一、用指针式万用表对场效应管进(jin)行(xing)判(pan)别

（1）用测电阻法判别结型(xing)场效应管的电极

依据场(chang)(chang)(chang)效应(ying)(ying)管的(de)PN结(jie)正、反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)不一样(yang)的(de)现(xian)象，能够判(pan)(pan)别(bie)出(chu)结(jie)型(xing)场(chang)(chang)(chang)效应(ying)(ying)管的(de)三个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)。详细办(ban)法：将万用(yong)表(biao)(biao)(biao)拨在R×1k档(dang)上，任(ren)选两(liang)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)，分(fen)别(bie)测出(chu)其正、反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当某(mou)两(liang)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)的(de)正、反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)相等(deng)，且为(wei)几(ji)千欧姆时(shi)(shi)，则(ze)(ze)该两(liang)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)分(fen)别(bie)是(shi)(shi)(shi)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)(ji)S。由于对结(jie)型(xing)场(chang)(chang)(chang)效应(ying)(ying)管而言，漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)可互换(huan)，剩下(xia)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)肯(ken)定是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)Ｇ。也(ye)能够将万用(yong)表(biao)(biao)(biao)的(de)黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)（红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)也(ye)行）任(ren)意接(jie)(jie)触一个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)，另一只表(biao)(biao)(biao)笔(bi)依次去(qu)接(jie)(jie)触其他(ta)的(de)两(liang)个(ge)(ge)(ge)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)，测其电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)。当呈现(xian)两(liang)次测得的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)近似相等(deng)时(shi)(shi)，则(ze)(ze)黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)所接(jie)(jie)触的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)为(wei)栅极(ji)(ji)(ji)，其他(ta)两(liang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)分(fen)别(bie)为(wei)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)。若(ruo)两(liang)次测出(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均(jun)(jun)很大，阐明(ming)是(shi)(shi)(shi)ＰＮ结(jie)的(de)反(fan)向(xiang)(xiang)，即都(dou)是(shi)(shi)(shi)反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，能够断定是(shi)(shi)(shi)Ｎ沟道(dao)场(chang)(chang)(chang)效应(ying)(ying)管，且黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)；若(ruo)两(liang)次测出(chu)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)均(jun)(jun)很小，阐明(ming)是(shi)(shi)(shi)正向(xiang)(xiang)ＰＮ结(jie)，即是(shi)(shi)(shi)正向(xiang)(xiang)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，断定为(wei)Ｐ沟道(dao)场(chang)(chang)(chang)效应(ying)(ying)管，黑(hei)表(biao)(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)也(ye)是(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)。若(ruo)不呈现(xian)上述状况，能够互换(huan)黑(hei)、红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)按(an)上述办(ban)法停止测试，直到判(pan)(pan)别(bie)出(chu)栅极(ji)(ji)(ji)为(wei)止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏

