mos管功率各种参数大全

mos管基本参数

向传输电容 Crss = CGD .

Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD .

Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).

 Tf :下(xia)降时刻.输(shu)出电(dian)压 VDS 从 10% 上升到其幅(fu)值 90% 的时刻.

Td(off) :关断延迟(chi)时(shi)(shi)刻.输入电(dian)压下降到(dao) 90%开端到(dao) VDS 上升到(dao)其(qi)关断电(dian)压时(shi)(shi) 10% 的(de)时(shi)(shi)刻.

Tr :上升时刻(ke).输出电(dian)压(ya) VDS 从 90% 下(xia)降到其幅值 10% 的时刻(ke).

Td(on):导通延迟时(shi)刻(ke).从有(you)输入电压(ya)上升到(dao) 10% 开端到(dao) VDS 下降(jiang)到(dao)其(qi)幅值90%的时(shi)刻(ke).

Qgd :栅漏充(chong)电(dian)(考虑到 Miller效应)电(dian)量.

Qgs:栅源充电电量(liang).

Qg :栅极(ji)总充(chong)电电量.

MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电(dian)容充电(dian)来(lai)完成的,下面将有此方(fang)面的详(xiang)细论(lun)述.

gfs:跨导(dao).是指漏极(ji)输出电流(liu)的(de)改(gai)变量(liang)(liang)与栅源电压改(gai)变量(liang)(liang)之(zhi)比,是栅源电压对漏极(ji)电流(liu)操(cao)控才能巨细的(de)测量(liang)(liang). gfs 与 VGS 的(de)转(zhuan)移(yi)联系(xi)图(tu)如(ru)下图(tu)所示(shi).

动态参数

IGSS :栅源驱动(dong)电流(liu)(liu)或反向(xiang)电流(liu)(liu).由于 MOSFET 输入阻抗(kang)很大,IGSS 通(tong)常在(zai)纳安级.

IDSS :饱满漏源(yuan)电流(liu),栅(zha)极电压(ya) VGS=0 、

VDS 为必定值时的漏源(yuan)电流.通常在微安(an)级(ji).

VGS(th) :敞(chang)开电(dian)压(ya)(阀值电(dian)压(ya)).当外加栅极操控(kong)电(dian)压(ya) VGS超越VGS(th)

时(shi),漏区(qu)和源区(qu)的外表反(fan)型层形成了衔(xian)接的沟道.应用中,常将漏极(ji)短接前提下 ID即是(shi)毫(hao)安时(shi)的栅(zha)极(ji)电(dian)压称为敞开电(dian)压.此参数通常会随结温度的上(shang)升而有所(suo)下降(jiang).

RDS(on) :在(zai)特(te)定的 VGS (通常为 10V)、结(jie)温(wen)及漏极电(dian)流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻(zu)抗.它是一个(ge)非常重要(yao)的参数,决定了(le)MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结(jie)温(wen)度的上(shang)升而(er)有(you)所增大（正温(wen)度特(te)性）. 故应以此参数在(zai)最高作业结(jie)温(wen)前提下的值(zhi)作为损耗及压降计算.

△V(BR)DSS/ △

Tj :漏源击穿(chuan)电压的(de)温度系数(shu),通(tong)常为0.1V/ ℃.

V(BR)DSS :漏源(yuan)击穿电压.是(shi)指栅(zha)源(yuan)电压 VGS 为 0

时,场(chang)效(xiao)应管正(zheng)(zheng)常作业所能接(jie)受的最大漏源电(dian)压.这是一项极限(xian)参数(shu),加在场(chang)效(xiao)应管上的作业电(dian)压必需小于(yu)V(BR)DSS .它具有正(zheng)(zheng)温度特(te)性.故应以此参数(shu)在低(di)温前提下的值(zhi)作为安全(quan)考(kao)虑(lv). 加负(fu)压非常好。

静态参数

TSTG :存(cun)储温度范围(wei).

Tj:最大作业结温.通(tong)常为 150 ℃或 175 ℃ ,器(qi)材规划的作业前提下(xia)须确(que)应防止超越(yue)这个温度,并留有必定(ding)裕量. （此参数靠不住）

VGS:最大栅源电压.，通常(chang)为：-20V~+20V

PD:最(zui)大耗(hao)散功(gong)率(lv).是(shi)指场(chang)效应管(guan)机能不变坏时所容(rong)许的最(zui)大漏源耗(hao)散功(gong)率(lv).使用时,场(chang)效应管(guan)实(shi)践功(gong)耗(hao)应小于PDSM并(bing)留(liu)有(you)必定(ding)余(yu)量.此参数通(tong)常会随(sui)结温度(du)的上升(sheng)而有(you)所减额(e).（此参数靠(kao)不住(zhu)）

IDM:最(zui)大脉(mai)冲(chong)(chong)漏源电流.表现一个抗冲(chong)(chong)击(ji)才能，跟脉(mai)冲(chong)(chong)时刻也(ye)有联(lian)系，此(ci)参数会随(sui)结温度的上升而(er)有所减额.

ID:最(zui)大漏源电(dian)流.是指场(chang)效应管(guan)正常(chang)作(zuo)业时(shi),漏源间所容许(xu)经过的最(zui)大电(dian)流.场(chang)效应管(guan)的作(zuo)业电(dian)流不应超越 ID .此参数会随结温度(du)的上(shang)升(sheng)而有所减额.

