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MOS英文(wen)全称为金属-氧化(hua)物-半导体(ti)，描写(xie)了集成(cheng)电路(lu)中的(de)构(gou)造，即：在必然构(gou)造的(de)半导体(ti)器材上(shang)，加上(shang)二(er)氧化(hua)硅(gui)和金属，构(gou)成(cheng)栅极(ji)。这兩种型(xing)态的(de)构(gou)造没有太大的(de)差異，仅(jin)仅(jin)耗尽(jin)型(xing)MOS一开始在Drain-Source的(de)通道上(shang)就有载子，所以(yi)即便(bian)在VGS为零的(de)情况下，

供应(ying)(ying)应(ying)(ying)设计者一种高(gao)(gao)速(su)度、高(gao)(gao)功率(lv)、高(gao)(gao)电压、与高(gao)(gao)增益(yi)的(de)(de)元件。有(you)些场效(xiao)应(ying)(ying)管的(de)(de)源极(ji)和漏(lou)极(ji)能够交流(liu)运用，栅压也可正(zheng)可负，灵活性比晶(jing)体管好。

能在(zai)很(hen)小电流和很(hen)低电压的(de)条件下功课，而(er)且它的(de)制(zhi)造技能能够很(hen)方便地把(ba)许多(duo)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)集成在(zai)一块硅(gui)片上，因而(er)场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)在(zai)大(da)规模集成电路中(zhong)得到了广泛的(de)运用。它作用特征:开(kai)关速度快、高频任性(xing)(xing)能好，输入阻抗高、驱(qu)动功率小、热稳(wen)定(ding)性(xing)(xing)优异、无二(er)次击穿(chuan)标题(ti)、全功课区宽、功课线(xian)性(xing)(xing)度高等等，其最主要的(de)利(li)益就(jiu)是能够减少(shao)体(ti)积(ji)巨细与分量(liang)，

MOS又分为兩(liang)种(zhong)(zhong)，一种(zhong)(zhong)为耗尽型（DepletionMOS），另(ling)一种(zhong)(zhong)为增强(qiang)型（EnhancementMOS）。

耗(hao)尽(jin)型MOS仍(reng)能(neng)够导通的(de)。 MOS管的(de)source和drain是(shi)能(neng)够对调的(de)，都是(shi)在P型backgate中构(gou)成的(de)N型区。

MOS管(guan)，即(ji)在集成电(dian)路中绝缘性场效(xiao)应管(guan)。

由(you)于(yu)场效(xiao)应管拓展器的输(shu)入阻(zu)抗很高，因而耦合(he)电容(rong)能够容(rong)量较小，不(bu)必(bi)运(yun)用电解电容(rong)器。在各類中小功(gong)率开关电路(lu)中运(yun)用极为广泛，能够用作(zuo)可变电阻(zu)也可运(yun)用于(yu)拓展。

且MOS场效应管很高的输入阻抗十分(fen)适协作阻抗变(bian)(bian)换(huan)。能(neng)够(gou)方便(bian)地用作恒流源也能(neng)够(gou)用作电(dian)子开(kai)关。常用于多级(ji)拓(tuo)展器(qi)的输入级(ji)作阻抗变(bian)(bian)换(huan)。而增强(qiang)型(xing)MOS则必须在其VGS大於某(mou)一特定值才(cai)调导通。

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