测(ce)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)法(fa)(fa)(fa)是(shi)(shi)(shi)(shi)用万(wan)用表测(ce)量(liang)(liang)场效应管(guan)的(de)(de)(de)(de)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ1与(yu)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ2之间的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)同(tong)场效应管(guan)手(shou)册标明(ming)(ming)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)能(neng)否(fou)相符(fu)去判别(bie)管(guan)的(de)(de)(de)(de)好(hao)坏(huai)。详(xiang)细办(ban)法(fa)(fa)(fa)：首先将万(wan)用表置于(yu)Ｒ×10或(huo)Ｒ×100档(dang)，丈量(liang)(liang)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)Ｓ与(yu)漏极(ji)(ji)Ｄ之间的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，通常在(zai)几十欧到几千欧范(fan)围（在(zai)手(shou)册中(zhong)可(ke)(ke)知，各(ge)种不同(tong)型号的(de)(de)(de)(de)管(guan)，其电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)(shi)各(ge)不相同(tong)的(de)(de)(de)(de)），假(jia)如测(ce)得阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)大(da)于(yu)正常值(zhi)(zhi)(zhi)，可(ke)(ke)能(neng)是(shi)(shi)(shi)(shi)由于(yu)内部(bu)接触不良(liang)；假(jia)如测(ce)得阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)(shi)无量(liang)(liang)大(da)，可(ke)(ke)能(neng)是(shi)(shi)(shi)(shi)内部(bu)断(duan)极(ji)(ji)。然后(hou)把万(wan)用表置于(yu)Ｒ×１０ｋ档(dang)，再(zai)测(ce)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)Ｇ1与(yu)Ｇ2之间、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)之间的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)，当测(ce)得其各(ge)项电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)均(jun)为无量(liang)(liang)大(da)，则阐明(ming)(ming)管(guan)是(shi)(shi)(shi)(shi)正常的(de)(de)(de)(de)；若(ruo)测(ce)得上述各(ge)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)(zhi)太小或(huo)为通路，则阐明(ming)(ming)管(guan)是(shi)(shi)(shi)(shi)坏(huai)的(de)(de)(de)(de)。要(yao)留意，若(ruo)两个栅(zha)(zha)极(ji)(ji)在(zai)管(guan)内断(duan)极(ji)(ji)，可(ke)(ke)用元(yuan)件代换法(fa)(fa)(fa)进行检测(ce)。

（3）用(yong)感应信号输人法估测(ce)场(chang)效(xiao)应管的(de)放大能力

详细办法：用万(wan)用表(biao)(biao)电(dian)阻的(de)(de)(de)R×100档，红表(biao)(biao)笔接源(yuan)极(ji)(ji)(ji)Ｓ，黑表(biao)(biao)笔接漏(lou)极(ji)(ji)(ji)Ｄ，给场效(xiao)应管加上1。5Ｖ的(de)(de)(de)电(dian)源(yuan)电(dian)压(ya)，此(ci)时表(biao)(biao)针指(zhi)示出(chu)的(de)(de)(de)漏(lou)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻值(zhi)。然(ran)后(hou)用手(shou)捏住(zhu)结(jie)型(xing)场效(xiao)应管的(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)Ｇ，将人体的(de)(de)(de)感(gan)应电(dian)压(ya)信号加到栅极(ji)(ji)(ji)上。这样，由于管的(de)(de)(de)放大(da)(da)作(zuo)用，漏(lou)源(yuan)电(dian)压(ya)VDS和漏(lou)极(ji)(ji)(ji)电(dian)流Iｂ都要发(fa)作(zuo)变化，也就是漏(lou)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)间(jian)电(dian)阻发(fa)作(zuo)了(le)变化，由此(ci)能够(gou)察看到表(biao)(biao)针有较(jiao)大(da)(da)幅度的(de)(de)(de)摆(bai)(bai)动。假(jia)如手(shou)捏栅极(ji)(ji)(ji)表(biao)(biao)针摆(bai)(bai)动较(jiao)小，阐(chan)明(ming)管的(de)(de)(de)放大(da)(da)才能较(jiao)差；表(biao)(biao)针摆(bai)(bai)动较(jiao)大(da)(da)，标(biao)明(ming)管的(de)(de)(de)放大(da)(da)才能大(da)(da)；若表(biao)(biao)针不动，阐(chan)明(ming)管是坏的(de)(de)(de)。
依据(ju)上(shang)述办法，我们(men)用(yong)万用(yong)表(biao)的(de)R×100档，测结型(xing)场效应(ying)管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)Ｇ极(ji)开(kai)路，测得漏(lou)源电阻RDS为(wei)600Ω，用(yong)手捏住Ｇ极(ji)后，表(biao)针向左摆动，指示的(de)电阻RDS为(wei)12kΩ，表(biao)针摆动的(de)幅度较大(da)，阐明该管(guan)是好的(de)，并有(you)较大(da)的(de)放(fang)大(da)才(cai)能。

