快恢复(fu)二极(ji)管型号大(da)全、主要参数、电压图表等
信息来源:本站 日期:2017-10-13
快恢(hui)复(fu)二(er)(er)(er)极(ji)管(简称FRD)是(shi)一种具有开关特性(xing)好(hao)、反向恢(hui)复(fu)时间短(duan)特点的半导体二(er)(er)(er)极(ji)管,主(zhu)要应(ying)用于(yu)开关电(dian)源、PWM脉宽调(diao)制(zhi)器(qi)、变频器(qi)等电(dian)子电(dian)路中,作为高频整流(liu)二(er)(er)(er)极(ji)管、续流(liu)二(er)(er)(er)极(ji)管或阻尼(ni)二(er)(er)(er)极(ji)管使用。
快恢(hui)复二(er)极管的(de)内部(bu)结构与普通(tong)PN结二(er)极管不同,它属于PIN结型二(er)极管,即在P型硅(gui)材料与N型硅(gui)材料中间增加了基(ji)区I,构成PIN硅(gui)片。因基(ji)区很薄,反向(xiang)(xiang)恢(hui)复电荷很小(xiao),所以(yi)快恢(hui)复二(er)极管的(de)反向(xiang)(xiang)恢(hui)复时间较(jiao)短(duan),正向(xiang)(xiang)压降较(jiao)低,反向(xiang)(xiang)击(ji)穿电压(耐压值)较(jiao)高。
快恢(hui)复二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)通常(chang),5~20A的(de)快恢(hui)复二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)管(guan)采用TO–220FP塑(su)(su)料(liao)封装(zhuang),20A以(yi)上的(de)大功(gong)率快恢(hui)复二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)采用顶部(bu)带金属(shu)散热(re)片的(de)TO–3P塑(su)(su)料(liao)封装(zhuang),5A以(yi)下的(de)快恢(hui)复二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)则(ze)采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑(su)(su)料(liao)封装(zhuang)。
采用TO–220或TO–3P封装的大功率(lv)快恢复二极管,有单(dan)管和双(shuang)管之(zhi)分(fen)。双(shuang)管的管脚引出方式又分(fen)为共阳和共阴。
是电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)通(tong)过零点由(you)正向(xiang)(xiang)转换到(dao)规(gui)定低值的(de)时间间隔(ge)。它是衡(heng)量(liang)高频续流(liu)(liu)(liu)及(ji)整流(liu)(liu)(liu)器(qi)(qi)件性能的(de)重要技术指标(biao)。反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)恢(hui)复电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)波形(xing)如图(tu)1所示。IF为(wei)正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu),IRM为(wei)最大反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)恢(hui)复电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)。Irr为(wei)反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)恢(hui)复电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu),通(tong)常规(gui)定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)I=IF。当t>t0时,由(you)于整流(liu)(liu)(liu)器(qi)(qi)件上的(de)正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)突然(ran)(ran)变成反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya),因此(ci)(ci)正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)迅速降低,在(zai)t=t1时刻,I=0。然(ran)(ran)后整流(liu)(liu)(liu)器(qi)(qi)件上流(liu)(liu)(liu)过反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)IR,并且IR逐渐(jian)增大;在(zai)t=t2时刻达(da)到(dao)最大反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)恢(hui)复电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)IRM值。此(ci)(ci)后受(shou)正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)作用(yong),反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)逐渐(jian)减小,并在(zai)t=t3时刻达(da)到(dao)规(gui)定值Irr。从t2到(dao)t3的(de)反(fan)(fan)(fan)向(xiang)(xiang)恢(hui)复过程与电(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)放(fang)电(dian)(dian)(dian)(dian)过程有(you)相(xiang)似之处(chu)。
