mos管G、S、D、分别代表是什么
信息(xi)来源：本站 日期：2017-04-21
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的(de)(de)一般为N沟(gou)(gou)道和P沟(gou)(gou)道。N沟(gou)(gou)道的(de)(de)电源一般接在D，输(shu)(shu)出(chu)(chu)S，P沟(gou)(gou)道的(de)(de)电源一般接在S，输(shu)(shu)出(chu)(chu)D。
MOS管的(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)G和源(yuan)极(ji)(ji)S之间是绝缘的(de)(de)(de)(de)，由于Sio2绝缘层的(de)(de)(de)(de)存(cun)在，在栅极(ji)(ji)G和源(yuan)极(ji)(ji)S之间等效是一个电(dian)(dian)容(rong)存(cun)在，电(dian)(dian)压VGS产生电(dian)(dian)场从(cong)而(er)导致源(yuan)极(ji)(ji)-漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)产生。此时的(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)压VGS决(jue)定了漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)大(da)小(xiao)，控制栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)压VGS的(de)(de)(de)(de)大(da)小(xiao)就(jiu)可以控制漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流ID的(de)(de)(de)(de)大(da)小(xiao)。这就(jiu)可以得(de)出如下结论：
1） MOS管是(shi)一(yi)个由改变电压来(lai)控制电流的器件，所以是(shi)电压器件。
2） MOS管道输(shu)入(ru)特性(xing)为(wei)容性(xing)特性(xing)，所以输(shu)入(ru)阻抗极高。
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