运用这种办法(fa)时要(yao)阐明几点：首先，在测(ce)试场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)用手捏(nie)住栅(zha)极时，万用表(biao)针(zhen)可(ke)能向右(you)摆(bai)(bai)动(dong)(dong)(dong)（电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)减(jian)小(xiao)），也(ye)可(ke)能向左(zuo)摆(bai)(bai)动(dong)(dong)(dong)（电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)增加）。这是(shi)由于人(ren)(ren)体感(gan)应(ying)的交流电(dian)(dian)压(ya)较高，而不(bu)(bu)同(tong)的场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)用电(dian)(dian)阻(zu)(zu)档丈量(liang)时的工作(zuo)点可(ke)能不(bu)(bu)同(tong)（或者工作(zuo)在饱(bao)和(he)(he)区或者在不(bu)(bu)饱(bao)和(he)(he)区）所致，实验标明，多数(shu)管(guan)(guan)的RDS增大，即(ji)表(biao)针(zhen)向左(zuo)摆(bai)(bai)动(dong)(dong)(dong)；少数(shu)管(guan)(guan)的RDS减(jian)小(xiao)，使(shi)表(biao)针(zhen)向右(you)摆(bai)(bai)动(dong)(dong)(dong)。但无论(lun)表(biao)针(zhen)摆(bai)(bai)动(dong)(dong)(dong)方向如何，只需(xu)表(biao)针(zhen)摆(bai)(bai)动(dong)(dong)(dong)幅度较大，就阐明管(guan)(guan)有(you)较大的放大才(cai)能。第二，此办法(fa)对(dui)MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)也(ye)适用。但要(yao)留(liu)意，MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)的输人(ren)(ren)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)高，栅(zha)极Ｇ允许的感(gan)应(ying)电(dian)(dian)压(ya)不(bu)(bu)应(ying)过高，所以不(bu)(bu)要(yao)直接(jie)用手去(qu)捏(nie)栅(zha)极，必(bi)需(xu)用于握螺(luo)丝刀的绝缘柄(bing)，用金属杆去(qu)碰触栅(zha)极，以避免人(ren)(ren)体感(gan)应(ying)电(dian)(dian)荷(he)(he)直接(jie)加到栅(zha)极，引起(qi)栅(zha)极击穿。第三，每次(ci)测(ce)量(liang)完毕，应(ying)当G-S极间短路一下。这是(shi)由于G-S结(jie)电(dian)(dian)容上会充有(you)少量(liang)电(dian)(dian)荷(he)(he)，树立起(qi)VGS电(dian)(dian)压(ya)，形成(cheng)再停止测(ce)量(liang)时表(biao)针(zhen)可(ke)能不(bu)(bu)动(dong)(dong)(dong)，只要(yao)将G-S极间电(dian)(dian)荷(he)(he)短路放掉才(cai)行。

（4）用测(ce)电阻(zu)法判别无(wu)标志的场(chang)效应管(guan)