极限参数

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏(lou)极电流(liu)温度系(xi)数(shu)

Vn---噪声电压(ya)

η---漏极效率（射频功率管）

Zo---驱动(dong)源内阻

VGu---栅衬底(di)电压（直流）

VDu---漏(lou)衬(chen)底电(dian)压（直流）

Vsu---源(yuan)衬底电压(ya)（直流）

VGD---栅漏电压（直(zhi)流）

VDS(sat)---漏(lou)源饱(bao)满电压

VDS(on)---漏(lou)源通态电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击(ji)穿(chuan)电压

Vss---源极（直流）电源电压（外(wai)电路参数）

 VGG---栅极（直流(liu)）电(dian)源(yuan)电(dian)压（外电(dian)路参数）

VDD---漏极(ji)（直流）电源电压（外电路参数(shu)）

VGSR---反向栅源电压（直(zhi)流）

VGSF--正向栅源电压（直流(liu)）

Tstg---贮成(cheng)温(wen)度

Tc---管壳(qiao)温度

Ta---环(huan)境温度

Tjm---最(zui)大容许结温(wen)

Tj---结(jie)温

PPK---脉冲功(gong)率峰值（外(wai)电(dian)路参数(shu)）

POUT---输出功率

PIN--输入功率

PDM---漏极最大容许耗(hao)散功(gong)率

PD---漏(lou)极耗散功(gong)率

R(th)ja---结(jie)环热阻

R(th)jc---结(jie)壳热阻(zu)

RL---负载电(dian)阻（外电(dian)路参数）

Rg---栅极外(wai)接电阻（外(wai)电路(lu)参(can)数）

rGS---栅源(yuan)电(dian)阻

rGD---栅漏(lou)电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rDS(on)---漏(lou)源(yuan)通态电阻

rDS---漏源电阻

Ls---源极电(dian)感

LD---漏极电感(gan)

L---负载电感（外电路参数）

Ku---传(chuan)输系(xi)数

K---失调电(dian)压(ya)温(wen)度系数(shu)

gds---漏源电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极中和(he)高频(pin)功率增益(yi)

GpG---共(gong)栅极中和高频(pin)功率(lv)增(zeng)益

Gps---共源极中和高频功(gong)率(lv)增(zeng)益

Gp---功率增益(yi)

gfs---正向(xiang)跨导

Ipr---电流脉冲峰值（外电路(lu)参(can)数）

Iu---衬底电流(liu)

IDSS2---对(dui)管(guan)第二(er)管(guan)漏(lou)源饱满电(dian)流

IDSS1---对(dui)管第一管漏源(yuan)饱满电(dian)流

IGSS---漏极(ji)短路时截止(zhi)栅电流

IF---二极管正向(xiang)电(dian)流

IGP---栅极峰(feng)值电流

IGM---栅极脉冲(chong)电流

IGSO---漏极开路(lu)时，截止栅电流(liu)

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGR---反向栅(zha)电流

IGF---正向(xiang)栅电流

IG---栅极电流（直(zhi)流）

IDS(sat)---沟道饱(bao)满电流（漏源饱(bao)满电流）

IDSS---栅-源(yuan)短路(lu)时，漏极电流

IDSM---最大漏(lou)源电流

IDS---漏(lou)源电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率(lv)管）

ID(on)---通态(tai)漏极电流

dv/dt---电(dian)(dian)压(ya)上(shang)升率（外电(dian)(dian)路参数(shu)）

di/dt---电(dian)流上升率（外电(dian)路(lu)参数(shu)）

Eas:单次脉冲雪(xue)崩击穿能量(liang)

Ear:重复(fu)雪崩(beng)击(ji)穿能量(liang)

Iar: 雪崩电流

一些别的的参数

Ton:正(zheng)导游通时刻.(根(gen)本能够忽(hu)略不计).

Qrr :反向(xiang)恢复充电电量.

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正导游通压降.

ISM:脉冲最(zui)大续(xu)流电流(从(cong)源极(ji)).

IS :接连最大续(xu)流(liu)电流(liu)(从源极).

体内二极管参数

结点(dian)到邻近(jin)环境(jing)的(de)热阻,含义(yi)同上.

外(wai)壳到(dao)散热器的(de)热阻,含义同上.

结点到外壳(qiao)的(de)热阻.它(ta)标(biao)明当耗(hao)散一(yi)个给定的(de)功(gong)率时(shi),结温与(yu)外壳(qiao)温度之间的(de)差值巨细.公式表(biao)达(da)⊿ t = PD* ?.

热阻

EAR:重复雪(xue)崩击穿能量.

IAR :雪崩电流.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量(liang).这是个(ge)极限参(can)数(shu),阐明(ming) MOSFET 所能接受(shou)的最(zui)大雪崩击穿能量(liang).

雪崩(beng)击(ji)穿特性参(can)数:这(zhei)些(xie)参(can)数是 MOSFET 在(zai)关断状(zhuang)态能接受过压(ya)才能的(de)目标.假设电压(ya)超越漏源极限电压(ya)将致使器(qi)材处在(zai)雪崩(beng)状(zhuang)态.

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