快(kuai)恢(hui)复(fu)二极(ji)管(guan):有0.8-1.1V的(de)正(zheng)向导通压(ya)(ya)降,35-85nS的(de)反向恢(hui)复(fu)时(shi)间(jian),在(zai)导通和截(jie)止之间(jian)迅速(su)转换,提高(gao)了器件的(de)使用频率并改善了波形。快(kuai)恢(hui)复(fu)二极(ji)管(guan)在(zai)制造工艺(yi)上采(cai)用掺金,单纯(chun)的(de)扩(kuo)散等工艺(yi),可(ke)获得(de)较(jiao)(jiao)高(gao)的(de)开关(guan)速(su)度(du),同时(shi)也能得(de)到较(jiao)(jiao)高(gao)的(de)耐压(ya)(ya).目前快(kuai)恢(hui)复(fu)二极(ji)管(guan)主要应用在(zai)逆变电源(yuan)中做整流元件。
20A以(yi)下的(de)快(kuai)(kuai)恢复(fu)及超快(kuai)(kuai)恢复(fu)二极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)大多采用TO-220封装(zhuang)形(xing)式。从内部结(jie)构(gou)看,可分(fen)成单管(guan)(guan)(guan)(guan)、对(dui)(dui)管(guan)(guan)(guan)(guan)(亦称双管(guan)(guan)(guan)(guan))两种。对(dui)(dui)管(guan)(guan)(guan)(guan)内部包含两只(zhi)(zhi)快(kuai)(kuai)恢复(fu)二极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan),根据两只(zhi)(zhi)二极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)接法(fa)的(de)不同,又有共阴对(dui)(dui)管(guan)(guan)(guan)(guan)、共阳(yang)对(dui)(dui)管(guan)(guan)(guan)(guan)之(zhi)分(fen)。图2(a)是C20-04型快(kuai)(kuai)恢复(fu)二极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)(单管(guan)(guan)(guan)(guan))的(de)外形(xing)及内部结(jie)构(gou)。(b)图和(he)(c)图分(fen)别(bie)是C92-02型(共阴对(dui)(dui)管(guan)(guan)(guan)(guan))、MUR1680A型(共阳(yang)对(dui)(dui)管(guan)(guan)(guan)(guan))超快(kuai)(kuai)恢复(fu)二极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)外形(xing)与构(gou)造。它们(men)均采用TO-220塑料(liao)封装(zhuang),
几(ji)十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金(jin)属壳封(feng)装(zhuang)。更大容量(几(ji)百安~几(ji)千安)的管子则(ze)采用螺栓型(xing)或(huo)平板型(xing)封(feng)装(zhuang)形式。
快恢(hui)复(fu)二极(ji)管(guan)的内(nei)部结构(gou)(gou)与普通二极(ji)管(guan)不(bu)同,它(ta)是(shi)在P型(xing)、N型(xing)硅材(cai)料中间增加了(le)基(ji)区I,构(gou)(gou)成P-I-N硅片。由于基(ji)区很(hen)(hen)薄,反向(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)电(dian)(dian)荷很(hen)(hen)小(xiao),不(bu)仅大(da)大(da)减小(xiao)了(le)trr值,还降(jiang)低(di)了(le)瞬态(tai)正向(xiang)(xiang)压(ya)降(jiang),使(shi)管(guan)子能承(cheng)受很(hen)(hen)高的反向(xiang)(xiang)工作电(dian)(dian)压(ya)。快恢(hui)复(fu)二极(ji)管(guan)的反向(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)时间一般(ban)为几(ji)百纳秒,正向(xiang)(xiang)压(ya)降(jiang)约为0.6V,正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)流是(shi)几(ji)安培至几(ji)千安培,反向(xiang)(xiang)峰值电(dian)(dian)压(ya)可(ke)达几(ji)百到几(ji)千伏(fu)。超快恢(hui)复(fu)二极(ji)管(guan)的反向(xiang)(xiang)恢(hui)复(fu)电(dian)(dian)荷进一步(bu)减小(xiao),使(shi)其(qi)trr可(ke)低(di)至几(ji)十纳秒。
1)测量反(fan)向恢复时间
测量电路(lu)如图3。由直流(liu)电流(liu)源供(gong)规定(ding)的(de)IF,脉冲发生(sheng)器(qi)经过(guo)隔(ge)直电容器(qi)C加脉冲信号(hao),利用电子示波器(qi)观察到(dao)的(de)trr值(zhi),即是从I=0的(de)时刻到(dao)IR=Irr时刻所(suo)经历的(de)时间。设器(qi)件内部的(de)反向恢电荷为Qrr,有关系(xi)式:
trr≈2Qrr/IRM
由(you)式(shi)(5.3.1)可知(zhi),当IRM为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就(jiu)愈短。
2)常(chang)规检(jian)测方法