首先(xian)用(yong)(yong)测(ce)(ce)(ce)(ce)量电阻(zu)的办(ban)(ban)法(fa)(fa)找出两(liang)(liang)(liang)个(ge)有电阻(zu)值(zhi)的管(guan)脚(jiao)，也就(jiu)是(shi)源极(ji)(ji)Ｓ和(he)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)Ｄ，余下(xia)(xia)两(liang)(liang)(liang)个(ge)脚(jiao)为(wei)第(di)一栅(zha)极(ji)(ji)G1和(he)第(di)二栅(zha)极(ji)(ji)G2。把(ba)先(xian)用(yong)(yong)两(liang)(liang)(liang)表笔测(ce)(ce)(ce)(ce)的源极(ji)(ji)Ｓ与漏(lou)(lou)极(ji)(ji)Ｄ之间的电阻(zu)值(zhi)记下(xia)(xia)来(lai)，对调表笔再测(ce)(ce)(ce)(ce)量一次(ci)，把(ba)其测(ce)(ce)(ce)(ce)得(de)电阻(zu)值(zhi)记下(xia)(xia)来(lai)，两(liang)(liang)(liang)次(ci)测(ce)(ce)(ce)(ce)得(de)阻(zu)值(zhi)较大的一次(ci)，黑表笔所接的电极(ji)(ji)为(wei)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)Ｄ；红表笔所接的为(wei)源极(ji)(ji)Ｓ。用(yong)(yong)这种(zhong)办(ban)(ban)法(fa)(fa)判别出来(lai)的Ｓ、Ｄ极(ji)(ji)，还能(neng)够用(yong)(yong)估(gu)测(ce)(ce)(ce)(ce)其管(guan)的放大才能(neng)的办(ban)(ban)法(fa)(fa)停止考证，即放大才能(neng)大的黑表笔所接的是(shi)Ｄ极(ji)(ji)；红表笔所接地是(shi)８极(ji)(ji)，两(liang)(liang)(liang)种(zhong)办(ban)(ban)法(fa)(fa)检测(ce)(ce)(ce)(ce)结果均应一样。当(dang)肯定(ding)了漏(lou)(lou)极(ji)(ji)Ｄ、源极(ji)(ji)Ｓ的位(wei)置(zhi)(zhi)后，按Ｄ、Ｓ的对应位(wei)置(zhi)(zhi)装人电路，普(pu)通G1、G2也会(hui)依(yi)次(ci)对准位(wei)置(zhi)(zhi)，这就(jiu)肯定(ding)了两(liang)(liang)(liang)个(ge)栅(zha)极(ji)(ji)G1、G2的位(wei)置(zhi)(zhi)，从而就(jiu)肯定(ding)了Ｄ、S、G1、G2管(guan)脚(jiao)的顺序。

（5）用测反向电(dian)阻(zu)值(zhi)的变化判别(bie)跨(kua)导的大小(xiao)
对VMOS N沟道加强型场效应管(guan)丈量跨(kua)导性能时(shi)(shi)，可用红(hong)表(biao)笔(bi)接(jie)源(yuan)极(ji)Ｓ、黑表(biao)笔(bi)接(jie)漏极(ji)Ｄ，这(zhei)就(jiu)相(xiang)当(dang)于在源(yuan)、漏极(ji)之间加了一个反向电压。此时(shi)(shi)栅极(ji)是(shi)(shi)开路(lu)的(de)(de)，管(guan)的(de)(de)反向电阻值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)很不稳(wen)定的(de)(de)。将万用表(biao)的(de)(de)欧姆档(dang)(dang)选在R×10kΩ的(de)(de)高(gao)阻档(dang)(dang)，此时(shi)(shi)表(biao)内(nei)电压较高(gao)。当(dang)用手接(jie)触(chu)栅极(ji)Ｇ时(shi)(shi)，会(hui)发现管(guan)的(de)(de)反向电阻值(zhi)(zhi)有明显地变(bian)(bian)化，其变(bian)(bian)化越大，阐明管(guan)的(de)(de)跨(kua)导值(zhi)(zhi)越高(gao)；假(jia)如被测管(guan)的(de)(de)跨(kua)导很小，用此法测时(shi)(shi)，反向阻值(zhi)(zhi)变(bian)(bian)化不大。

二(er)、场效应管的运(yun)用注意事项(xiang)

（1）为(wei)了安全使用场(chang)效应管(guan)，在线(xian)路的(de)设计中(zhong)不能超越管(guan)的(de)耗散功率，最大漏(lou)源(yuan)电(dian)压、最大栅源(yuan)电(dian)压和最大电(dian)流(liu)等参数的(de)极限值。


（2）各(ge)类型(xing)场(chang)效应管在(zai)运用时(shi)，都(dou)要严格按请求的(de)偏(pian)置(zhi)接人(ren)电(dian)路中(zhong)，要恪守场(chang)效应管偏(pian)置(zhi)的(de)极(ji)性(xing)。如结型(xing)场(chang)效应管栅源(yuan)漏(lou)之间(jian)是ＰＮ结，Ｎ沟(gou)道(dao)(dao)管栅极(ji)不(bu)能加正偏(pian)压；Ｐ沟(gou)道(dao)(dao)管栅极(ji)不(bu)能加负(fu)偏(pian)压，等等。

