mos管电压

常(chang)遇到MOS管(guan)Vgs电压(ya)过大会损(sun)坏管(guan)子，但是从原(yuan)理上看，似乎不然(ran)呀？

当vGS数值较小，吸收电子(zi)的(de)才能不强时(shi)，漏(lou)——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时(shi)，吸收到P衬底外表(biao)层的(de)电子(zi)就(jiu)增加，当vGS到达某一数值 时(shi)，这些电子(zi)在(zai)栅极左(zuo)近(jin)的(de)P衬底外表(biao)便构成(cheng)一个N型薄层，且(qie)与两个N+区相(xiang)连通，在(zai)漏(lou)——源极间构成(cheng)N型导电沟道，其导电类型与P衬底相(xiang)反，构成(cheng)反型层。

vGS越大，作用于半导体外表(biao)的(de)电场(chang)就越强，吸(xi)收到P衬底外表(biao)的(de)电子(zi)就越多，导电沟道(dao)越厚(hou)，沟道(dao)电阻(zu)越小。

即N沟(gou)道MOS管在vGS＜VT时，不(bu)能构成导电沟(gou)道，管子处于截止状(zhuang)态(tai)。

只要当vGS≥VT时，才有沟(gou)道构成。沟(gou)道构成以后，在漏——源极间加(jia)上正(zheng)向电(dian)压vDS，就有漏极电(dian)流产生。

但(dan)是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K

Vgs=100V时

Vds=0和Vds=400V，两(liang)种状况下，对管子(zi)功用(yong)带来(lai)什么(me)影(ying)响，若烧坏，缘由和内部机(ji)理(li)过程(cheng)是怎样的呢？

Vgs增大(da)会减(jian)小Rds（on）减(jian)小开(kai)关损耗(hao)，但是(shi)同时会增大(da)Qg，使得开(kai)启损耗(hao)变(bian)大(da)，影响效率

1）MOSFET 的GS 电(dian)压经(jing)Vgg 对Cgs 充(chong)电(dian)而(er)上(shang)升，抵达维持电(dian)压Vth，MOSFET 开端导电(dian)；

2）MOSFET 的(de)DS 电(dian)(dian)流增加，Millier 电(dian)(dian)容在该区间内因(yin)DS 电(dian)(dian)容的(de)放(fang)电(dian)(dian)而放(fang)电(dian)(dian)，对GS 电(dian)(dian)容的(de)充电(dian)(dian)影响不大；

Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷(he)会持续积聚。

3）MOSFET 的DS 电(dian)(dian)(dian)压(ya)降至与(yu)Vgs 相同的电(dian)(dian)(dian)压(ya)，Millier 电(dian)(dian)(dian)容大(da)大(da)增加，外(wai)部驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)压(ya)对(dui)Millier 电(dian)(dian)(dian)容停止充电(dian)(dian)(dian)，GS 电(dian)(dian)(dian)容的电(dian)(dian)(dian)压(ya)不变(bian)，Millier 电(dian)(dian)(dian)容上电(dian)(dian)(dian)压(ya)增加，而DS电(dian)(dian)(dian)容上的电(dian)(dian)(dian)压(ya)继续(xu)减小；

4）MOSFET 的(de)DS 电(dian)(dian)压(ya)降至饱和导通时的(de)电(dian)(dian)压(ya)，Millier 电(dian)(dian)容变小并和GS 电(dian)(dian)容一同由外部驱(qu)动电(dian)(dian)压(ya)充(chong)电(dian)(dian)，GS 电(dian)(dian)容的(de)电(dian)(dian)压(ya)上升(sheng)；

电压测量

N沟道的有(you)国产的3D01，4D01，日(ri)产的3SK系(xi)列。G极(ji)(ji)（栅(zha)极(ji)(ji)）的确定：利用万用表(biao)的二极(ji)(ji)管档。若(ruo)某脚(jiao)与其他两脚(jiao)间的正反压降均大于(yu)2V，即显示(shi)“1”，此脚(jiao)即为栅(zha)极(ji)(ji)G。再交换表(biao)笔(bi)测量其余两脚(jiao)，压降小的那次(ci)中，黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)的是D极(ji)(ji)（漏极(ji)(ji)），红表(biao)笔(bi)接(jie)的是S极(ji)(ji)（源极(ji)(ji)）。