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1.开关损耗与功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小(xiao)来选择MOS功(gong)率(lv)(lv)(lv)管(guan)，由(you)于(yu)内阻越小(xiao)，cgs和cgd电(dian)(dian)(dian)(dian)容越大。如(ru)(ru)1N60的(de)cgs为(wei)250pF左(zuo)右(you)，2N60的(de)cgs为(wei)350pF左(zuo)右(you)，5N60的(de)cgs为(wei)1200pF左(zuo)右(you)，差别太大了，选择功(gong)率(lv)(lv)(lv)管(guan)时(shi)，够用就可以了。对于(yu)前者(zhe)，留(liu)意不(bu)要将负载电(dian)(dian)(dian)(dian)压设置(zhi)的(de)太高(gao)(gao)，固(gu)然(ran)负载电(dian)(dian)(dian)(dian)压高(gao)(gao)，效(xiao)率(lv)(lv)(lv)会(hui)(hui)高(gao)(gao)点。如(ru)(ru)果芯(xin)(xin)片消耗的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)为(wei)2mA，300V的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压加(jia)在(zai)芯(xin)(xin)片上面，芯(xin)(xin)片的(de)功(gong)耗为(wei)0.6W，当(dang)然(ran)会(hui)(hui)引起芯(xin)(xin)片的(de)发烧。有的(de)工程师没有留(liu)意到这个(ge)现象，直(zhi)接调节(jie)sense电(dian)(dian)(dian)(dian)阻或者(zhe)工作频率(lv)(lv)(lv)达到需要的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)，这样做(zuo)可能会(hui)(hui)严峻影响LED的(de)使(shi)用寿命(ming)。在(zai)均匀电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)不(bu)变(bian)的(de)条(tiao)件下，只(zhi)能看(kan)着光衰了。不(bu)管(guan)如(ru)(ru)何(he)降频没有好处，只(zhi)有坏处，所以一(yi)定要解决。

2.主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。对于后者(zhe)，可以尝试以下几个(ge)方(fang)面：a、将(jiang)最小电流设置的(de)再(zai)小点;b、布线干净点，特(te)别是sense这个(ge)枢纽路(lu)(lu)径(jing);c、将(jiang)电感选择(ze)的(de)小点或者(zhe)选用闭合磁路(lu)(lu)的(de)电感;d、加RC低通滤波吧，这个(ge)影(ying)响有点不(bu)(bu)好，C的(de)一致性不(bu)(bu)好，偏(pian)差有点大(da)，不(bu)(bu)外对于照明来说应该(gai)够(gou)了。

3、LED电流大小终于谈到重点了，我还没有入门，只能瞎说点饱和的影响了。也但愿有专家能给个详细指标，要不然影响LED的推广。 B、剩下的就是频率和驱动能(neng)(neng)力了(le)(le)，这(zhei)里只谈(tan)频(pin)率的(de)(de)影响(xiang)。想办法降低频(pin)率吧！不外(wai)要(yao)留意，当(dang)频(pin)率降低时(shi)，为了(le)(le)得到相同(tong)的(de)(de)负载能(neng)(neng)力，峰(feng)值电流必定要(yao)变大(da)或者电感(gan)也(ye)变大(da)，这(zhei)都(dou)有可能(neng)(neng)导(dao)致电感(gan)进入饱和区(qu)域(yu)。假如散热解决的(de)(de)不好的(de)(de)话，LED一定要(yao)降额(e)使用。

4、工作频率降频功率管的功耗分成两部门，开关损耗和导通损耗。变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的(de)峰值电流也随(sui)着增加。要(yao)留意，大多数(shu)场合(he)特别(bie)是LED市电驱动应用(yong)，开关(guan)损害要(yao)弘(hong)远于导通损耗。

5、芯片发烧
建(jian)议仍(reng)是尽量控制小点(dian)。再简朴一点(dian)，就(jiu)是考虑(lv)更好的散热吧(ba)。

LEDripple过大的(de)(de)话，LED寿命会受到(dao)影响，影响有(you)多(duo)大，也没(mei)(mei)见过哪个专(zhuan)家说(shuo)(shuo)(shuo)过。输入电压和负载电压的(de)(de)比(bi)例小、系统干扰(rao)大。频(pin)(pin)率(lv)与导通损耗也成正比(bi)，所以(yi)(yi)功率(lv)管(guan)发(fa)烧(shao)时，首(shou)先要(yao)想想是(shi)(shi)不(bu)(bu)是(shi)(shi)频(pin)(pin)率(lv)选择的(de)(de)有(you)点高。所以(yi)(yi)说(shuo)(shuo)(shuo)，在设计前，公道的(de)(de)计算是(shi)(shi)必需(xu)的(de)(de)，假(jia)如(ru)理论计算的(de)(de)参数(shu)和调试参数(shu)差的(de)(de)有(you)点远，要(yao)考(kao)虑是(shi)(shi)否降频(pin)(pin)和变压器是(shi)(shi)否饱和。以(yi)(yi)前问过LED厂(chang)这个数(shu)据，他们说(shuo)(shuo)(shuo)30%以(yi)(yi)内都可以(yi)(yi)接受，不(bu)(bu)外后来没(mei)(mei)有(you)经由验(yan)证。碰(peng)到(dao)这种情况(kuang)，要(yao)看(kan)看(kan)电感(gan)电流(liu)波形。

6、电感或(huo)者变压(ya)器(qi)的(de)选(xuan)择

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。假如电感饱和电流够大，可以考虑将CCM（连续电流模式）改变成DCM（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。良多用户反应，相同的驱动电路，用a出产的电感没有题目，用b出产的电感电流就变小了。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管散热片的消耗，简朴的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的(de)(de)cgs电(dian)容，v为(wei)功率管导通(tong)时的(de)(de)gate电(dian)压，所(suo)认为(wei)了降低芯片的(de)(de)功耗(hao)，必(bi)需想办(ban)(ban)法降低c、v和f.假如c、v和f不能(neng)改变(bian)，那么请想办(ban)(ban)法将芯片的(de)(de)功耗(hao)分到(dao)芯片外的(de)(de)器件，留(liu)意不要引入额外的(de)(de)功耗(hao)。

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