（3）MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)由(you)于(yu)输人阻抗(kang)极(ji)高，所以在运输、贮藏中(zhong)必(bi)需将引出脚短(duan)路，要(yao)用(yong)金(jin)(jin)属屏蔽包装，以避免外(wai)来感应(ying)电势将栅极(ji)击穿。特别要(yao)留意(yi)，不能将MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)管(guan)放人塑料盒子内，保管(guan)时最好放在金(jin)(jin)属盒内，同时也要(yao)注意(yi)管(guan)的(de)防潮。

（4）为了避免场效(xiao)应管(guan)栅极(ji)感应击穿，请求一切测试仪器、工作台、电烙(luo)铁、线(xian)路(lu)(lu)自身都必需有良好(hao)的(de)接(jie)地(di)；管(guan)脚(jiao)在焊(han)(han)接(jie)时，先(xian)(xian)焊(han)(han)源(yuan)极(ji)；在连入电路(lu)(lu)之前，管(guan)的(de)全部引线(xian)端坚持(chi)相互短接(jie)状态，焊(han)(han)接(jie)完后才把(ba)短接(jie)资(zi)料去掉(diao)；从(cong)(cong)元器件(jian)架上取(qu)下管(guan)时，应以(yi)(yi)恰当(dang)的(de)方式确(que)(que)保人(ren)(ren)体接(jie)地(di)如采用接(jie)地(di)环(huan)等；当(dang)然(ran)，假如能采用先(xian)(xian)进(jin)的(de)气(qi)热型电烙(luo)铁，焊(han)(han)接(jie)场效(xiao)应管(guan)是比拟(ni)便(bian)当(dang)的(de)，并且确(que)(que)保平安；在未关断(duan)电源(yuan)时，绝对不能够把(ba)管(guan)插(cha)人(ren)(ren)电路(lu)(lu)或从(cong)(cong)电路(lu)(lu)中拔出。以(yi)(yi)上平安措施在运用场效(xiao)应管(guan)时必需留意(yi)。

（5）在装置场效应管(guan)时，留意装置的(de)位置要尽量防止靠近发热元件；为了防管(guan)件振动，有必要将管(guan)壳体紧(jin)固起来；管(guan)脚引线在弯曲时，应当大于根部尺(chi)寸５毫米(mi)处停止，以避免弯断管(guan)脚和引起漏气等。

关于功(gong)率型(xing)(xing)场效(xiao)应管，要有(you)良好(hao)的散(san)热(re)条件(jian)。由于功(gong)率型(xing)(xing)场效(xiao)应管在高负荷条件(jian)下运用(yong)，必需设计足够的散(san)热(re)器，确保壳体温度不超越额定(ding)值，使器件(jian)长(zhang)期稳定(ding)牢靠地工作。

总之(zhi)，确(que)保(bao)场效应(ying)管(guan)平(ping)(ping)安运用，要(yao)(yao)留意(yi)的(de)(de)事(shi)项是(shi)多(duo)种多(duo)样，采(cai)取的(de)(de)平(ping)(ping)安措施也是(shi)各种各样，广大的(de)(de)专业技术人员，特别是(shi)广阔的(de)(de)电子(zi)喜(xi)好者，都要(yao)(yao)依据本人的(de)(de)实(shi)践状况动身，采(cai)取实(shi)在可行的(de)(de)方(fang)法，安全有(you)效地用好场效应(ying)管(guan)。

