 时间里，漏(lou)(lou)极(ji)电(dian)流(liu)Id为(wei) ov ，如图9.3 b所示。随(sui)后在(zai)栅(zha)极(ji)电(dian)压升(sheng)到(dao) 5V 的过程中，漏(lou)(lou)极(ji)电(dian)流(liu)Id 将逐(zhu)渐从 OA 上升(sheng)至 2.5A 。

因此，若栅极电压从ov 上升至 IOV 需要 50ns，则漏极电流从 OA 上升至 2.5A 的时间约 为 （ 2.5+10 ）×50=12.Sns ，如图 9.5 所示。这样 ，栅极驱动电压为 IOV  的MOSFET 管的导通时间是漏极开路电流(liu)导通时间的(de)(de) 2 3 倍。这是(shi)因为漏极(ji)电流(liu)的(de)(de)上升时间仅(jin)仅(jin)是(shi)栅极(ji)电压上升时间的(de)(de)一小(xiao)部(bu)分(fen)。栅极(ji)电流(liu)只需要为前面(mian)计算值的(de)(de) 3/1，2/1 就(jiu)可(ke)以了。

图若(ruo)栅极(ji)电压(ya)(ya)上升(sheng)时间为 50ns ，则漏极(ji)电流上升(sheng)时间为 12.5ns。栅极(ji)电压(ya)(ya)从 ov 上升(sheng)到(dao) 2.5V 的阙 值电压(ya)(ya)的时间只是一个延迟时间 。当(dang)栅极(ji)电压(ya)(ya)达(da)到(dao) 5    7V 时，大部分(fen)漏极(ji)电流已经建(jian)立起来。

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