N沟道和P沟道MOSFET哪个(ge)常用?MOS耗(hao)尽型(xing)的(de)哪个(ge)常用
信息来源：本(ben)站 日期：2017-07-26
耗(hao)尽(jin)型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同(tong)样的栅极结(jie)构(gou)，所不同(tong)是，在常态下，它内部的（导(dao)电(dian)）沟道(dao)是天生的。换言之，常态下的耗(hao)尽(jin)型MOSFET是导(dao)通的，这一点与JFET相(xiang)同(tong)，所不同(tong)的是二(er)者的栅极结(jie)构(gou)。
耗(hao)尽型MOSFET也有(you)N沟(gou)(gou)道(dao)(dao)与(yu)P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)两种(zhong)，以P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)较(jiao)为常见。横向沟(gou)(gou)道(dao)(dao)的耗(hao)尽型MOSFET的结构简图如图1.22所示，也有(you)垂(chui)直沟(gou)(gou)道(dao)(dao)的产品。P沟(gou)(gou)道(dao)(dao)的只(zhi)需要(yao)将(jiang)结构图中的“P"与(yu)“N”对(dui)调即可。
目前市场上只能见到小功率耗尽型MOSFET产品，电压规格为500V左右，比JFET要高(gao)得多
关(guan)注KIA半导体工程(cheng)专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文(wen)下方图片扫一扫进入(ru)官方微信“关(guan)注”
长按(an)二维码识别(bie)关注