三、VMOS场(chang)效应管

VMOS场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)（VMOSFET）简称(cheng)VMOS管(guan)(guan)或(huo)功(gong)率(lv)场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)，其全(quan)称(cheng)为(wei)V型槽MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)。它是(shi)继MOSFET之后新开(kai)展(zhan)起来的(de)高(gao)效(xiao)(xiao)、功(gong)率(lv)开(kai)关器(qi)件。它不只继承(cheng)了MOS场效(xiao)(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(guan)输(shu)(shu)入阻抗高(gao)（≥108W）、驱动(dong)电流小(xiao)（0。1μA左(zuo)右），还具有耐压(ya)高(gao)（最高(gao)1200V）、工作(zuo)电流大(da)（1。5A～100A）、输(shu)(shu)出功(gong)率(lv)高(gao)（1～250W）、跨导的(de)线性好(hao)、开(kai)关速度快等优秀特性。正(zheng)是(shi)由于它将电子管(guan)(guan)与(yu)功(gong)率(lv)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)之优点集于一身，因(yin)而在电压(ya)放大(da)器(qi)（电压(ya)放大(da)倍数可达数千倍）、功(gong)率(lv)放大(da)器(qi)、开(kai)关电源和逆变器(qi)中(zhong)正(zheng)取(qu)得普遍应(ying)(ying)用。

VMOS场效应(ying)功率管(guan)具(ju)有极高(gao)的(de)输入阻抗及较(jiao)大的(de)线性放大区等优点，特别是其具(ju)有负的(de)电流温度系数，即(ji)在栅-源电压不变的(de)状况下，导通(tong)电流会随管(guan)温升高(gao)而减小(xiao)，故不存在由于“二次击(ji)穿”现(xian)象所惹起(qi)的(de)管(guan)子损坏(huai)现(xian)象。因而，VMOS管(guan)的(de)并联得(de)到普(pu)遍(bian)应(ying)用。

众所(suo)(suo)周知，传统的MOS场(chang)效(xiao)应管的栅(zha)极、源(yuan)极和(he)漏(lou)极大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)致处于(yu)同一(yi)程(cheng)度(du)面的芯(xin)片(pian)上，其工作电流(liu)(liu)(liu)根本上是(shi)沿(yan)程(cheng)度(du)方向(xiang)活(huo)(huo)动(dong)。VMOS管则不同，从图1上能够看(kan)出其两大(da)(da)(da)构造(zao)特(te)性：第一(yi)，金属栅(zha)极采用V型(xing)槽构造(zao)；第二，具有(you)(you)垂直导电性。由于(yu)漏(lou)极是(shi)从芯(xin)片(pian)的反面引出，所(suo)(suo)以(yi)ID不是(shi)沿(yan)芯(xin)片(pian)程(cheng)度(du)活(huo)(huo)动(dong)，而(er)是(shi)自重(zhong)掺(chan)杂(za)N+区(qu)（源(yuan)极S）动(dong)身，经(jing)过(guo)P沟道流(liu)(liu)(liu)入轻掺(chan)杂(za)N-漂(piao)移区(qu)，最后(hou)垂直向(xiang)下抵(di)达漏(lou)极D。电流(liu)(liu)(liu)方向(xiang)如图中箭头所(suo)(suo)示，由于(yu)流(liu)(liu)(liu)通截面积增大(da)(da)(da)，所(suo)(suo)以(yi)能经(jing)过(guo)大(da)(da)(da)电流(liu)(liu)(liu)。由于(yu)在栅(zha)极与芯(xin)片(pian)之间有(you)(you)二氧化硅绝(jue)缘层，因而(er)它仍属于(yu)绝(jue)缘栅(zha)型(xing)MOS场(chang)效(xiao)应管。

下面引见检测VMOS管(guan)的办法：
1．断定(ding)栅极G
将(jiang)万用表拨至R×1k档分别测量(liang)(liang)量(liang)(liang)三(san)个管脚之间的电阻。若发(fa)现某脚与其字两脚的电阻均呈(cheng)无量(liang)(liang)大，并且交流(liu)表笔后仍为(wei)无量(liang)(liang)大，则(ze)证明此脚为(wei)G极，由于它(ta)和另(ling)外两个管脚是绝缘的。

2．断(duan)定源极S、漏极D

由图1可(ke)见，在源(yuan)-漏(lou)之间(jian)有一个PN结(jie)，因(yin)而依据PN结(jie)正、反向(xiang)电(dian)阻存(cun)在差别(bie)，可(ke)辨认S极(ji)与(yu)D极(ji)。用交流表(biao)(biao)笔法测两次电(dian)阻，其中电(dian)阻值较低（普(pu)通为(wei)几千(qian)(qian)欧至(zhi)十几千(qian)(qian)欧）的一次为(wei)正向(xiang)电(dian)阻，此时黑表(biao)(biao)笔的是(shi)S极(ji)，红表(biao)(biao)笔接D极(ji)。