在(zai)业余条件下(xia),利(li)用万用表能(neng)检测(ce)快恢(hui)(hui)复(fu)、超(chao)快恢(hui)(hui)复(fu)二极管(guan)(guan)的单向导(dao)电(dian)性(xing),以及(ji)内部有无开路、短路故(gu)障,并能(neng)测(ce)出正向导(dao)通压(ya)降。若配以兆欧(ou)表,还能(neng)测(ce)量反(fan)向击穿(chuan)电(dian)压(ya)。实例:测(ce)量一只C90-02超(chao)快恢(hui)(hui)复(fu)二极管(guan)(guan),其主要参(can)数为:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V。外型(xing)同图(a)。将(jiang)500型(xing)万用表拨至R×1档(dang),读出正向电(dian)阻为6.4Ω,n′=19.5格;反(fan)向电(dian)阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管(guan)(guan)子(zi)是好的。
型(xing)号(hao) | 品牌 | 额(e)定电流 | 额定电压 | 反(fan)向恢复时(shi)间 | 封装极(ji)性(xing) |
IN5817 | GJ | 1A | 20V | 10ns |
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IN5819 | GJ | 1A | 40V | 10ns |
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IN5819 | MOT | 1A | 40V | 10ns |
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IN5822 | MOT | 1A | 40V | 10ns |
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21D-06 | FUI | 3A | 60V | 10ns |
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SBR360 | GI | 3A | 60V | 10ns |
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C81-004 | FUI | 3A | 40V | 10ns |
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8TQ080 | IR | 8A | 80V | 10ns | 单管 |
MBR1045 | MOT | 10A | 45V | 10ns | 单管 |
MBR1545CT | MOT | 15A | 45V | 10ns | 双管 |
MBR1654 | MOT | 20A | 45V | 10ns | 双管 |
16CTQ100 | IR | 16A | 100V | 10ns |
双管 |
MBR2035CT | MOT | 20A | 35V | 10ns | 双管 |
MBR2045CT | MOT | 20A | 45V | 10ns | 双管 |
MBR20100CT | IR | 20A | 100V | 10ns | 双管 |
025CTQ045 | IR | 25A | 45V | 10ns | 双管 |
30CTQ045 | IR | 30A | 45V | 10ns | 双管(guan) |
C85-009* | FUI | 20A | 90V | 10ns | 双管 |
D83-004* | FUI | 30A | 40V | 10ns | 双管 |
D83-009* | FUI | 30A | 90V | 10ns | 双(shuang)管 |
MBR4060* | IR | 40A | 60V | 10ns | 双管 |
MBR30045 | MOT | 300A | 45V | 10ns |
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MUR120 | MOT | 1A | 200V | 35ns |
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MUR160 | MOT | 1A | 600V | 35ns |
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MUR180 | MOT | 1A | 800V | 35ns |
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MUR460 | MOT | 4A | 600V | 35ns |
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BYV95 | PHI | 1.5A | 1000V | 250ns |
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BYV27-50 | PHI | 2A | 55V | 25ns |
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BYV927-100 | PHI | 2A | 100V | 25ns |
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BYW76-300 | PHI | 2A | 300V | 25ns |
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BYW76 | PHI | 3A | 1000V | 200ns |
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BYT56G | PHI | 3A | 600V | 100ns |
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BYT56M | PHI | 3A | 1000V | 100ns |
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BYV26C | PHI | 1A | 600V | 30ns |
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BYV26E | PHI | 1A | 1000V | 30ns |
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FR607 | GI | 6A | 1000V | 200ns |