3．测量漏(lou)-源通态电阻RDS（on）
将G-S极(ji)短路，选择万用表的R×1档，黑表笔(bi)接(jie)S极(ji)，红表笔(bi)接(jie)D极(ji)，阻值应(ying)为几欧至十(shi)几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要(yao)高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．检查跨导

将万(wan)用表(biao)置于R×1k（或R×100）档，红表(biao)笔(bi)接S极，黑表(biao)笔(bi)接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表(biao)针(zhen)应有(you)明显偏转，偏转愈(yu)大，管子(zi)的(de)跨导愈(yu)高(gao)。

四、注意事(shi)项

（1）VMOS管亦分N沟道(dao)(dao)管与P沟道(dao)(dao)管，但绝大多数产品属于(yu)(yu)N沟道(dao)(dao)管。关于(yu)(yu)P沟道(dao)(dao)管，测量时(shi)应交流表笔的位置。

（2）有少(shao)数VMOS管(guan)在(zai)G-S之间并有维护二极管(guan)，本(ben)检测办法(fa)中的(de)1、2项不(bu)再(zai)适用(yong)。

（3）目(mu)前市场上还有一(yi)种VMOS管(guan)功率(lv)模(mo)(mo)块，专供交流电机调速器(qi)、逆(ni)变器(qi)运用。例如美(mei)国IR公司(si)消费的IRFT001型模(mo)(mo)块，内部有N沟(gou)(gou)道(dao)、P沟(gou)(gou)道(dao)管(guan)各(ge)三只，构成三相桥式构造。

（4）如今(jin)市(shi)售VNF系(xi)列(lie)（N沟道）产(chan)品，是(shi)美国Supertex公(gong)司消(xiao)费的超高频功(gong)率(lv)场效应(ying)管(guan)，其最高工作(zuo)频率(lv)fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低(di)频跨导gm=2000μS。适(shi)用于高速开关电(dian)路和播送、通讯设备中。

（5）运用VMOS管时必需(xu)加(jia)适宜的散热器(qi)后。以VNF306为例，该(gai)管子(zi)加(jia)装140×140×4（mm）的散热器(qi)后，最大功率(lv)才能达到30W。

（6）多(duo)管(guan)并(bing)联(lian)后，由于极间电(dian)(dian)容(rong)和散布电(dian)(dian)容(rong)相应(ying)(ying)增加(jia)，使放大器的高频特性变坏(huai)，经过反应(ying)(ying)容(rong)易惹起放大器的高频寄生(sheng)(sheng)振荡。为此，并(bing)联(lian)复合管(guan)管(guan)子普通不(bu)超(chao)越4个，而(er)且(qie)在(zai)每(mei)管(guan)基极或栅极上串接防寄生(sheng)(sheng)振荡电(dian)(dian)阻。

五(wu)、怎样识别场效应管(guan)

场效应管的文字符(fu)号(hao)为(wei)“VT”，图(tu)形符(fu)号(hao)如(ru)图(tu)4-22所示。

场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)一(yi)般具有3个(ge)引脚(jiao)，分(fen)别(bie)是栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G、源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S和(he)(he)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D，它们(men)的(de)功(gong)能分(fen)别(bie)对(dui)应(ying)于(yu)双(shuang)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)型晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)基极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)b、发射极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)e和(he)(he)集(ji)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)c。由于(yu)场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)s和(he)(he)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D是对(dui)称的(de)，实际(ji)使用中可以互换。双(shuang)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)具有4个(ge)引脚(jiao)，分(fen)别(bie)是栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1和(he)(he)G2、源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)s和(he)(he)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D。常用场效(xiao)应(ying)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)引脚(jiao)如图4-23所示(shi)，使用中应(ying)注(zhu)意识别(bie)。

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