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MUR8100 | MOT | 8A | 1000V | 35ns | 单管 |
HFA15TB60 | IR | 15A | 600V | 35ns | 单管 |
HFA25TB60 | IR | 25A | 600V | 35ns | 单管 |
MUR30100 | HAR | 30A | 1000V | 35ns | 单管 |
MUR30120 | HAR | 30A | 1200V | 35ns | 单管 |
MUR1620 | PHI | 16A | 200V | 35ns | 双管(guan) |
MUR1620CT | MOT | 16A | 200V | 35ns | 双管 |
MUR1620P | MOT | 16A | 200V | 35ns | 双管 |
MUR1660CT | MOT | 16A | 600V | 35ns | 双管 |
HFA16TA600 | IR | 16A | 600v | 35ns | 双管 |
MUR3030 | GI | 30A | 300v | 35ns | 双(shuang)管 |
MUR3040 | MOT | 30A | 400v | 35ns | 双管 |
MUR3060 | MOT | 30A | 600v | 35ns | 双管 |
HFA30TA600 | IR | 30A | 600v | 35ns | 双管 |
MUR20040 | MOT | 200A | 400v | 35ns | 双管 |
B92M-02 | FUI | 20A | 200v | 35ns | 双(shuang)管(guan) |
C92-02 | FUI | 20A | 200v | 35ns | 双管 |
D92M-02 | FUI | 30A | 200v | 35ns | 双管 |
D92M-03 | FUI | 30A | 300v | 35ns | 双(shuang)管(guan) |
DSE130-06 | DSET | 30A | 600v | 35ns | 双(shuang)管 |
DSE160-06 | DSET | 60A | 600v | 35ns | 双管 |
MBR2060CT | MOT | 20A | 60V | 10na | 双管 |
1)有些(xie)单管,共(gong)三个引(yin)脚,中间的为空(kong)脚,一(yi)般在出(chu)厂(chang)时剪(jian)掉,但也有不剪(jian)的。
2)若对(dui)管中有一只管子损(sun)坏,则可作为(wei)单管使用。
3)测正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)导通压(ya)降时,必须(xu)使用(yong)R×1档(dang)。若用(yong)R×1k档(dang),因测试电流太小(xiao),远(yuan)低于(yu)(yu)管子(zi)的正(zheng)(zheng)(zheng)常(chang)工作电流,故测出(chu)的VF值(zhi)将明显偏低。在上(shang)面(mian)例子(zi)中,如果选(xuan)择R×1k档(dang)测量,正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)电阻就等于(yu)(yu)2.2kΩ,此(ci)时n′=9格。由此(ci)计算出(chu)的VF值(zhi)仅0.27V,远(yuan)低于(yu)(yu)正(zheng)(zheng)(zheng)常(chang)值(zhi)(0.6V)。
快恢复(fu)二(er)(er)(er)极管(guan)采用(yong)TO-22O封装(可按需求定制不同封装),反向(xiang)恢复(fu)时间12ns~16ns,具有良(liang)好的(de)高温特(te)性(xing),属于新一(yi)代的(de)低功耗、高效率的(de)环保产品。快恢复(fu)二(er)(er)(er)极管(guan)主(zhu)要应用(yong)有源(yuan)功率校正电路、开关(guan)电源(yuan)、PFC等领域做续流二(er)(er)(er)极管(guan)、整流二(er)(er)(er)极管(guan)使用(yong)。
Part Number |
IF(A) |
VRM(V) |
VF@IF(V) |
TRR(note1)(nS) |
Package |
KIA04TB60 | 4 | 600 | 1.3 | 35 | TO-220.252 |
KIA05TB40 | 5 | 400 | 1.3 | 50 | TO-252 |
KIA05TB60 | 5 | 600 | 1.3 | 35 | TO-220.252 |
KIA06TB60D | 6 | 600 | 1.65 | 25 | TO-252 |
KIA08TB60B | 8 | 600 | 2.2 | 30 | TO-220.252.263 |
KIA08TB70D | 8 | 700 | 1.7 | 25 | TO-220.252.263 |
KIA10TB60 | 10 | 600 | 1.4 | 30 | TO-220 |
KIA15TB60 | 15 | 600 | 1.3 | 30 |
TO-220 |
KIA18TB40 | 18 | 400 | 1.1 | 30 | TO-220 |
KIA20TB40 | 20 | 400 | 1.6 | 20 | TO-220 |
KIA30TB40D | 30 | 400 | 1.5 | 27 | TO-3P-2 |
KIA30TB20 | 30 | 200 | 0.95 | 30 | TO-3P |
KIA30TB60 | 30 | 600 | 1.5 | 30 | TO-247 |
KIA40TB40 | 40 | 400 | 1 | 30 | TO-247 |
KIA60TB20 | 60 | 200 | 1.1 | 22 | TO-39 |
KIA60TB30 | 60 | 300 | 1.8 | 22 | TO-3P |
KIA60TB60 | 60 | 600 | 1.3 | 40 | TO-247 |
KIA60TB170 | 60 | 1700 | 2.7 | 150 | TO-247 |
KIA75TB120 | 75 | 1200 | 2.1 | 150 | TO-247 |
KIA100TB120 | 100 | 1200 | 2.5 | 150 | TO-247 |
联系方(fang)式:邹先生(sheng)
联系电话:0755-83888366-8022
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